Thermal stability of surface and interface structure of atomic layer deposited Al2 O3 on H-terminated silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 9, 2007, Pages

  Gao, K Y ^a   Speck, F ^a   Emtsev, K ^a   Seyller, Th ^a   Ley, L ^a  

^a UNIVERSITY OF ERLANGEN NUREMBERG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMIC LAYER DEPOSITION; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; INTERFACES (MATERIALS); SILICON; SYNCHROTRON RADIATION; THERMODYNAMIC STABILITY;

HYDROGEN-TERMINATED SILICON; STRESS-INDUCED EMISSION; TOTAL REFRACTION MODE;

ALUMINA;

EID: 36248976474     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2803727     Document Type: Article

References (41)

1. Semiconductor Industry Association, International Technology Roadmap for Semiconductors at http://public.itrs.net.
2. S. K. Kim and C. S. Hwang, J. Appl. Phys. 96, 2323 (2004).
3. R. S. Johnson, G. Lucovsky, and I. Baumvol, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1353 (2001).
4. M. Cho, H. B. Park, J. Park, C. S. Hwang, J. C. Lee, S. J. Oh, J. Jeong, K. S. Hyun, H. S. Kang, Y. W. Kim, and J. H. Lee, J. Appl. Phys. 94, 2563 (2003).
5. M. Park, J. Koo, J. Park, J. Kim, H. Jeon, C. Bae, and C. Krug, Appl. Phys. Lett. 86, 252110 (2005).
6. H. S. Chang, S. Jeon, H. Hwang, and D. W. Moon, Appl. Phys. Lett. 80, 3385 (2002).
7. N. L. Zhang, Z. T. Song, Q. W. Shen, Y. J. Wu, Q. B. Liu, C. L. Lin, X. Z. Duo, L. R. Zheng, Y. F. Ding, and Z. Q. Zhu, Appl. Phys. Lett. 83, 5238 (2003).
8. A. W. Ott, J. W. Klaus, J. M. Johnson, and S. M. George, Thin Solid Films 292, 135 (1997).
9. G. S. Higashi and C. G. Fleming, Appl. Phys. Lett. 55, 1963 (1989).
10. G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett. 56, 656 (1990).
11. Y. Morita and H. Tokumoto, Appl. Phys. Lett. 67, 2654 (1995).
12. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
13. K. Y. Gao, F. Speck, K. Emtsev, T. Seyller, L. Ley, M. Oswald, and W. Hansch, Phys. Status Solidi A 203, 2194 (2006).
14. Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and V. A. Burrows, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2104 (1989).
15. V. A. Burrows, Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and S. B. Christman, Appl. Phys. Lett. 53, 998 (1988).
16. L. G. Gosset, J.-F. Damlencourt, O. Renault, D. Rouchon, Ph. Holliger, A. Ermolieff, I. Trimaille, J.-J. Ganem, F. Martin, and M.-N. Semeria, J. Non-Cryst. Solids 303, 17 (2002).
17. S. Jakschik, U. Schroeder, T. Hecht, M. Gutsche, H. Seidl, and J. W. Bartha, Thin Solid Films 425, 216 (2003).
18. F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J. A. Yarmoff, and G. Hollinger, Phys. Rev. B 38, 6084 (1988).
19. T. Hattori, Appl. Surf. Sci. 130-132, 156 (1998).
20. J. H. Oh, H. W. Yeom, Y. Hagimoto, K. Ono, M. Oshima, N. Hirashita, M. Nywa, A. Toriumi, and A. Kakizaki, Phys. Rev. B 63, 205310 (2001).
21. C. H. Bjorkman, J. L. Alay, H. Nishimura, M. Fukuda, T. Yamazaki, and M. Hirose, Appl. Phys. Lett. 67, 2049 (1995).
22. A. J. Lock and H. J. Bakker, J. Chem. Phys. 117, 1708 (2002) and references therein.
23. J. C. Lee and S. J. Oh, Appl. Phys. Lett. 84, 3561 (2004).
24. M. Cardona and L. Ley, Photoemission in Solids I, Topics in Applied Physics Vol. 26 (Springer-Verlag, Berlin 1978), p. 60.
25. K. L. Brower, Phys. Rev. B 38, 9657 (1988).
26. A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. 68, 2076 (1996).
27. M. Kundu, M. Ichikawa, and N. Miyata, J. Appl. Phys. 91, 492 (2002).
28. C. Krug, E. B. O. da Rosa, R. M. C. de Alameida, J. Morais, I. J. R. Baumvol, T. D. M. Salgado, and F. C. Stedile, Phys. Rev. Lett. 85, 4120 (2000).
29. H. Kageshima, K. Shiraishi, and M. Uematsu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.38.L971 38, L971 (1999); H. Kageshima and K. Shiraishi, Appl. Surf. Sci. 130-132, 176 (1998).
30. H. Kageshima, K. Shiraishi, and M. Uematsu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.38.L971 38, L971 (1999); H. Kageshima and K. Shiraishi, Appl. Surf. Sci. 130-132, 176 (1998).
31. Z. Ming, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, M. Uematsu, K. Torii, S. Kamiyama, Y. Nara, and K. Yamada, Appl. Phys. Lett. 88, 153516 (2006).
32. L. Ley, J. Reichardt, and R. L. Johnson, Phys. Rev. Lett. 49, 1664 (1982).
33. M. Wilde, M. Matsumoto, K. Fukutani, Z. Liu, K. Ando, Y. Kawashima, and S. Fujieda, J. Appl. Phys. 92, 4320 (2002).
34. I. S. Jeon, J. Park, D. Eom, C. S. Hwang, H. J. Kim, C. J. Park, H. Y. Cho, J. Lee, N. Lee, and H. Kang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 1222 (2003).
35. P. Ericson, S. Bergtssen, and J. Skarp, Microelectron. Eng. 36, 91 (1997).
36. G. Grube, A. Schneider, U. Esch, and M. Flad, Z. Anorg. Chem. 260, 120 (1949).
37. H. M. Manasevit and W. J. Simpson, J. Appl. Phys. 35, 1349 (1964).
38. C. D. Lien, M. A. Nicolet, and S. S. Lau, Thin Solid Films 143, 63 (1986).
39. G. W. Rubloff, R. M. Tromp, and E. J. van Loenen, Appl. Phys. Lett. 48, 1600 (1986).
40. M. Copel, E. Cartier, E. P. Gusev, S. Guha, N. Bojarczuk, and M. Poppeller, Appl. Phys. Lett. 78, 2670 (2001).
41. Y. Takakuwa, M. Nihei, and N. Miyamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L480 (1993).