Room temperature deposited indium zinc oxide thin film transistors

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 23, 2007, Pages

  Wang, Yu Lin ^a   Ren, F ^a   Lim, Wantae ^a   Norton, D P ^a   Pearton, S J ^a   Kravchenko, I I ^b   Zavada, J M ^c  

^a University of Florida   (United States)

^b US Army Research Office ^*  (United States)

^c U S ARMY RESEARCH OFFICE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; ELECTRON TRAPS; GATE DIELECTRICS; GLASS; INDIUM COMPOUNDS; INTERFACES (MATERIALS); MAGNETRON SPUTTERING; THICKNESS MEASUREMENT;

FIELD EFFECT MOBILITY; PROCESSING TEMPERATURES; ROOM TEMPERATURE; TRAPPED CHARGES;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 34250697538     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2746084     Document Type: Article

References (23)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature (London) 432, 288 (2004).
2. E. Fortunato, P. Barquinha, A. Pimentel, A. Goņalves, A. Marques, R. Martins, and L. Pereira, Appl. Phys. Lett. 85, 2541 (2004).
3. N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, C.-H. Park, and D. A. Keszler, J. Appl. Phys. 97, 064505 (2005).
4. E. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. M. C. B. G. Pimentel, A. M. F. Goņalves, A. J. S. Marques, L. M. N. Pereira, and R. Martins, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 17, 590 (2005).
5. J. Cui, A. Wang, N. L. Edleman, J. Ni, P. Lee, N. R. Armstrong, and T. J. Marks, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 31, 1476 (2001).
6. G. Hu, B. Kumar, H. Gong, E. F. Chor, and P. Wu, Appl. Phys. Lett. 88, 101901 (2006).
7. A. Wang, J. Dai, J. Cheng, M. P. Chudzik, T. J. Marks, R. P. H. Chang, and C. R. Kannewurf, Appl. Phys. Lett. 73, 327 (1998).
8. K. Tominaga, T. Takao, A. Fukushima, T. Moriga, and I. Nakabayashi, Vacuum 66, 505 (2002).
9. N. Naghavi, C. Marcel, L. Dupont, A. Rougier, J. B. Leriche, and C. Guery, J. Mater. Chem. 10, 2315 (2000).
10. S. Y. Lee and B. O. Park, Thin Solid Films 484, 184 (2005).
11. J. Park, J. Song, Y. W. Heo, J. H. Lee, J. J. Kim, W. T. Lim, L. Stafford, D. P. Norton, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2737 (2006).
12. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goņalves, A. J. S. Marques, L. M. N. Pereira, and R. F. P. Martins, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 17, 590 (2005).
13. Y. Kwon, Y. Li, Y. W. Heo, M. Jones, P. H. Holloway, D. P. Norton, Z. V. Park, and S. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 2685 (2004).
14. Y. W. Heo, B. S. Kang, L. C. Tien, Y. Kwon, D. P. Norton, F. Ren, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 2274 (2004).
15. H.-H. Hsieh and C.-C. Wu, Appl. Phys. Lett. 89, 041109 (2006).
16. J. Siddiqui, E. Cagin, D. Chen, and J. D. Phillips, Appl. Phys. Lett. 88, 212903 (2006).
17. P. F. Garcia, R. S. McLean, and M. H. Reilly, Appl. Phys. Lett. 88, 123509 (2006).
18. S. Sasa, M. Ozaki, K. Koike, M. Yano, and M. Inoue, Appl. Phys. Lett. 89, 053502 (2006).
19. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett. 86, 013503 (2005).
20. N. Ito, Y. Sato, P. K. Song, A. Kaijio, K. Inoue, and Y. Shigesato, Thin Solid Films 6, 99 (2006).
21. Yeon Sik Jung, Ji Yoon Seo, Dong Wook Lee, and Duk Young Jeon, Thin Solid Films 445, 63 (2003).
22. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
23. H. Q. Chiang, D. Hong, C. M. Hung, R. E. Presley, J. F. Wager, C.-H. Park, D. A. Keszler, and G. S. Herman, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2702 (2006).