Effects of annealing atmosphere and temperature on properties of ZnO thin films on porous silicon grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Electronic Materials Letters

Volumn 8, Issue 2, 2012, Pages 123-129

  Kim, Min Su ^a   Kim, Tae Hoon ^a   Kim, Do Yoeb ^b   Lee, Dong Yul ^c   Kim, Sung O ^b   Leem, Jae Young ^a  

^a Inje University   (South Korea)

^b AMRL   (United States)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

annealing; photoluminescence; plasma assisted molecular beam epitaxy; porous silicon; scanning electron microscopy; zinc oxide

Indexed keywords

ANNEALING ATMOSPHERES; ANNEALING PROCESS; ANNEALING TEMPERATURES; CRYSTAL QUALITIES; DIFFRACTION PEAKS; LARGE CRYSTAL; PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; PREFERRED ORIENTATIONS; STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES; UV EMISSIONS; VARIOUS ATMOSPHERE; ZINC OXIDE (ZNO); ZNO; ZNO CRYSTALS; ZNO THIN FILM;

EPITAXIAL GROWTH; METALLIC FILMS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANORODS; OPTICAL FILMS; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; POROUS SILICON; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SILICON; SURFACE MORPHOLOGY; THIN FILMS; VACUUM; X RAY DIFFRACTION; ZINC OXIDE;

ANNEALING;

EID: 84860512529     PISSN: 17388090     EISSN: 20936788     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s13391-012-1089-z     Document Type: Article

References (41)

