Robustness of ultrathin aluminum oxide dielectrics on Si(001)

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 18, 2001, Pages 2670-2672

  Copel, M ^a   Cartier, E ^a   Gusev, E P ^a   Guha, S ^a   Bojarczuk, N ^a   Poppeller, M ^a  

^a IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035971779     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1367902     Document Type: Article

References (17)

1. A. I. Kingon, J. P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000).
2. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. (in press).
3. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
4. H. Iizuka, K. Yokoo, and S. Ono, Appl. Phys. Lett. 61, 2978 (1992).
5. H. Wado, T. Shimizu, and M. Ishida, Appl. Phys. Lett. 67, 2200 (1995).
6. G. S. Higashi and C. G. Fleming, Appl. Phys. Lett. 55, 1963 (1989).
7. M. Ritala and M. Leskela, Appl. Surf. Sci. 75, 333 (1994).
8. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 76 (2000).
9. T. M. Klein, D. Niu, W. S. Epling, W. Li, D. M. Maher, C. Hobbes, R. Hedge, I. J. R. Baumvol, and G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 75, 4001 (1999).
10. D. G. Park, H. J. Cho, I.-S. Yco, J.-S. Roh, and J.-M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 77, 2207 (2000).
11. D. Buchanan et al., Tech. Digest Int. Electron Devices Meet. 223 (2000).
12. C. Krug, E. B. da Rosa, R. M. C. de Almeida, J. Morais, I. J. R. Baumvol, T. D. M. Salgado, and F. C. Stedile, Phys. Rev. Lett. 85, 4120 (2000).
13. B. W. Busch, W. H. Schulte, E. Garfunkel, T. Gustafsson, W. Qi, R. Nieh, and J. Lee, Phys. Rev. B 62, R13290 (2000).
14. J. F. van der Veen. Surf Sci. Rep. 5, 199 (1985).
15. M. Copel, IBM J. Res. Dev. 44, 571 (2000).
16. R. Tromp, G. W. Rubloff, P. Balk, F. K. LeGoues, and E. J. van Loenen, Phys. Rev. Lett. 55, 2332 (1985).
17. H. M. Manasevit and W. J. Simpson, J. Appl. Phys. 35, 1349 (1964).