Atomic layer deposition of HfO 2 thin films employing a heteroleptic hafnium precursor

Chemical Vapor Deposition

Volumn 18, Issue 1-3, 2012, Pages 27-35

  Xu, Ke ^a   Milanov, Andrian P ^a   Parala, Harish ^a   Wenger, Christian ^b   Baristiran Kaynak, Canan ^b   Lakribssi, Kaoutar ^b   Toader, Teodor ^a   Bock, Claudia ^a   Rogalla, Detlef ^a   Becker, Hans Werner ^a   Kunze, Ulrich ^a   Devi, Anjana ^a  

^a RUHR UNIVERSITY BOCHUM   (Germany)

^b NONE   (Germany)

Author keywords

ALD; Composition; HfO 2; Precursors; Thin Films

Indexed keywords

AFM; ALD; ATOMIC FORCE MICROSCOPIES (AFM); ELECTRICAL MEASUREMENT; GROWTH CHARACTERISTIC; HETEROLEPTIC; HFO 2; LINEAR DEPENDENCE; NUMBER OF CYCLES; PRECURSORS; PROCESS CONDITION; SATURATION BEHAVIOR; SCANNING ELECTRON MICROSCOPIES (SEM); TEMPERATURE RANGE; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIES (XPS);

AMIDES; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMICAL ANALYSIS; DEPOSITION; HAFNIUM; HAFNIUM OXIDES; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; THIN FILMS; VAPOR DEPOSITION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

EID: 84859064435     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.201106934     Document Type: Article

References (34)

1. M. T. Bohr, R. S. Chan, T. Ghani, K. Mistry, IEEE Spectrum 2007, 44, 29.
2. D. Fischer, A. Kersch, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 012908.
3. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 2001, 89, 5243.
4. J. Robertson, Rep. Prog. Phys. 2006, 69327.
5. M. Leskelä, M. Ritala, Angew. Chem. Int. Ed. 2003, 42, 5548.
6. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, R. I. Hegde, D. C. Gilmer, P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 2004, 151, F98.
7. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 2002, 8, 199.
8. X. Liu, S. Ramanathan, A. Longdergan, A. Srivastava, E. Lee, T. E. Seidel, J. T. Barton, D. Pang, R. G. Gordon, J. Electrochem. Soc. 2005, 152, G213.
9. L. Nyns, A. Delabie, J. Swerts, S. V. Elshocht, S. D. Gendt, J. Electrochem. Soc. 2010, 157, G225.
10. T. J. Park, J. H. Kim, J. H. Jang, U. K. Kim, S. Y. Lee, J. Lee, H. S. Jung, C. S. Hwang, Chem. Mater. 2011, 23, 1654.
11. S. Kamiyama, T. Miura, Y. Nara, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 132904.
12. X. Shi, H. Tielens, S. Takeoka, T. Nakabayashi, L. Nyns, C. Adelmann, A. Delabie, T. Schram, L. Ragnarsson, M. Schaekers, L. Date, R. Schreutelkamp, S. V. Elshocht, J. Electrochem. Soc. 2011, 158, H69.
13. D. M. Hausmann, E. Kim, J. Becker, R. G. Gordon, Chem. Mater. 2002, 14, 4350.
14. K. Kukli, T. Pilvi, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Lu, M. Leskelä, Thin Solid Films 2005, 491, 328.
15. A. Milanov, R. Bhakta, A. Baunemann, H. W. Becker, R. Thomas, P. Ehrhart, M. Winter, A. Devi, Inorg. Chem. 2006, 45, 11008.
16. A. Milanov, R. Bhakta, R. Thomas, P. Ehrhart, M. Winter, R. Waser, A. Devi, J. Mater. Chem. 2006, 16, 437.
17. K. Xu, A. P. Milanov, A. Devi, ECS Trans. 2009, 25, 625.
18. R. Thomas, A. Milanov, R. Bhakta, U. Patil, M. Winter, P. Ehrhart, R. Waser, A. Devi, Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 295.
19. R. Thomas, E. Rije, P. Ehrhart, A. Milanov, R. Bhakta, A. Baunemann, A. Devi, R. A. Fischer, R. Waser, J. Electrochem. Soc. 2007, 154, G77.
20. J. Niinistö, M. Mäntymäki, K. Kukli, L. Costelle, E. Puukilainen, M. Ritala, M. Leskelä, J. Cryst. Growth 2010, 312, 245.
21. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, M. Leskelä, Thin Solid Films 2002, 416, 72.
22. S. J. Chang, W. C. Lee, J. Hwang, M. Hong, J. Kwo, Thin Solid Films 2008, 516, 948.
23. G. He, L. D. Zhang, Q. Fang, J. Appl. Phys 2006, 100, 083517.
24. D. Barreca, A. Milanov, R. A. Fischer, A. Devi, E. Tondello, Surf. Sci. Spectra 2008, 14, 34.
25. A. A. Sokolov, A. A. Ovchinnikov, K. M. Lysenkov, D. E. Marchenko, E. O. Filatova, Tech. Phys. 2010, 55.
26. K. Edamoto, Y. Shirotori, T. Sato, K. Ozawa, Appl. Surf. Sci. 2005, 244, 174.
27. Y. Fu, H. Du, S. Zhang, W. Huang, Mater. Sci. Eng. A 2005, 403, 25.
28. T.-H. Moon, M.-C. Jeong, B.-Y. Oh, M.-H. Ham, M.-H. Jeun, W.-Y. Lee, J.-M. Myoung, Nanotechnol. 2006, 17, 2116.
29. T. Gougousi, D. Niu, R. W. Ashcraft, G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 17.
30. D. Ceresoli, D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 2006, 74, 125108.
31. A. P. Milanov, K. Xu, A. Laha, E. Bugiel, R. Ranjith, D. Schwendt, H.-J. Osten, H. Parala, R. A. Fischer, A. Devi, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 36.
32. A. Milanov, R. A. Fischer, A. Devi, Inorg. Chem. 2008, 47, 11405.
33. E. Kõtai, Nucl. Instrum. Methods 1994, B85, 588.
34. J. F. Ziegler, M. D. Ziegler, J. P. Biersack, SRIM 2008,.