Characteristics of hafnium oxide resistance random access memory with different setting compliance current

Applied Physics Letters

Volumn 103, Issue 16, 2013, Pages

  Su, Yu Ting ^a   Chang, Kuan Chang ^a   Chang, Ting Chang ^a,b   Tsai, Tsung Ming ^a   Zhang, Rui ^c   Lou, J C ^c   Chen, Jung Hui ^d   Young, Tai Fa ^a   Chen, Kai Huang ^e   Tseng, Bae Heng ^a   Shih, Chih Cheng ^a   Yang, Ya Liang ^a   Chen, Min Chen ^a   Chu, Tian Jian ^a   Pan, Chih Hung ^a   Syu, Yong En ^a   Sze, Simon M ^f  

^a NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c PEKING UNIVERSITY   (China)

^d NATIONAL KAOHSIUNG NORMAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^e TUNG FANG DESIGN UNIVERSITY   (Taiwan)

^f NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONDUCTION; COMSOL MULTIPHYSICS; CONDUCTION MECHANISM; CURRENT-VOLTAGE MEASUREMENTS; ELECTRICAL FIELD SIMULATIONS; INCREASING TEMPERATURES; LOW-RESISTANCE STATE; RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY;

ELECTRIC PROPERTIES; HAFNIUM OXIDES; SURFACE SCATTERING;

OXIDES;

EID: 84886399120     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4825104     Document Type: Article

References (25)

1. M. Wuttig and N. Yamada, Nature Mater. 6, 824-832 (2007). 10.1038/nmat2009
2. T. M. Tsai, K. C. Chang, T. C. Chang, Y. E. Syu, S. L. Chuang, G. W. Chang, G. R. Liu, M. C. Chen, H. C. Huang, S. K. Liu, IEEE Electron Device Lett. 33 (12), 1696-1698 (2012). 10.1109/LED.2012.2217933
3. Q. Liu, S. B. Long, W. Wang, Q. Y. Zuo, S. Zhang, J. N. Chen, and M. Liu, IEEE Electron Device Lett. 30 (12), 1335-1337 (2009). 10.1109/LED.2009.2032566
4. T. C. Chang, F. Y. Jian, S. C. Chen, and Y. T. Tsai, Mater. Today 14 (12), 608-615 (2011). 10.1016/S1369-7021(11)70302-9
5. Y. E. Syu, T. C. Chang, T. M. Tsai, Y. C. Hung, K. C. Chang, M. J. Tsai, M. J. Kao, and S. M. Sze, IEEE Electron Device Lett. 32 (4), 545-547 (2011). 10.1109/LED.2011.2104936
6. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, Y. E. Syu, S. L. Chuang, C. H. Li, D. S. Gan, and S. M. Sze, Electrochem. Solid-State Lett. 15 (3), H65-H68 (2012). 10.1149/2.013203esl
7. Y. Wang, Q. Liu, S. B. Long, W. Wang, Q. Wang, M. H. Zhang, S. Zhang, Y. T. Li, Q. Y. Zuo, J. H. Yang, and M. Liu, Nanotechnology 21, 045202 (2010). 10.1088/0957-4484/21/4/045202
8. T. M. Tsai, K. C. Chang, R. Zhang, T. C. Chang, J. C. Lou, J. H. Chen, T. F. Young, B. H. Tseng, C. C. Shih, Y. C. Pan, Appl. Phys. Lett. 102, 253509 (2013). 10.1063/1.4812474
9. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, H. H. Wu, J. H. Chen, Y. E. Syu, G. W. Chang, T. J. Chu, G. R. Liu, Y. T. Su, IEEE Electron Device Lett. 34 (3), 399-401 (2013). 10.1109/LED.2013.2241725
10. K. C. Chang, R. Zhang, T. C. Chang, T. M. Tsai, J. C. Lou, J. H. Chen, T. F. Young, M. C. Chen, Y. L. Yang, Y. C. Pan, IEEE Electron Device Lett. 34 (5), 677-679 (2013). 10.1109/LED.2013.2250899
11. T. J. Chu, T. C. Chang, T. M. Tsai, H. H. Wu, J. H. Chen, K. C. Chang, T. F. Young, K. H. Chen, Y. E. Syu, G. W. Chang, IEEE Electron Device Lett. 34 (4), 502-504 (2013). 10.1109/LED.2013.2242843
12. Y. E. Syu, T. C. Chang, J. H. Lou, T. M. Tsai, K. C. Chang, M. J. Tsai, Y. L. Wang, M. Liu, and Simon M. Sze, Appl. Phys. Lett. 102, 172903 (2013). 10.1063/1.4802821
13. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, H. H. Wu, K. H. Chen, J. H. Chen, T. F. Young, T. J. Chu, J. Y. Chen, C. H. Pan, IEEE Electron Device Lett. 34 (4), 511-513 (2013). 10.1109/LED.2013.2248075
14. K. C. Chang, T. M. Tsai, R. Zhang, T. C. Chang, K. H. Chen, J. H. Chen, T. F. Young, J. C. Lou, T. J. Chu, C. C. Shih, Appl. Phys. Lett. 103, 083509 (2013). 10.1063/1.4819162
15. T. M. Tsai, K. C. Chang, T. C. Chang, Y. E. Syu, K. H. Liao, B. H. Tseng, and S. M. Sze, Appl. Phys. Lett. 101, 112906 (2012). 10.1063/1.4750235
16. K. C. Chang, C. H. Pan, T. C. Chang, T. M. Tsai, R. Zhang, J. C. Lou, T. F. Young, J. H. Chen, C. C. Shih, T. J. Chu, IEEE Electron Device Lett. 34 (5), 617-619 (2013). 10.1109/LED.2013.2251995
17. Y. Li, S. B. Long, M. H. Zhang, Q. Liu, L. B. Shao, S. Zhang, Y. Wang, Q. Y. Zuo, S. Liu, and M. Liu, IEEE Electron Device Lett. 31 (2), 117-119 (2010). 10.1109/LED.2009.2036276
18. C. T. Tsai, T. C. Chang, P. T. Liu, P. Y. Yang, Y. C. Kuo, K. T. Kin, P. L. Chang, and F. S. Huang, Appl. Phys. Lett. 91 (1), 012109 (2007). 10.1063/1.2753762
19. T. Bertaud, M. Sowinska, D. Walczyk, S. Thiess, A. Gloskovskii, C. Walczyk, and T. Schroeder, Appl. Phys. Lett. 101, 143501 (2012). 10.1063/1.4756897
20. M. C. Chen, T. C. Chang, S. Y. Huang, K. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, J. Lu, and Y. Shi, Appl. Phys. Lett. 94, 162111 (2009). 10.1063/1.3124658
21. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, Y. E. Syu, C.-C. Wang, S. K. Liu, S. L. Chuang, C. H. Li, D. S. Gan, and S. M. Sze, Appl. Phys. Lett. 99 (26), 263501 (2011). 10.1063/1.3671991
22. T. M. Tsai, K. C. Chang, T. C. Chang, G. W. Chang, Y. E. Syu, Y. T. Su, G. R. Liu, K. H. Liao, M. C. Chen, H. C. Huang, IEEE Electron Device Lett. 33 (12), 1693-1695 (2012). 10.1109/LED.2012.2217932
23. T. Y. Tseng and H. Nalwa, Hand Book of Nanoceramics and their Based Nano Devices (American Scientific Publishers, USA, 2009), pp. 175-176.
24. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632-2663 (2009). 10.1002/adma.200900375
25. S. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, and H. Tango, IEEE Trans. Electron Devices 41 (12), 2357-2362 (1994). 10.1109/16.337449