Self-aligned top-gate amorphous indium zinc oxide thin-film transistors exceeding low-temperature poly-si transistor performance

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 15, 2013, Pages 6990-6995

  Park, Jae Chul ^a,c   Lee, Ho Nyeon ^b   Im, Seongil ^c  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^b Soonchunhyang University   (South Korea)

^c Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

amorphous indium zinc oxide; Ar plasma treatment; N2O plasma treatment; self aligned top gate structure; thin film transistor

Indexed keywords

AR PLASMA TREATMENT; INDIUM ZINC OXIDES; PLASMA TREATMENT; SELF-ALIGNED; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS);

AMORPHOUS SILICON; FIELD EFFECT TRANSISTORS; FLAT PANEL DISPLAYS; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED); PLASMA APPLICATIONS; POLYSILICON; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; SEMICONDUCTING SILICON; TEMPERATURE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84882762992     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am401128p     Document Type: Article

References (35)

1. Nomura, K.; Ohta, H.; Takagi, A.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Nature 2004, 432, 488-492
2. Park, J. C.; Kim, S.; Kim, S.; Kim, C.; Song, I.; Park, Y.; Jung, U.-I.; Kim, D. H.; Lee, J.-S. Adv. Mater. 2010, 22, 5512-5516
3. Kamiya, T.; Nomura, K.; Hosono, H. Sci. Technol. Adv. Mater. 2010, 11, 044305
4. Shin, D.-H.; Kim, Y.-H.; Han, J.-W.; Moon, K.-M.; Murakami, R.-I. T. Nonferr. Metal Soc. 2009, 19, 997-1000
5. Oh, S.; Yang, B. S.; Kim, Y. J.; Oh, M. S.; Jang, M.; Yang, H.; Jeong, J. K.; Hwang, C. S.; Kim, H. J. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 092107
6. Ito, N.; Sato, Y.; Song, P. K.; Kaijio, A.; Inoue, K.; Shigesato, Y. Thin Solid Films 2006, 496, 99-103
7. Wang, S.-L.; Yu, J.-W.; Yeh, P.-C.; Kuo, H.-W.; Peng, L.-H.; Fedyanin, A. A.; Mishina, E. D.; Sigov, A. S. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 063506
8. Paine, D. C.; Yaglioglu, B.; Beiley, Z.; Lee, S. Thin Solid Films 2008, 516, 5894-5898
9. Fortunato, E.; Barquinha, P.; Gonçalves, G.; Pereira, L.; Martins, R. Solid-State Electron. 2008, 52, 443-448
10. Yaglioglu, B.; Yeom, H. Y.; Beresford, R.; Paine, D. C. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 062103
11. Wang, Y.-L.; Ren, F.; Lim, W.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Kravchenko, I. I.; Zavada, J. M. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 232103
12. Duy, N. V.; Baek, K.; Son, D. N.; Lee, W.; Kim, K.; Choi, B.; Chung, H.; Yi, J. Jpn. J. Appl. Phys. 2011, 50, 024101
13. Meijer, E. J.; Gelinck, G. H.; Veenendaal, E. V.; Huisman, B.-H.; de Leeuw, D. M.; Klapwijk, T. M. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4576-4578
14. Powell, M.; Glasse, C.; Green, P.; French, I.; Stemp, I. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 104-106
15. Chen, R.; Zhou, W.; Zhang, M.; Kwok, H. S. Thin Solid Films 2012, 520, 6681-6683
16. Morosawa, N.; Ohshima, Y.; Morooka, M.; Arai, T.; Sasaoka, T. Society for Information Display International Symposium Digest of Technical Papers; Wiley: New York, 2011; Vol. 42, pp 621-624.
17. Dehuff, N. L.; Kettenring, E. S.; Hong, D.; Chiang, H. Q.; Wager, J. F.; Hoffman, R. L.; Park, C.-H.; Keszler, D. A. J. Appl. Phys. 2005, 97, 064505
18. Chiang, H. Q.; Wager, J. F.; Hoffman, R. L.; Jeong, J.; Keszler, D. A. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 013503
19. Chong, E.; Chun, Y. S.; Lee, S. Y. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 102102
20. Martins, R.; Almeida, P.; Barquinha, P.; Pereira, L.; Pimentel, A.; Ferreira, I.; Fortunato, E. J. Non-Cryst. Solids 2006, 352, 1471-1474
21. Park, J.; Kim, S.; Kim, C.; Kim, S.; Song, I.; Yin, H.; Kim, K.-K.; Lee, S.; Hong, K.; Lee, J.; Jung, J.; Lee, E.; Kwon, K.-W.; Park, Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 053505
22. Kim, D.-G.; Lee, S.; Kim, D. H.; Lee, G. H.; Isshiki, M. Thin Solid Films 2008, 516, 2045-2049
23. Denny, Y. R.; Shin, H. C.; Seo, S.; Oh, S. K.; Kang, H. J.; Tahir, D.; Heo, S.; Chung, J. G.; Lee, J. C.; Tougaard, S. J. Electron Spectrosc. 2012, 185, 18-22
24. Craciun, D.; Socol, G.; Stefan, N.; Miroiu, M.; Craciun, V. Thin Solid Films 2010, 518, 4564-4567
25. Park, J.-S.; Jeong, J. K.; Mo, Y.-G.; Kim, H. D.; Kim, S.-I. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 262106
26. Ahn, B. D.; Shin, H. S.; Kim, H. J.; Park, J.-S.; Jeong, J. K. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 203506
27. Schroder, D. K. Semiconductor Material and Device Characterization, 3 rd ed.; Wiley: Hoboken, NJ, 2006; p 149.
28. Loh, W. M.; Swirhun, S. E.; Crabbe, E.; Saraswat, K.; Swanson, R. M. IEEE Electron Device Lett. 1985, EDL-6, 441-443
29. Chen, K. N.; Fan, A.; Tan, C. S.; Reif, R. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 10-12
30. Wang, L.; Yoon, M.-H.; Lu, G.; Yang, Y.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Nat. Mater. 2006, 5, 893-900
31. Park, J.-S.; Kim, K.; Park, Y.-G.; Mo, Y.-G.; Kim, H. D.; Jeong, J. K. Adv. Mater. 2009, 21, 329-333
32. Chen, Y.-C.; Chang, T.-C.; Li, H.-W.; Hsieh, T.-Y.; Chen, T.-C. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 223502
33. Huang, S.-Y.; Chang, T.-C.; Yang, M.-C.; Lin, L.-W.; Wu, M.-H. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 253502
34. Li, M.; Lan, L.; Xu, M.; Wang, L.; Xu, H.; Luo, D.; Zou, J.; Tao, H.; Yao, R.; Peng, J. J. Phys. D: Appl. Phys. 2011, 44, 455102
35. Lee, S. K.; Hong, S. I.; Lee, Y. H.; Lee, S. W.; Cho, W. J.; Park, J. T. Microelectron. Reliab. 2012, 52, 2504-2507