Chemical vapor deposition of manganese metallic films on silicon oxide substrates

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 116, Issue 44, 2012, Pages 23585-23595

  Sun, Huaxing ^a   Zaera, Francisco ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS; EFFECTIVE DIFFUSION; ELECTRON-IMPACT; GASPHASE; METAL-ORGANIC COMPLEXES; NONSTOICHIOMETRIC; SILICIDE LAYERS; SILICON OXIDE SUBSTRATES;

CARBON FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DECOMPOSITION; MANGANESE OXIDE; METALLIC FILMS; PHOTOELECTRONS; SILICATES; SILICIDES; SILICON OXIDES; VAPORS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

MANGANESE;

EID: 84868705802     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp309083a     Document Type: Article

References (55)

1. Kapteijn, F.; Vanlangeveld, A. D.; Moulijn, J. A.; Andreini, A.; Vuurman, M. A.; Turek, A. M.; Jehng, J. M.; Wachs, I. E. J. Catal. 1994, 150, 94-104
2. Thackeray, M. M. Prog. Solid State Chem. 1997, 25, 1-71
3. Wen-bin, S.; Durose, K.; Brinkman, A. W.; Tanner, B. K. Mater. Chem. Phys. 1997, 47, 75-77
4. Winter, M.; Besenhard, J. O.; Spahr, M. E.; Novák, P. Adv. Mater. 1998, 10, 725-763
5. Topol, A. W.; Dunn, K. A.; Barth, K. W.; Nuesca, G. M.; Taylor, B. K.; Dovidenko, K.; Kaloyeros, A. E.; Tuenge, R. T.; King, C. N. J. Mater. Res. 2004, 19, 697-706
6. Nakamura, T.; Tai, R.; Nishimura, T.; Tachibana, K. J. Electrochem. Soc. 2005, 152, C584-C587
7. Shukla, A. K.; Prem Kumar, T. Curr. Sci. 2008, 94, 314-331
8. Bélanger, D.; Brousse, T.; Long, J. W. Electrochem. Soc. Interface 2008, 17, 49-52
9. Xu, C.; Kang, F.; Li, B.; Du, H. J. Mater. Res. 2010, 25, 1421-1432
10. Leskelä, M.; Ritala, M. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 5548-5554
11. Zaera, F. J. Mater. Chem. 2008, 18, 3521-3526
12. Kim, H.; Lee, H.-B.-R.; Maeng, W. J. Thin Solid Films 2009, 517, 2563-2580
13. George, S. M. Chem. Rev. 2010, 110, 111-131
14. Marin, E.; Lanzutti, A.; Andreatta, F.; Lekka, M.; Guzman, L. Corros. Rev. 2011, 29, 191-208
15. Elam, J. W.; Dasgupta, N. P.; Prinz, F. B. MRS Bull. 2011, 36, 899-906
16. Koike, J.; Wada, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 041911
17. Neishi, K.; Aki, S.; Matsumoto, K.; Sato, H.; Itoh, H.; Hosaka, S.; Koike, J. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 032106
18. Au, Y.; Lin, Y.; Kim, H.; Beh, E.; Liu, Y.; Gordon, R. G. J. Electrochem. Soc. 2010, 157, D341-D345
19. Au, Y.; Lin, Y.; Gordon, R. G. J. Electrochem. Soc. 2011, 158, D248-D253
20. Putkonen, M.; Niinistö, L. Top. Organomet. Chem. 2005, 9, 125-145
21. Zaera, F. J. Phys. Chem. Lett. 2012, 3, 1301-1309
22. Pain, G. N.; Bharatula, N.; Christiansz, G. I.; Kibel, M. H.; Kwietniak, M. S.; Sandford, C.; Warminski, T.; Dickson, R. S.; Rowe, R. S.; McGregor, K. J. Cryst. Growth 1990, 101, 208-210
23. Russell, D. K.; Davidson, I. M. T.; Ellis, A. M.; Mills, G. P.; Pennington, M.; Povey, I. M.; Raynor, J. B.; Saydam, S. Chem. Vap. Deposition 1998, 4, 103-107
24. Almond, M. J.; Redman, H.; Rice, D. A. J. Mater. Chem. 2000, 10, 2842-2846
