Thickness study of AZO films by RF sputtering in Ar + H 2 atmosphere at room temperature

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 209, Issue 7, 2012, Pages 1251-1258

  Zhu, B L ^a   Wang, J ^a   Zhu, S J ^a   Wu, J ^a   Zeng, D W ^b   Xie, C S ^b  

^a WUHAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (China)

^b HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

AZO; bandgap; doping; electrical resistivity; magnetron sputtering; ZnO

Indexed keywords

AL-DOPED ZNO; AZO; AZO FILMS; BOUNDARY SCATTERING; CRYSTALLINITIES; EFFECT FACTORS; ELECTRICAL RESISTIVITY; FIGURES OF MERITS; GLASS SUBSTRATES; RF-MAGNETRON SPUTTERING; RF-SPUTTERING; ROOM TEMPERATURE; SCATTERING MECHANISMS; THIN-FILM SOLAR CELLS; TRANSPARENT CONDUCTIVE; VISIBLE RANGE; ZNO;

CARRIER CONCENTRATION; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC CONDUCTIVITY; ENERGY GAP; FILM THICKNESS; MAGNETRON SPUTTERING; OPTICAL FILMS; OPTICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTOR DOPING; SUBSTRATES; SURFACE ROUGHNESS; ZINC OXIDE;

ATMOSPHERIC TEMPERATURE;

EID: 84863692933     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201228014     Document Type: Article

References (43)

1. T. Minami, Thin Solid Films 516, 5822 (2008).
2. C. G. Granqvist, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 91, 1529 (2007).
3. Y. D. Liu, and, J. S. Lian, Appl. Surf. Sci. 253, 3727 (2007).
4. K. C. Lai, C. C. Liu, C. H. Lu, C. H. Yeh, and, M. P. Houng, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 94, 397 (2010).
5. K. Ellmer, J. Phys. D, Appl. Phys. 34, 3097 (2001).
6. Z. A. Wang, J. B. Chu, H. B. Zhu, Z. Sun, Y. W. Chen, and, S. M. Huang, Solid-State Electron. 53, 1149 (2009).
7. J. L. Chen, D. Chen, and, Z. H. Chen, Mater. Sci. Technol. 26, 47 (2010).
8. L. Dghoughi, F. Ouachtari, M. Addou, B. Elidrissi, H. Erguig, A. Rmili, and, A. Bouaoud, Physica B 405, 2277 (2010).
9. L. Gong, Z. Z. Ye, J. G. Lu, L. P. Zhu, J. Y. Huang, X. Q. Gu, and, B. H. Zhao, Vacuum 84, 947 (2010).
10. M. E. Fragala, G. Malandrino, M. M. Giangregorio, M. Losurdo, G. Bruno, S. Lettieri, L. S. Amato, and, P. Maddalena, Chem. Vapor Depos. 15, 327 (2009).
11. K. Ellmer, J. Phys. D, Appl. Phys. 33, R17 (2000).
12. X. J. Wang, Q. S. Lei, W. Xu, W. L. Zhou, and, J. Yu, Mater. Lett. 63, 1371 (2009).
13. W. F. Yang, Z. G. Liu, D. L. Peng, F. Zhang, H. L. Huang, Y. N. Xie, and, Z. Y. Wu, Appl. Surf. Sci. 255, 5669 (2009).
14. T. Minami, H. Sato, H. Imamoto, and, S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L257 (1992).
15. J. Hong, H. Paik, H. Hwang, S. Lee, A. J. deMello, and, K. No, Phys. Status Solidi A 206, 697 (2009).
16. R. T. Wen, L. S. Wang, X. Wang, G. H. Yue, Y. Z. Chen, and, D. L. Peng, J. Alloys Compd. 508, 370 (2010).
17. J. H. Lee, and, J. T. Song, Thin Solid Films 516, 1377 (2008).
18. S. Fernandez, and, F. B. Naranjo, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 94, 157 (2010).
19. S. Sutthana, N. Hongsith, and, S. Choopun, Curr. Appl. Phys. 10, 813 (2010).
20. C. Guillen, and, J. Herrero, Phys. Status Solidi A 207, 1563 (2010).
21. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
22. M. C. Li, C. C. Kuo, S. H. Peng, S. H. Chen, and, C. C. Lee, Appl. Opt. 50, C197 (2011).
23. Y. H. Kim, S. Zh. Karazhanov, and, W. M. Kim, Phys. Status Solidi B 248, 1702 (2011).
24. J. L. Chung, J. C. Chen, and, C. J. Tseng, Appl. Surf. Sci. 255, 2494 (2008).
25. L. Y. Chen, W. H. Chen, J. J. Wang, F. C. N. Hong, and, Y. K. Su, Appl. Phys. Lett. 85, 5628 (2004).
26. P. F. Cai, J. B. You, X. W. Zhang, J. J. Dong, X. L. Yang, Z. G. Yin, and, N. F. Chen, J. Appl. Phys. 105, 83713 (2009).
27. S. H. Lee, T. S. Lee, K. S. Lee, B. Cheong, Y. D. Kim, and, M. Kim, J. Electroceram. 23, 468 (2009).
28. X. T. Hao, F. R. Zhu, K. S. Ong, and, L. W. Tan, Semicond. Sci. Technol. 21, 48 (2006).
29. J. N. Duenow, T. A. Gessert, D. M. Wood, A. C. Dillon, and, T. J. Coutts, J. Vac. Sci. Technol. A 26, 692 (2008).
30. O. Kappertz, R. Drese, and, M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 2084 (2002).
31. B. C. Mohanty, Y. H. Jo, D. H. Yeon, I. J. Choi, and, Y. S. Cho, Appl. Phys. Lett. 95, 62103 (2009).
32. B. Z. Dong, G. J. Fang, J. F. Wang, W. J. Guan, and, X. Z. Zhao, J. Appl. Phys. 101, 33713 (2007).
33. J. A. Thornton, J. Vac. Sci. Technol. 12, 830 (1975).
34. J. H. Lee, J. Electroceram. 23, 512 (2009).
35. X. H. Yu, J. Ma, F. Ji, Y. H. Wang, C. F. Cheng, and, H. L. Ma, Appl. Surf. Sci. 245, 310 (2005).
36. M. L. Addonizio, A. Antonaia, G. Cantele, and, C. Privato, Thin Solid Films 349, 93 (1999).
37. W. M. Kim, Y. H. Kim, J. S. Kim, J. Jeong, Y. J. Baik, J. K. Park, K. S. Lee, and, T. Y. Seong, J. Phys. D, Appl. Phys. 43, 365406 (2010).
38. R. E. I. Schropp, and, A. Madan, J. Appl. Phys. 66, 2027-2031 (1989).
39. Y. Kayanuma, Phys. Rev. B 38, 9797 (1988).
40. S. Barik, A. K. Srivastava, P. Misra, R. V. Nandedkar, and, L. M. Kukreja, Solid State Commun. 127, 463 (2003).
41. B. Z. Dong, H. Hu, G. J. Fang, X. Z. Zhao, D. Y. Zheng, and, Y. P. Sun, J. Appl. Phys. 103, 73711 (2008).
42. A. V. Singh, R. M. Mehra, A. Yoshida, and, A. Wakahara, J. Appl. Phys. 95, 3640 (2004).
43. J. G. Lu, S. Fujita, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, T. Ohshima, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, Y. Z. Zhang, L. P. Zhu, H. P. He, and, B. H. Zhao, J. Appl. Phys. 101, 83705 (2007).