Structural, optical, and electrical characterization of ZnO and Al-doped ZnO thin films deposited by MOCVD

Chemical Vapor Deposition

Volumn 15, Issue 10-12, 2009, Pages 327-333

  Fragalà, Maria Elena ^a   Malandrino, Graziella ^a   Giangregorio, Maria Michela ^b   Losurdo, Maria ^b   Bruno, Giovanni ^b   Lettieri, Stefano ^c   Amato, Luigi Santamaria ^c   Maddalena, Pasquale ^c  

^a UNIVERSITY OF CATANIA   (Italy)

^b CNR   (Italy)

^c INFM   (Italy)

Author keywords

Azo; MOCVD; Transparent conductive oxide; ZnO

Indexed keywords

AL-DOPED ZINC OXIDE FILMS; AL-DOPED ZNO; AL-DOPING; AZO FILMS; BLUE SHIFT; CRYSTAL QUALITIES; DEPOSITED FILMS; ELECTRICAL CHARACTERIZATION; ELECTRICAL PERFORMANCE; FABRICATION METHOD; GRAIN SIZE; LIQUID PRECURSORS; METAL-ORGANIC; MOCVD; MULTI-METALS; RESISTIVITY VALUES; SURFACE INTEGRITY; TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE; TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES; VISIBLE REGION; ZNO;

ALUMINUM; CARRIER MOBILITY; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CONDUCTIVE FILMS; DOPING (ADDITIVES); OPTICAL FILMS; ORGANIC POLYMERS; REFRACTIVE INDEX; ZINC; ZINC OXIDE;

OXIDE FILMS;

EID: 73849122131     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200906790     Document Type: Article

References (40)

