Thermal stability of plasma-nitrided aluminum oxide films on Si

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 1, 2004, Pages 97-99

  Bastos, K P ^a   Pezzi, R P ^a   Miotti, L ^a   Soares, G V ^a   Driemeier, C ^a   Morais, J ^a   Baumvol, I J R ^b   Hinkle, C ^c   Lucovsky, G ^c  

^a FEDERAL UNIVERSITY OF RIO GRANDE DO SUL   (Brazil)

^b UNIVERSITY OF CAXIAS DO SUL   (Brazil)

^c NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

REMOTE PLASMA-ASSISTED NITRIDATION; THERMAL PROCESSING;

ALUMINA; CRYSTALLIZATION; ELECTRONIC DENSITY OF STATES; INTERFACES (MATERIALS); METALLIC FILMS; OXIDATION; OXYGEN; PLASMAS; PROTON BEAMS; RAPID THERMAL ANNEALING; THERMODYNAMIC STABILITY;

SILICON WAFERS;

EID: 0942299983     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1638629     Document Type: Article

References (20)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. A. Kingon, J.-P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000).
3. M. Copel, E. Cartier, E. P. Gusev, S. Guha, N. Bojarczuck, and M. Poppeler, Appl. Phys. Lett. 78, 2670 (2001).
4. C. Hinkle and G. Lucovsky, Appl. Surf. Sci. 216, 124 (2003).
5. M. S. Akbar, S. Gopalan, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Choi, R. Nieh, C. S. Kang, Y. H. Kim, J. Han, S. Krishnan, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 1757 (2003).
6. M. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, A. LiFatou, J. J. Chambers, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 82, 4669 (2003).
7. M. R. Visokay, J. J. Chambers, A. L. P. Rotondaro, A. Shanware, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 80, 3183 (2002).
8. K. P. Bastos, J. Morals, L. Miotti, R. P. Pezzi, G. V. Soares, I. J. R. Baumvol, H.-H. Tseng, R. I. Hegde, and P. J. Tobin, Appl. Phys. Lett. 81, 1669 (2002).
9. M. Koyama, A. Kaneko, T. Ino, M. Koike, Y. Kamata, R. Iijima, Y. Kamimuta, A. Takashima, M. Suzuki, C. Hongo, S. Inumiya, M. Takayanagi, and A. Nishiyama, Tech, Dig.-Int. Electron Devices Meet, 2002, 235 (2002).
10. C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopalan, S Krishnan, J. H. Han, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 2593 (2002).
11. C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Choi, R. Nieh, S. Gopalan, S. Krishnan, and J. C. Lee, 2002 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers (IEEE, Piscataway, NJ, 2002), p. 146.
12. G. B. Rayner, Jr, D. Kang, Y. Zhang, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1748 (2002).
13. H. Nimi, A. Khandelwal, H. H. Lamb, and G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 91, 48 (2002).
14. C. Krug, E. B. O. da Rosa, R. M. C. de Almeida, J. Morais, I. J. R. Baumvol, T. D. M. Salgado, and F. C. Stedile, Phys. Rev. Lett. 85, 4120 (2000).
15. E. B. O. da Rosa, I. J. R. Baumvol, J. Morais, R. M. C. de Almeida, R. M. Papaleo, and F. C. Stedile, Phys. Rev. B 86, 12 130 (2002).
16. I. J. R. Baumvol, Surf. Sci. Rep. 36, 1 (1999).
17. M. Frank, Y. Chabal, M. L. Green, A. Delabie, B. Brijs, E. B. O. da Rosa, I. J. R. Baumvol, and F. C. Stedile, Appl. Phys. Lett. 83, 740 (2003).
18. E. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
19. S. Guha, E. P. Gusev, H. Okorn-Schmidt, M. Copel, L.-A. Ragnarsson, and P. Ronsheim, Appl. Phys. Lett. 81, 2956 (2002).
20. M. Copel, Phys. Rev. Lett. 86, 4713 (2001).