Highly scalable resistive switching memory cells using pore-size-controlled nanoporous alumina templates

Journal of Materials Chemistry

Volumn 22, Issue 5, 2012, Pages 1852-1861

  Lyu, Si Hoon ^a   Lee, Jang Sik ^a  

^a Kookmin University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANODIZED ALUMINUM OXIDE; CELL SIZE; CONDUCTIVE ATOMIC FORCE MICROSCOPES; DEVICE-SCALING; MEMORY CELL; NANO SCALE; NANO-STRUCTURED; NANOPOROUS ALUMINA TEMPLATES; NANOSCALE MASKS; NONVOLATILE MEMORY DEVICES; PROGRAMMABLE MEMORY; RESISTIVE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING MEMORIES;

ALUMINA; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRIC PROPERTIES; NANOTECHNOLOGY; NONVOLATILE STORAGE; PORE SIZE; SEMICONDUCTOR STORAGE; SWITCHING SYSTEMS;

CELLS;

EID: 84862939610     PISSN: 09599428     EISSN: 13645501     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c1jm14592d     Document Type: Article

References (66)

1. D. Stamou C. Musil W. P. Ulrich K. Leufgen C. Padeste C. David J. Gobrecht C. Duschl H. Vogel Langmuir 2004 20 3495 3497
2. P. M. Mendes S. Jacke K. Critchley J. Plaza Y. Chen K. Nikitin R. E. Palmer J. A. Preece S. D. Evans D. Fitzmaurice Langmuir 2004 20 3766 3768
3. A. A. Tseng J. Micromech. Microeng. 2004 14 R15 R34
4. C. Y. Nam D. Tham J. E. Fischer Nano Lett. 2005 5 2029 2033
5. N. Ballav S. Schilp M. Zharnikov Angew. Chem., Int. Ed. 2008 47 1421 1424
6. F. Keller M. S. Hunter D. L. Robinson J. Electrochem. Soc. 1953 100 411 419
7. J. W. Diggle T. C. Downie C. W. Goulding Chem. Rev. 1969 69 365 405
8. G. C. Wood J. P. O'Sullivan Electrochim. Acta 1970 15 1865 1876
9. G. E. Thompson R. C. Furneaux G. C. Wood J. A. Richardson J. S. Goode Nature 1978 272 433 435
10. G. E. Thompson G. C. Wood Nature 1981 290 230 232
11. A. Kros R. J. M. Nolte N. Sommerdijk Adv. Mater. 2002 14 1779 1782
12. Z. P. Huang X. X. Zhang M. Reiche L. F. Liu W. Lee T. Shimizu S. Senz U. Gosele Nano Lett. 2008 8 3046 3051
13. Z. Zhang T. Shimizu S. Senz U. Gosele Adv. Mater. 2009 21 2824 2828
14. L. F. Liu E. Pippel R. Scholz U. Gosele Nano Lett. 2009 9 4352 4358
15. N. Haberkorn J. S. Gutmann P. Theato ACS Nano 2009 3 1415 1422
16. X. S. Gao L. F. Liu B. Birajdar M. Ziese W. Lee M. Alexe D. Hesse Adv. Funct. Mater. 2009 19 3450 3455
17. T. R. B. Foong Y. D. Shen X. Hu A. Sellinger Adv. Funct. Mater. 2010 20 1390 1396
18. X. S. Gao B. J. Rodriguez L. F. Liu B. Birajdar D. Pantel M. Ziese M. Alexe D. Hesse ACS Nano 2010 4 1099 1107
19. T. D. Lazzara K. H. A. Lau A. I. Abou-Kandil A. M. Caminade J. P. Majoral W. Knoll ACS Nano 2010 4 3909 3920
20. Y. Y. Liang M. G. Schwab L. J. Zhi E. Mugnaioli U. Kolb X. L. Feng K. Mullen J. Am. Chem. Soc. 2010 132 15030 15037
21. A. Sato Y. Pennec N. Shingne T. Thum-Albrecht W. Knoll M. Steinhart B. Djafari-Rouhani G. Fytas ACS Nano 2010 4 3471 3481
22. H. Masuda K. Fukuda Science 1995 268 1466 1468
23. A. P. Li F. Muller A. Birner K. Nielsch U. Gosele J. Appl. Phys. 1998 84 6023 6026
24. K. B. Jirage J. C. Hulteen C. R. Martin Science 1997 278 655 658
25. S. B. Lee D. T. Mitchell L. Trofin T. K. Nevanen H. Soderlund C. R. Martin Science 2002 296 2198 2200
26. S. F. Yu S. B. Lee C. R. Martin Anal. Chem. 2003 75 1239 1244
27. M. A. Sanchez-Castillo C. Couto W. B. Kim J. A. Dumesic Angew. Chem., Int. Ed. 2004 43 1140 1142
28. M. S. Sander M. J. Cote W. Gu B. M. Kile C. P. Tripp Adv. Mater. 2004 16 2052 2057
29. P. Kohli M. Wirtz C. R. Martin Electroanalysis 2004 16 9 18
30. P. Kohli C. C. Harrell Z. H. Cao R. Gasparac W. H. Tan C. R. Martin Science 2004 305 984 986
