Record maximum oscillation frequency in C-face epitaxial graphene transistors

Nano Letters

Volumn 13, Issue 3, 2013, Pages 942-947

  Guo, Zelei ^a   Dong, Rui ^a   Chakraborty, Partha Sarathi ^b   Lourenco, Nelson ^b   Palmer, James ^a   Hu, Yike ^a   Ruan, Ming ^a   Hankinson, John ^a   Kunc, Jan ^a   Cressler, John D ^b   Berger, Claire ^a,c   De Heer, Walt A ^a  

^a GEORGIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^b GEORGIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^c LABORATOIRE DE CRISTALLOGRAPHIE   (France)

Author keywords

Epitaxial graphene; field effect transistors; high frequency electronics; maximum oscillation frequency; nanoelectronics; silicon carbide

Indexed keywords

CIRCUIT OPERATION; EPITAXIAL GRAPHENE; HIGH-FREQUENCY ELECTRONICS; HIGH-FREQUENCY TRANSISTORS; MAXIMUM OSCILLATION FREQUENCY; SELF-ALIGNED; TRANSISTOR DESIGNS; UPPER BOUND;

EPITAXIAL GROWTH; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOELECTRONICS; SILICON CARBIDE; TRANSISTORS;

GRAPHENE;

EID: 84874970191     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl303587r     Document Type: Article

References (32)

