The role of extended defects in device degradation

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 210, Issue 1, 2013, Pages 175-180

  Pantelides, Sokrates T ^a,b  

^a VANDERBILT UNIVERSITY   (United States)

^b OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

degradation; grain boundaries; impurities; interfaces

Indexed keywords

DEVICE DEGRADATION; DISLOCATION DENSITIES; DOPANT SEGREGATION; ELECTRICAL MEASUREMENT; ELECTRONIC DEVICE; EXTENDED DEFECT; HETERO-INTERFACES; HIGH-MOBILITY ELECTRONS; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR; MICRO VOIDS; MOSFETS; POLYCRYSTALLINE-SI; ROOM TEMPERATURE; SI-BASED; SINGLE-CRYSTAL FILMS; THEORETICAL CALCULATIONS;

DEFECTS; DEGRADATION; GRAIN BOUNDARIES; HYDROGEN; IMPURITIES; INTERFACES (MATERIALS); MOSFET DEVICES; POLYSILICON; SILICON CARBIDE;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 84872416890     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201200567     Document Type: Article

References (37)

1. A. Maiti, M. F. Chisholm, S. J. Pennycook, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 77, 1306 (1996).
2. M. Ramamoorthy, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 76, 4753 (1996).
3. M. F. Chisholm, A. Maiti, S. J. Pennycook, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 81, 132 (1998).
4. Y. Yan, M. F. Chisholm, G. Duscher, A. Maiti, S. J. Pennycook, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 81, 3675 (1998).
5. L. Tsetseris, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 97, 116101 (2006).
6. V. V. Afanasev, M. Bassler, G. Pensl, and, M. Schulz, Phys. Status Solidi A 162, 321 (1997).
7. S. T. Pantelides, L. Tsetseris, S. N. Rashkeev, X. J. Zhou, D. M. Fleetwood, and, R. D. Schrimpf, Microelectron. Reliab. 47, 903 (2007).
8. S. T. Pantelides, L. Tsetseris, M. J. Beck, S. N. Rashkeev, G. Hadjisavvas, I. G. Batyrev, B. R. Tuttle, A. G. Marinopoulos, X. J. Zhou, D. M. Fleetwood, and, R. D. Schrimpf, Solid State Electron. 54, 841 (2010).
9. S. N. Rashkeev, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 87, 165506 (2001).
10. E. W. Enlow, R. L. Pease, W. E. Combs, R. D. Schrimpf, and, R. N. Nowlin, IEEE Trans. Nucl. Sci. 38, 1342 (1991).
11. S. C. Witczak, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, K. F. Galloway, R. C. Lacoe, D. C. Mayer, J. M. Puhl, R. L. Pease, and, J. S. Suehle, IEEE Trans. Nucl. Sci. 44, (1989). (1997.
12. S. N. Rashkeev, C. R. Cirba, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, S. C. Witczak, A. Michez, and, S. T. Panelides, IEEE Trans. Nucl. Sci. 49, 2650 (2002).
13. S. C. Witczak, R. C. Lacoe, M. R. Shaneyfelt, D. C. Mayer, J. R. Schwank, and, P. S. Winokur, IEEE Trans. Nucl. Sci. 47, 2281 (2000).
14. C. T. Sah, J. Y. C. Sun, and, J. J. T. Tzou, Appl. Phys. Lett. 43, 204 (1983).
15. J. I. Pankove, D. E. Carlson, J. E. Berkeyheiser, and, R. O. Wance, Phys. Rev. Lett. 51, 2224 (1983).
16. N. M. Johnson, C. Herring, and, D. J. Chadi, Phys. Rev. Lett. 56, 760 (1986).
17. S. T. Pantelides, Appl. Phys. Lett. 60, 995 (1987).
18. P. J. H. Denteneer, C. G. Van de Walle, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. B 39, 10809 (1989).
19. P. E. Blöchl, C. G. Van de Walle, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 64, 1401 (1990).
20. S. N. Rashkeev, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, and, S. T. Pantelides, IEEE Trans. Nucl. Sci. 50, 1896-1900 (2003).
21. K. O. Jeppson, and, C. M. Svensson, J. Appl. Phys. 48, (2004). (1977.
22. D. K. Schroder, and, J. A. Babcock, J. Appl. Phys. 93, 1 (2003).
23. L. Tsetseris, X. J. Zhou, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, and, S. T. Pantelides, Appl. Phys. Lett. 86, 142103 (2005).
24. G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, M. Di Ventra, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, and, R. A. Weller, Appl. Phys. Lett. 76, 1713 (2000).
25. S. Wang, S. Dhar, S. Wang, A. C. Ahyi, A. Franceschetti, J. R. Williams, L. C. Feldman, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 98, 026101 (2007).
26. S. T. Pantelides, S. Wang, A. Franceschetti, R. Buczko, M. Di Ventra, S. N. Rashkeev, L. Tsetseris, M. H. Evans, I. G. Batyrev, L. C. Feldman, S. Dhar, K. McDonald, R. A. Weller, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, X. J. Zhou, J. R. Williams, C. C. Tin, G. Y. Chung, T. Isaacs-Smith, S. R. Wang, S. J. Pennycook, G. Duscher, K. van Benthem, and, L. M. Porter, Mater. Sci. Forum 527, 935 (2006).
27. S. Wang, M. Di Ventra, S. G. Kim, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 86, 5946 (2001).
28. X. Shen, and, S. T. Pantelides, Appl. Phys. Lett. 98, 053507 (2011).
29. R. Buczko, S. J. Pennycook, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 84, 943 (2000).
30. M. Ramamoorthy, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 76, 267 (1996).
31. M. Needels, J. D. Joannopoulos, Y. Bar-Yam, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. B 43, 4208 (1991).
32. M. Di Ventra, and, S. T. Pantelides, J. Electron. Mater. 29, 353 (2000).
33. R. Car, P. J. Kelly, A. Oshiyama, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 52, 1814 (1984); Phys. Rev. Lett. 54, 360 (1985).
34. C. G. Van de Walle, and, J. Neugebauer, J Appl. Phys. 95, 3851 (2004).
35. J. Joh, and, J. A. del Alamo, IEEE Electron Dev. Lett. 29, 287 (2008).
36. S. Y. Park, T. Lee, and, M. J. Kim, IEEE Trans. Electron. Mater. 11, 49 (2010).
37. K. H. Warnick, Y. Puzyrev, T. Roy, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, and, S. T. Pantelides, Phys. Rev. B 84, 214109 (2011).