31. C. Bae H. Yoo S. Kim K. Lee J. Kim M. A. Sung H. Shin Chem. Mater. 2008 20 756 767
32. C. Mu Y. X. Yn R. M. Wang K. Wu D. S. Xu G. L. Guo Adv. Mater. 2004 16 1550 1553
33. R. Xiao S. Il Cho R. Liu S. B. Lee J. Am. Chem. Soc. 2007 129 4483 4489
34. J. S. Lee J. Mater. Chem. 2011 21 14097 14112
35. H. Han Y. Kim M. Alexe D. Hesse W. Lee Adv. Mater. 2011 23 4599 4613
36. W. Lee H. Han A. Lotnyk M. A. Schubert S. Senz M. Alexe D. Hesse S. Baik U. Gosele Nat. Nanotechnol. 2008 3 402 407
37. Y. Kim H. Han B. J. Rodriguez I. Vrejoiu W. Lee S. Baik D. Hesse M. Alexe J. Appl. Phys. 2010 108 042005
38. S. Tiwari F. Rana H. Hanafi A. Hartstein E. F. Crabbe K. Chan Appl. Phys. Lett. 1996 68 1377 1379
39. T. W. Kim H. Choi S. H. Oh M. Jo G. Wang B. Cho D. Y. Kim H. Hwang T. Lee Nanotechnology 2009 20 025201
40. C. Kuegeler M. Meier R. Rosezin S. Gilles R. Waser Solid-State Electron. 2009 53 1287 1292
41. M. J. Lee S. I. Kim C. B. Lee H. X. Yin S. E. Ahn B. S. Kang K. H. Kim J. C. Park C. J. Kim I. Song S. W. Kim G. Stefanovich J. H. Lee S. J. Chung Y. H. Kim Y. Park Adv. Funct. Mater. 2009 19 1587 1593
42. E. Linn R. Rosezin C. Kugeler R. Waser Nat. Mater. 2010 9 403 406
43. K. Nagashima T. Yanagida K. Oka M. Taniguchi T. Kawai J. S. Kim B. H. Park Nano Lett. 2010 10 1359 1363
44. Y. S. Chen H. Y. Lee P. S. Chen P. Y. Gu W. H. Liu W. S. Chen Y. Y. Hsu C. H. Tsai F. Chen M. J. Tsai C. H. Lien IEEE Electron Device Lett. 2011 32 390 392
45. D. Ielmini S. Spiga F. Nardi C. Cagli A. Lamperti E. Cianci M. Fanciulli J. Appl. Phys. 2011 109 034506
46. S. Kim K. P. Biju M. Jo S. Jung J. Park J. Lee W. Lee J. Shin S. Park H. Hwang IEEE Electron Device Lett. 2011 32 671 673
47. J. Lee M. Jo D. J. Seong J. Shin H. Hwang Microelectron. Eng. 2011 88 1113 1118
48. M. J. Lee C. B. Lee D. Lee S. R. Lee M. Chang J. H. Hur Y. B. Kim C. J. Kim D. H. Seo S. Seo U. I. Chung I. K. Yoo K. Kim Nat. Mater. 2011 10 625 630
49. B. Magyari-Kope M. Tendulkar S. G. Park H. D. Lee Y. Nishi Nanotechnology 2011 22 254029
50. J. Shen C. Y. Zhang Q. Chen Phys. Status Solidi RRL 2011 5 205 207
51. I. Valov R. Waser J. R. Jameson M. N. Kozicki Nanotechnology 2011 22 254003
52. V. V. Zhirnov R. Meade R. K. Cavin G. Sandhu Nanotechnology 2011 22 254027
53. J. Y. Son Y. H. Shin H. Kim H. M. Jang ACS Nano 2010 4 2655 2658
54. M. Ritala K. Kukli A. Rahtu P. I. Raisanen M. Leskela T. Sajavaara J. Keinonen Science 2000 288 319 321
55. H. Kim J. Vac. Sci. Technol., B 2003 21 2231 2261
56. P. Banerjee I. Perez L. Henn-Lecordier S. B. Lee G. W. Rubloff Nat. Nanotechnol. 2009 4 292 296
57. W. S. Im Y. S. Cho G. S. Choi F. C. Yu D. J. Kim Diamond Relat. Mater. 2004 13 1214 1217
58. J. Byun J. I. Lee S. Kwon G. Jeon J. K. Kim Adv. Mater. 2010 22 2028 2032
59. Y. M. Kim J. S. Lee J. Appl. Phys. 2008 104 114115
60. R. Waser M. Aono Nat. Mater. 2007 6 833 840
61. S. M. Yu H. S. P. Wong IEEE Electron Device Lett. 2010 31 1455 1457
62. M. Y. Chan T. Zhang V. Ho P. S. Lee Microelectron. Eng. 2008 85 2420 2424
63. M. J. Lee S. Han S. H. Jeon B. H. Park B. S. Kang S. E. Ahn K. H. Kim C. B. Lee C. J. Kim I. K. Yoo D. H. Seo X. S. Li J. B. Park J. H. Lee Y. Park Nano Lett. 2009 9 1476 1481
64. Y. C. Yang F. Pan Q. Liu M. Liu F. Zeng Nano Lett. 2009 9 1636 1643
65. D. H. Kwon K. M. Kim J. H. Jang J. M. Jeon M. H. Lee G. H. Kim X. S. Li G. S. Park B. Lee S. Han M. Kim C. S. Hwang Nat. Nanotechnol. 2010 5 148 153
66. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U. I. Chung and J. T. Moon, in Technical Digest-International Electron Devices Meeting, San Francisco, CA, 2004, pp. 587-590