1. Berger, C.; Song, Z. M.; Li, T. B.; Li, X. B.; Ogbazghi, A. Y.; Feng, R.; Dai, Z. T.; Marchenkov, A. N.; Conrad, E. H.; First, P. N.; De Heer, W. A. J. Phys. Chem. B 2004, 108 (52) 19912-19916
2. Schwierz, F. Nat. Nanotechnol. 2010, 5 (7) 487-496
3. Kim, K.; Choi, J. Y.; Kim, T.; Cho, S. H.; Chung, H. J. Nature 2011, 479 (7373) 338-344
4. Kedzierski, J.; Hsu, P. L.; Healey, P.; Wyatt, P. W.; Keast, C. L.; Sprinkle, M.; Berger, C.; de Heer, W. A. IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55 (8) 2078-2085
5. Krithivasan, R.; Lu, Y.; Cressler, J. D.; Rieh, J. S.; Khater, M. H.; Ahlgren, D.; Freeman, G. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27 (7) 567-569
6. Wu, Y. Q.; Jenkins, K. A.; Valdes-Garcia, A.; Farmer, D. B.; Zhu, Y.; Bol, A. A.; Dimitrakopoulos, C.; Zhu, W. J.; Xia, F. N.; Avouris, P.; Lin, Y. M. Nano Lett. 2012, 12 (6) 3062-3067
7. Sprinkle, M.; Ruan, M.; Hu, Y.; Hankinson, J.; Rubio-Roy, M.; Zhang, B.; Wu, X.; Berger, C.; de Heer, W. A. Nat. Nanotechnol. 2010, 5 (10) 727-731
8. Moon, J. S.; Curtis, D.; Hu, M.; Wong, D.; McGuire, C.; Campbell, P. M.; Jernigan, G.; Tedesco, J. L.; VanMil, B.; Myers-Ward, R.; Eddy, C. J.; Gaskill, D. K. IEEE Electron Device Lett. 2009, 30 (6) 650-652
9. Lin, Y. M.; Valdes-Garcia, A.; Han, S. J.; Farmer, D. B.; Meric, I.; Sun, Y. N.; Wu, Y. Q.; Dimitrakopoulos, C.; Grill, A.; Avouris, P.; Jenkins, K. A. Science 2011, 332 (6035) 1294-1297
10. Lin, Y.-M.; Farmer, D. B.; Jenkins, K. A.; Wu, Y.; Tedesco, J. L.; Myers-Ward, R. L. E.; Eddy, C. R., Jr.; Gaskill, D. K.; Dimitrakopoulos, C.; Avouris, P. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32 (10) 1343
11. Hu, Y.; Ruan, M.; Guo, Z.; Dong, R.; Palmer, J.; Hankinson, J.; Berger, C.; de Heer, W. A. J. Phys. D 2012, 45 (15) 154010
12. de Heer, W. A.; Berger, C.; Ruan, M.; Sprinkle, M.; Li, X.; Hu, Y.; Zhang, B.; Hankinson, J.; Conrad, E. H. Proc. Natl. Acad. Sci. 2011, 108 (41) 16900-16905
13. Sun, D.; Divin, C.; Berger, C.; de Heer, W. A.; First, P. N.; Norris, T. B. Phys. Rev. Lett. 2010, 104 (13) 136802
14. Meric, I.; Han, M. Y.; Young, A. F.; Ozyilmaz, B.; Kim, P.; Shepard, K. L. Nat. Nanotechnol. 2008, 3 (11) 654-659
15. Nienhaus, H.; Kampen, T. U.; Monch, W. Surf. Sci. 1995, 324 (1) L328-L332
16. Wu, Y. Q.; Lin, Y. M.; Bol, A. A.; Jenkins, K. A.; Xia, F. N.; Farmer, D. B.; Zhu, Y.; Avouris, P. Nature 2011, 472 (7341) 74-78
17. Robinson, J. A.; Hollander, M.; LaBella, M.; Trumbull, K. A.; Cavalero, R.; Snyder, D. W. Nano Lett. 2011, 11 (9) 3875-3880
18. Xia, F. N.; Perebeinos, V.; Lin, Y. M.; Wu, Y. Q.; Avouris, P. Nat. Nanotechnol. 2011, 6 (3) 179-184
19. Schmitz, A. E.; Walden, R. H.; Larson, L. E.; Rosenbaum, S. E.; Metzger, R. A.; Behnke, J. R.; Macdonald, P. A. IEEE Electron Device Lett. 1991, 12 (1) 16-17
20. Wu, X. S.; Hu, Y. K.; Ruan, M.; Madiomanana, N. K.; Hankinson, J.; Sprinkle, M.; Berger, C.; de Heer, W. A. Appl. Phys. Lett. 2009, 95 (22) 223108
21. Robin, F.; Meier, H.; Homan, O. J.; Bachtold, W. Indium Phosphide Related Mater. Conf. 2002, 221
22. Biercuk, M. J.; Monsma, D. J.; Marcus, C. M.; Becker, J. S.; Gordon, R. G. Appl. Phys. Lett. 2003, 83 (12) 2405-2407
23. Meyer, D. J.; Bass, R.; Katzer, D. S.; Deen, D. A.; Binari, S. C.; Daniels, K. M.; Eddy, C. R. Solid-State Electron. 2010, 54 (10) 1098-1104
24. Liao, L.; Bai, J. W.; Cheng, R.; Zhou, H. L.; Liu, L. X.; Liu, Y.; Huang, Y.; Duan, X. F. Nano Lett. 2012, 12 (6) 2653-2657
25. Moon, J. S.; Antcliffe, M.; Seo, H. C.; Curtis, D.; Lin, S.; Schmitz, A.; Milosavljevic, I.; Kiselev, A. A.; Ross, R. S.; Gaskill, D. K.; Campbell, P. M.; Fitch, R. C.; Lee, K. M.; Asbeck, P. Appl. Phys. Lett. 2012, 100 (20) 203512
26. Datta, S.; Assad, F.; Lundstrom, M. S. Superlattices Microstruct. 1998, 23 (3-4) 771-780
27. Moon, J. S.; Curtis, D.; Bui, S.; Hu, M.; Gaskill, D. K.; Tedesco, J. L.; Asbeck, P.; Jernigan, G. G.; VanMil, B. L.; Myers-Ward, R. L.; Eddy, C. R.; Campbell, P. M.; Weng, X. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31 (4) 260-262
28. Liao, L.; Bai, J. W.; Cheng, R.; Lin, Y. C.; Jiang, S.; Qu, Y. Q.; Huang, Y.; Duan, X. F. Nano Lett. 2010, 10 (10) 3952-3956
29. Wu, Y. Q.; Farmer, D. B.; Valdes-Garcia, A.; Zhu, W. J.; Jenkins, K. A.; Dimitrakopoulos, C.; Avouris, P.; Lin, Y. M. IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM) 2011, 10.1109/IEDM.2011.6131601
30. Cheng, R.; Bai, J. W.; Liao, L.; Zhou, H. L.; Chen, Y.; Liu, L. X.; Lin, Y. C.; Jiang, S.; Huang, Y.; Duan, X. F. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2012, 109 (29) 11588-11592
31. Liao, L.; Lin, Y.-C.; Bao, M.; Cheng, R.; Bai, J.; Liu, Y.; Qu, Y.; Wang, K. L.; Huang, Y.; Duan, X. Nature 2010, 467, 305
32. Badmaev, A.; Che, Y. C.; Li, Z.; Wang, C.; Zhou, C. W. ACS Nano 2012, 6 (4) 3371-3376