1. A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takahashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 2635 (1999).
2. E. M. Wong and P. C. Seatson, Appl. Phys. Lett. 74, 2939 (1999).
3. S. Lee, Y. Lee, D. Y. Kim, and T. W. Kang, Appl. Phys. Lett. 96, 142102 (2010).
4. W. W. Wenas, A. Yamada, K. Takasashi, M. Yoshino, and M. Konagai, J. Appl. Phys. 70, 7119 (1991).
5. J. Jenny, R. Jones, J. E. van Nostrand, D. C. Reynolds, D. C. Look, and B. Jogai, Solid State Commun. 106, 701 (1998).
6. G.-H. Lee, Electron. Mater. Lett. 6, 155 (2010).
7. J. Zhu, I.-H. Lee, R. Yao, and Z. Fu, J. Korean Phys. Soc. 50, 598 (2007).
8. V. V. Siva Kumar, F. Singh, A. Kumar, and D. K. Avasthi, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. B244, 91 (2006).
9. J.-I. Son, J.-H. Shim, and N.-H. Cho, Met. Mater. Int. 17, 99 (2011).
10. W. Zhaoyang, S. Liyuan, and H. Lizhong, Vacuum85, 397 (2011).
11. W. Shena, Y. Zhaoa, and T. Zhang, Thin Solid Films483, 382 (2005).
12. Y. Li, L. Xu, X. Li, X. Shen, and A. Wang, Appl. Sur. Sci. 256, 4543 (2010).
13. G. M. Nam and M. S. Kwon, Electron. Mater. Lett. 7, 127 (2011).
14. M. S. Kim, K. G. Yim, M. Y. Cho, D.-Y. Lee, J. S. Kim, J. S. Kim, J.-S. Son, and J.-Y. Leem, J. Korean Phys. Soc. 58, 515 (2011).
15. S.-J. An, W. I. Park, G.-C. Yi, and S. Cho, Appl. Phys. A74, 509 (2002).
16. M. S. Kim, T. H. Kim, D. Y. Kim, G. S. Kim, H. Y. Choi, M. Y. Cho, S. M. Jeon, J. S. Kim, J. S. Kim, D.-Y. Lee, J.-S. Son, J. I. Lee, J. H. Kim, E. Kim, D.-W. Hwang, and J.-Y. Leem, J. Cryst. Growth311, 3568 (2009).
17. M. Y. Cho, M. S. Kim, H. Y. Choi, S. M. Jeon, G. S. Kim, D. Y. Kim, K. G. Yim, D.-Y. Lee, J. S. Kim, J. S. Kim, J. I. Lee, and J.-Y. Leem, J. Korean Phys. Soc. 56, 1833 (2010).
18. X. Du, M. Murakami, H. Iwaki, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L1043 (2001).
19. A. Setiawan, Z. Vashaei, M. W. Cho, T. Yao, H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, I. Yonenaga, and H. J. Ko, J. Appl. Phys. 96, 3763 (2004).
20. Y. M. Lu, X. Wang, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, S. C. Su, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, X. W. Fan, and Z. K. Tang, J. Cryst. Growth301-302, 373 (2007).
21. F. Xiu, Z. Yang, D. Zhao, J. Liu, K. A. Alim, A. A. Balandin, M. E. Itkis, and R. C. Haddon, J. Cryst. Growth286, 61 (2006).
22. E. Ş. Tüzemen, S. Eker, H. Kavak, and R. Esen, Appl. Surf. Sci. 255, 6195 (2009).
23. S. M. Yang, S. K. Han, D. S. Kang, J. G. Kim, S. K. Hong, J. W. Lee, J. Y. Lee, J. H. Song, and T. Yao, J. Korean Phys. Soc. 53, 276 (2008).
24. A. Miyake, H. Kominami, H. Tatsuoka, H. Kuwabara, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Cryst. Growth214-215, 294 (2000).
25. Y. Feng, Y. Zhou, Y. Liu, G. Zhang, and X. Zhang, J. Lumin. 119-120, 233 (2006).
26. D. J. Park, J. Y. Lee, T. E. Park, Y. Y. Kim, and H. K. Cho, Thin Solid Films515, 6721 (2007).
27. Y. C. Lee, S. Y. Hu, W. Water, K. K. Tiong, Z. C. Feng, Y. T. Chen, J. C. Huang, J. W. Lee, C. C. Huang, J. L. Shen, and M. H. Cheng, J. Lumin. 129, 148 (2009).
28. M. S. Kim, G. S. Kim, M. Y. Cho, D. Y. Kim, H. Y. Choi, S. M. Jeon, K. G. Yim, D.-Y. Lee, J. S. Kim, J. S. Kim, J.-S. Son, J. I. Lee, and J.-Y. Leem, J. Korean Phys. Soc. 56, 827 (2010).
29. Y. Chen, D. M. Bagnall, H. Koh, K. Park, K. Hiraga, Z. Zhu, and T. Yao, J. Appl. Phys. 84, 3912 (1998).
30. L. S. Chuah, Z. Hassan, and S. N. H. A. Hassan, J. Alloy. Compd. 479, L54 (2009).
31. M. Y. Cho, M. S. Kim, H. Y. Choi, K. G. Yim, and J.-Y. Leem, Bull. Korean Chem. Soc. 32, 880 (2011).
32. C.-C. Wu, D.-S. Wuu, P.-R. Lin, T.-N. Chen, and R.-H. Horng, Chem. Vap. Deposition15, 234 (2009).
33. K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, and T. Balasubramanian. Mater. Sci. Semicond. Process14, 84 (2011).
34. J. B. You, X. W. Zhang, Y. M. Fan, Z. G. Yin, P. F. Gai, and N. F. Chen, Appl. Surf. Sci. 255, 5876 (2009).
35. K. Shin, K. Prabakar, W. P. Tai, J. H. Oh, C. Lee, D. W. Park, and W. S. Ahn, J. Korean Phys. Soc. 45, 1288 (2004).
36. Y. Y. Peng, T. E. Hsieh, and C. H. Hsu, Nanotechnology17, 147 (2006).
37. R. G. Singh, F. Singh, D. Kanjilal, V. Agarwal, and R. M. Mehra, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 062002 (2009).
38. S. Anas, R. V. Mangalaraja, and S. Ananthakumar, J. Hazard. Mater. 175, 889 (2010).
39. M. Z. Sahdan, M. H. Mamat, M. Salina, Z. Khusaimi, U. M. Noor, and M. Rusop, Phys. Stat. Sol. (c)7, 2286 (2010).
40. Q. P. Wang, D. H. Zhang, Z. Y. Xue, and X. J. Zhang, Opt. Mater. 26, 23 (2004).
41. S. H. Jeong, B. S. Kim, and B. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 2625 (2003).