Effect of graded Al xGa 1-xN layers on the properties of GaN grown on patterned Si substrates

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 2 PART 1, 2012, Pages

  Hsiao, Yu Lin ^a   Lu, Lung Chi ^a   Wu, Chia Hsun ^a   Chang, Edward Yi ^a   Kuo, Chien I ^a   Maa, Jer Shen ^a   Lin, Kung Liang ^a   Luong, Tien Tung ^a   Huang, Wei Ching ^a   Chang, Chia Hua ^a   Dee, Chang Fu ^b   Majlis, Burhanuddin Yeop ^b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INSTITUTE OF MICROENGINEERING AND NANOELECTRONICS IMEN   (Malaysia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN/GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; CRACK FREE; GAN CRYSTALS; GAN FILM; LAYER THICKNESS; MAXIMUM DRAIN CURRENT; MAXIMUM TRANSCONDUCTANCE; MICRO-RAMAN; SI SUBSTRATES; X-RAY DIFFRACTION DATA;

ALUMINUM; CRACKS; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; SILICON; X RAY DIFFRACTION;

SUBSTRATES;

EID: 84863155602     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.025505     Document Type: Article

References (30)

1. Y. Uemoto, D. Shibata, M. Yanagihara, H. Ishida, H. Matsuo, S. Nagai, N. Batta, M. Li, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 861.
2. N. Ikeda, S. Kaya, J. Li, Y. Sato, S. Kato, and S. Yoshida: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices & IC's, 2008, p. 287.
3. N. Ikeda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, and S. Yoshida: Proc. IEEE 98 (2010) 1151.
4. M. Kanechika, T. Uesugi, and T. Kachi: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 13.5.1.
5. U. K. Mishra: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 13.2.1.
6. H. Kambayashi, Y. Satoh, S. Ootomo, T. Kokawa, T. Nomura, S. Kato, and T. P. Chow: Solid-State Electron. 54 (2010) 660.
7. P. Srivastava, J. Das, D. Visalli, M. Van Hove, P. E. Malinowski, D. Marcon, S. Lenci, K. Geens, K. Cheng, M. Leys, S. Decoutere, R. P. Mertens, and G. Borghs: IEEE Electron Device Lett. 32 (2011) 30.
8. S. L. Selvaraj, T. Suzue, and T. Egawa: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 587.
9. S. Raghavan and J. M. Redwing: J. Appl. Phys. 98 (2005) 023514.
10. D. K. Kim: Solid-State Electron. 51 (2007) 1005.
11. K. L. Lin, E. Y. Chang, Y. L. Hsiao, W. C. Huang, T. Li, D. Tweet, J. S. Maa, S. T. Hsu, and C. T. Lee: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 222111.
12. M. Jamil, J. R. Grandusky, V. Jindal, N. Tripathi, and F. Shahedipour- Sandvik: J. Appl. Phys. 102 (2007) 023701.
13. A. Able, W. Wegscheider, K. Engl, and J. Zweck: J. Cryst. Growth 276 (2005) 415.
14. S. Raghavan and J. M. Redwing: J. Appl. Phys. 98 (2005) 023515.
15. S. Iwakami, M. Yanagihara, O. Machida, E. Chino, N. Kaneko, H. Goto, and K. Ohtsuka: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 831.
16. S. L. Selvaraj, T. Ito, Y. Terada, and T. Egawa: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 173506.
17. A. Dadgar, J. Blasing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken, and A. Krost: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 1183.
18. J. Blasing, A. Reiher, A. Dadgar, A. Diez, and A. Krost: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 2722.
19. G. Cong, Y. Lu, W. Peng, X. Liu, X. Wang, and Z. Wang: J. Cryst. Growth 276 (2005) 381.
20. W. Liu, J. J. Zhu, D. S. Jiang, H. Yang, and J. F. Wang: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 011914.
21. H. P. D. Schenk, E. Frayssinet, A. Bavard, D. Rondi, Y. Cordier, and M. Kennard: J. Cryst. Growth 314 (2011) 85.
22. T. Riemann, T. Hempel, J. Christen, P. Veit, R. Clos, A. Dadgar, A. Krost, U. Haboeck, and A. Hoffmann: J. Appl. Phys. 99 (2006) 123518.
23. K. Y. Zang, Y. D. Wang, L. S. Wang, S. Y. Chow, and S. J. Chua: J. Appl. Phys. 101 (2007) 093502.
24. K. Cheng, M. Leys, S. Degroote, M. Germain, and G. Borghs: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 192111.
25. S. Zamir, B. Meyler, and J. Salzman: J. Cryst. Growth 230 (2001) 341.
26. D. Wang, S. Jia, K. J. Chen, K. M. Lau, Y. Dikme, P. van Gemmern, Y. C. Lin, H. Kalisch, R. H. Jansen, and M. Heuken: J. Appl. Phys. 97 (2005) 056103.
27. B. Zhang, H. Liang, Y. Wang, Z. Feng, K. W. Ng, and K. M. Lau: J. Cryst. Growth 298 (2007) 725.
28. A. Krost and A. Dadgar: Mater. Sci. Eng. B 93 (2002) 77.
29. C. H. Chen, C. M. Yeh, J. Hwang, T. L. Tsai, C. H. Chiang, C. S. Chang, and T. P. Chen: J. Appl. Phys. 98 (2005) 093509.
30. S. Jia, Y. Dikme, D. Wang, K. J. Chen, K. M. Lau, and M. Heuken: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 130.