1. E. Fortunato, D. Ginley, H. Hosono, D. C. Paine, MRS Bull. 2007, 32, 242.
2. B. J. Ingram, G. B. Gonzalez, D. R. Kammler, M. I. Bertoni, T. O. Mason, J. Electroceram. 2004, 13, 167.
3. H. Liang, R. G. Gordon, J. Mater. Sci. 2007, 42, 6388.
4. Ü. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogǧan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoç, J. Appl. Phys. 2005, 98, 041301.
5. Z. L. Wang, Appl. Phys. A 2007, 88, 7.
6. L.-S. Hsu, C. S. Yeha, C. C. Kuo, B. R. Huang, S. Dhar, J. Optoelectron. Adv. Mater. 2005, 7, 3039.
7. S. Mridha, D. Basak, J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 6902.
8. M. Suchea, S. Christoulakis, N. Katsarakis, T. Kitsopoulos, G. Kiriakidis, Thin Solid Films 2007, 515, 6562.
9. J. G. Lu, S. Fujita, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, T. Ohshima, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, Y. Z. Zhang, L. P. Zhu, H. P. He, B. H. Zhao, J. Appl. Phys. 2007, 101, 083705.
10. S. H. Jeong, B. N. Park, D. G. Yoo, J. H. Boo, J. Korean Phys. Soc. 2007, 50, 622.
11. B.-Z. Dong, H. Hu, G. J. Fang, X. Z. Zhao, D. Y. Zheng, Y. P. Sun, J. Appl. Phys. 2008, 103, 073711.
12. R. Romero, D. Leinen, E. A. Dalchiele, J. R. Ramos-Burrado, F. Martin, Thin Solid Films 2006, 515, 1942.
13. M. A. Kaid, A. Ashour, Appl. Surf. Sci. 2007, 253, 3029.
14. S. Y. Kuo, W. C. Chen, F. I. Lai, C. P. Cheng, H. C. Kuo, S. C. Wang, W. F. Hsieh, J. Cryst. Growth 2006, 287, 78.
15. M. Volintiru, B. Creatore, J. Kniknie, C. I. M. A. Spee, M. C. M. van de Sanden, J. Appl. Phys. 2007, 102, 043709.
16. G. Malandrino, M. Blandino, M. E. Fragalà, M. Losurdo, G. Bruno, J. Phys. Chem. 2008, 112, 9595.
17. A. A. Scalisi, R. G. Toro, G. Malandrino, M. E. Fragalà, G. Pezzotti, Chem. Vap. Deposition 2008, 14, 115.
18. G. Malandrino, M. Blandino, L. M. S. Perdicaro, I. L. Fragalà, P. Rossi, P. Dapporto, Inorg. Chem. 2005, 44, 9684.
19. [a)]G. Malandrino, G. G. Condorelli, R. Lo Nigro, Chem. Vap. Deposition 2004, 10, 171
20. [b)]R. Lo Nigro, R. G. Toro, G. Malandrino, I. L. Fragalà, Chem. Mater. 2007, 19, 4442.
21. H. Gomez-Pozos, A. Maldonad, M. de la Olvera, Mater. Lett. 2007, 61, 1460.
22. M. E. Fragalà, G. Malandrino, Microelectron. J. 2009, 40, 381.
23. S. Adachi, Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information, Kluwer Academic Publishers, Boston 1999, pp. 420-424.
24. K. C. Park, D. Y. Ma, K. H. Kim, Thin Solid Films 1999, 305, 20.
25. S. H. Jeong, B. N. Park, S. B. Lee, J.-H. Boo, Surf. Coat. Technol. 2005, 193, 340.
26. I. Volintiru, M. Creatore, B. J. Kniknie, C. I. M. A. Spee, M. C. M. van de Sanden, J. Appl. Phys. 2007, 102, 043709.
27. A. P. Roth, J. B. Webb, D. F. Williams, Phys. Rev. B 1982, 25, 7836.
28. B. E. Sernelius, K. F. Berggren, Z. C. Jin, I. Hamberg, C. Granqvist, Phys. Rev. B 1988, 37, 10244.
29. I. Volintiru, M. Creatore, M. C. M. van de Sanden, J. Appl. Phys. 2008, 103, 033704.
30. K. Postava, H. Sueki, M. Aoyama, T. Yamaguchi, K. Murakami, Y. Igasaki, Appl. Surf. Sci. 2001, 543, 175.
31. Y. Igasaki, H. Saito, J. Appl. Phys. 1991, 70, 3613.
32. [a)]S.-Y. Kuo, W. C. Chen, F.-I. Lai, C.-P. Cheng, H.-C. Kuo, S.-C. Wang, W.-F. Hsieh, J. Cryst. Growth 2006, 287, 78;
33. [b)] S. Muthukumar, C. R. Gorla, N. W. Emanetoglu, S. Liang, Y. Lu, J. Cryst. Growth 2001, 225, 197;
34. [c)] J. Sun, T. Yang, G. Du, H. Liang, J. Bian, L. Hu, Appl. Surf. Sci. 2006, 253, 2066;
35. [d)]Y. Zhang, G. Du, B. Zhang, Y. Cui, H. Zhu, Y. Chang, Semicond. Sci. Technol. 2005, 20, 1132;
36. [e)] S. T. Tan, B. J. Chen, X. W. Sun, X. Hu, X. H. Zhang, S. J. Chu, J. Cryst. Growth 2005, 28, 1571.
37. S. T. Tan, B. J. Chen, X. W. Sun, M. B. Yu, X. H. Zhang, S. S. Chua, J. Electron Mater. 2005, 34, 1172.
38. S. Y. W. John, J. Appl. Phys. 1975, 46, 5247.
39. Y. G. Wang, S. P. Lau, X. H. Zhang, H. H. Hng, H. W. Lee, S. F. Yu, B. K. Tay, J. Cryst. Growth 2003, 259, 335.
40. T. Koida, S. F. Chichibu, A. Uedono, A. Tsukazaki, M. Kawasaki, T. Sota, Y. Segawa, H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 532.