25. Wen-bin, S.; Durose, K.; Brinkman, A. W.; Woods, J. J. Cryst. Growth 1991, 113, 1-8
26. Burton, B. B.; Fabreguette, F. H.; George, S. M. Thin Solid Films 2009, 517, 5658-5665
27. Maruyama, T.; Osaki, Y. J. Electrochem. Soc. 1995, 142, 3137-3141
28. Gorbenko, O. Y.; Graboy, I. E.; Amelichev, V. A.; Bosak, A. A.; Kaul, A. R.; Güttler, B.; Svetchnikov, V. L.; Zandbergen, H. W. Solid State Commun. 2002, 124, 15-20
29. Nilsen, O.; Fjellvåg, H.; Kjekshus, A. Thin Solid Films 2003, 444, 44-51
30. Rao, B.; Gaskell, D. Metall. Mater. Trans. B 1981, 12, 311-317
31. Eriksson, G.; Wu, P.; Blander, M.; Pelton, A. D. Can. Metall. Q. 1994, 33, 13-21
32. Zaitsev, A. I.; Mogutnov, B. M. Inorg. Mater. 1997, 33, 823-831
33. Thermochemical Properties of Inorganic Substances, 1 st ed.; Knacke, O.; Kubaschewski, O.; Hesselmann, K., Eds.; Springer-Verlag: Berlin, 1973.
34. Tiznado, H.; Zaera, F. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 13491-13498
35. Bouman, M.; Zaera, F. J. Electrochem. Soc. 2011, 158, D524-D526
36. Knapas, K.; Ritala, M. Chem. Mater. 2011, 23, 2766-2771
37. Usui, T.; Nasu, H.; Takahashi, S.; Shimizu, N.; Nishikawa, T.; Yoshimaru, M.; Shibata, H.; Wada, M.; Koike, J. IEEE Trans. Electron Devices 2006, 53, 2492-2499
38. Haneda, M.; Iijima, J.; Koike, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 252107
39. Koike, J.; Haneda, M.; Iijima, J.; Otsuka, Y.; Sako, H.; Neishi, K. J. Appl. Phys. 2007, 102, 043527
40. Barison, S.; Battaglin, G.; Bertoncello, R.; Cattaruzza, E.; Mascolo, A.; Mazzoldi, P.; Ruzzi, M.; Trivillin, F. J. Mater. Chem. 1999, 9, 2929-2933
41. Sun, H.; Qin, X.; Zaera, F. J. Phys. Chem. Lett. 2011, 2, 2525-2530
42. Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy; Wagner, C. D.; Riggs, W. M.; Davis, L. E.; Moulder, J. F.; Muilenberg, G. E., Eds.; Perkin-Elmer Corporation: Eden Prairie, MN, 1978.
43. Ma, Q.; Guo, H.; Gordon, R. G.; Zaera, F. Chem. Mater. 2011, 23, 3325-3334
44. Ma, Q.; Zaera, F.; Gordon, R. G. J. Vac. Sci. Technol., A 2012, 30, 01A114
45. XPS Atomic Sensitivity Factors versus Atomic Number. In Practical Surface Analysis. Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy; Briggs, D.; Seah, M. P., Eds.; John Wiley and Sons: Chichester, U.K., 1990; Vol. 1.
46. Lim, B. S.; Rahtu, A.; Park, J. S.; Gordon, R. G. Inorg. Chem. 2003, 42, 7951-7958
47. Sun, H.; Qin, X.; Zaera, F. J. Phys. Chem. Lett. 2012, 3, 2523-2527
48. Qin, X.; Sun, H.; Zaera, F. J. Vac. Sci. Technol., A 2012, 30, 01A112
49. Seah, M. P.; Dench, W. A. Surf. Interface Anal. 1979, 1, 2-11
50. Au, Y.; Min Wang, Q.; Li, H.; Lehn, J. S. M.; Shenai, D. V.; Gordon, R. G. J. Electrochem. Soc. 2012, 159, D382-D385
51. Iijima, J.; Fujii, Y.; Neishi, K.; Koike, J. J. Vac. Sci. Technol., B 2009, 27, 1963-1968
52. Tiznado, H.; Bouman, M.; Kang, B.-C.; Lee, I.; Zaera, F. J. Mol. Catal. A 2008, 281, 35-43
53. Ma, Q.; Guo, H.; Gordon, R. G.; Zaera, F. Chem. Mater. 2010, 22, 352-359
54. Lim, B. S.; Rahtu, A.; Gordon, R. G. Nat. Mater. 2003, 2, 749-754
55. Dai, M.; Kwon, J.; Halls, M. D.; Gordon, R. G.; Chabal, Y. J. Langmuir 2010, 26, 3911-3917