Annealing-ambient-dependent thermal stability of ultrathin AlOxNy films grown by metalorganic chemical vapor deposition

Science of Advanced Materials

Volumn 4, Issue 10, 2012, Pages 1078-1084

  He, Gang ^a   Sun, Zhaoqi ^a   Chen, Hanshuang ^a   Fang, Zebo ^b   Chen, Xiaoshuang ^c   Wang, Peihong ^a   Shi, Shiwei ^a   Liu, Mao ^d  

^a ANHUI UNIVERSITY   (China)

^b SHAOXING UNIVERSITY   (China)

^c SHANGHAI INSTITUTE OF TECHNICAL PHYSICS   (China)

^d INSTITUTE OF SOLID STATE PHYSICS   (China)

Author keywords

High k gate dielectrics; Interfacial properties; Metalorganic chemical vapor deposition; Thermal stability

Indexed keywords

EID: 84871208166     PISSN: 19472935     EISSN: 19472943     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/sam.2012.1394     Document Type: Article

References (30)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. A. I. Kingon, J. P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature 406, 1032 (2000).
3. T. Tanimura, S. Toyoda, H. Kumigashira, M. Oshima, K. Ikeda, G. L. Liu, and Z. Liu, Appl. Phys. Lett. 92, 082903 (2008)
4. G. He, J. X. Zhang, L. Q. Zhu, M. Liu, Q. Fang, and L. D. Zhang, Nanotechnology 16, 1641 (2005).
5. G. He, M. Liu, L. Q. Zhu, M. Chang, Q. Fang, and L. D. Zhang, Surf. Sci. 576, 67 (2005).
6. G. He, X. L. Wang, M. Oshima, and Y. Shimogaki, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 031502 (2010).
7. R. S. Johnson, G. Lucovsky, and I. Baumvol, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1353 (2001).
8. T. M. Klein, D. Liu, W. S. Epling, W. Li, D. M. Mayer, C. C. Hobbs, R. I. Hedge, I. J. R. Baumvol, and G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 84, 3561 (2004).
9. S. Guha, E. P. Gusev, H. O.-Schmidt, M. Copel, L. A. Ragnarsson, and P. Ronsheim, Appl. Phys. Lett. 81, 2956 (2002).
10. K. P. Bastos, R. P. Pezzi, L. Miotti, G. V. Soares, C. Driemeier, J. Morais, I. J. R. Baumvol, C. Hinkle, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 84, 97 (2004).
11. M. Copel, E. Cartier, E. P. Gusev, S. Guha, N. Bojarczuk, and M. Poppeller, Appl. Phys. Lett. 78, 2670 (2001).
12. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
13. A. D. Katnani and K. I. Papathomas, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1335 (1987).
14. M. Ishida, I. Katakabe, T. Nakamura, and N. Ohtake, Appl. Phys.Lett. 52, 1326 (1988).
15. Q. Y. Shao, A. D. Li, H. Q. Ling, D. Wu, Y. Wang, Y. Feng, S. Z.Yang, Z. G. Liu, M. Wang, and N. B. Ming, Microelectron. Eng.66, 842 (2003).
16. W. W. Wang, T. Nabatame, and Y. Shimogaki, Jpn. J. Appl. Phys.43, L1445 (2004).
17. H. Watanabe, K. Kato, T. Uda, K. Fujita, M. Ichikawa, T. Kawamura, and K. Terakura, Phys. Rev. Lett. 80, 345 (1998).
18. J. C. Lee and S. J. Oh, Appl. Phys. Lett. 84, 3561 (2004).
19. M. Kundu, N. Miyata, and M. Ichikawa, J. Appl. Phys. 92, 1914 (2002).
20. H. Takahashi, J. Okabayashi, S. Toyoda, H. Kumigashira, M. Oshima, K. Ikeda, G. L. Liu, Z. Liu, and K. Usuda, J. Appl.Phys. 99, 113710 (2006).
21. L. G. Gosset, J. F. Damlencourt, O. Renault, Ph. Holliger, A. Ermolieff, I. Trimaille, J. J. Ganem, F. Martin, and M. N. Semeria, J. Non-Cryst. Solids 303, 17 (2002).
22. S. Iwata and A. Ishizaka, J. Appl. Phys. 79, 6653 (1996).
23. K. Y. Gao, F. Speck, K. Emtsev, T. Seyller, and L. Ley, J. Appl.Phys. 102, 094503 (2007).
24. H. Kageshima and K. Shiraishi, Appl. Surf. Sci. 130-132, 176 (1998).
25. C. Krug, E. B. O. da Rosa, R. M. C. de Almeida, J. Morais, I. J.R. Baumvol, T. D. M. Salgado, and F. C. Stedile, Phys. Rev. Lett.85, 4120 (2000).
26. Z. Ming, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, M. Uematsu, K. Torii, S. Kamiyama, Y. Nara, and K. Yamada, Appl. Phys. Lett. 88, 153516 (2006).
27. D. Briggs and M. P. Seah, Practical Surface Analysis by Auger and X-Ray Photoelectron Spectroscopy, Wily, New York (1983).
28. S. Wannaparhum, S. Seal, and V. Desai, Appl. Surf. Sci. 185, 183 (2002).
29. Y. S. Min, Y. J. Cho, and C. S. Hwang, Chem. Mater. 17, 626 (2005).
30. Y. Cho, Y. Kim, E. R. Weber, S. Ruvimov, and Z. Liliental-Weber, J. Appl. Phys. 85, 7909 (1999).