Improved growth and electrical properties of atomic-layer-deposited metal-oxide film by discrete feeding method of metal precursor

Chemistry of Materials

Volumn 23, Issue 7, 2011, Pages 1654-1658

  Park, Tae Joo ^a,b   Kim, Jeong Hwan ^a   Jang, Jae Hyuck ^a   Kim, Un Ki ^a   Lee, Sang Young ^a   Lee, Joohwi ^a   Jung, Hyung Suk ^a   Hwang, Cheol Seong ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

ALD; growth rate; HfO2

Indexed keywords

ACTIVE ADSORPTION; ALD; ATOMIC LAYER DEPOSITED; ELECTRICAL PROPERTY; FEEDING TIME; GROWTH BEHAVIOR; HFO2; METAL PRECURSOR; NEW MODEL; PHYSISORBED; PRECURSOR MOLECULES; SATURATION REGION; SCREENING EFFECT;

ADSORPTION; ATOMIC LAYER DEPOSITION; CHEMISORPTION; ELECTRIC PROPERTIES; FEEDING; GROWTH RATE; HAFNIUM COMPOUNDS; MOLECULES; OXIDE FILMS;

FILM GROWTH;

EID: 79953699061     PISSN: 08974756     EISSN: 15205002     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm100900k     Document Type: Article

References (20)

1. Suntola, T. Mater. Sci. Rep. 1989, 4, 261
2. George, S. M. Chem. Rev. 2010, 110, 111
3. Park, T. J.; Kim, J. H.; Jang, J. H.; Na, K. D.; Hwang, C. S.; Kim, J. H.; Kim, G.-M.; Choi, J. H.; Choi, K. J.; Jeong, J. H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 252106
4. Alam, M. A.; Green, M. L. J. Appl. Phys. 2003, 94, 3403
5. Ylilammi, M. Thin Solid Films 1996, 279, 124
6. Hackley, J. C.; Demaree, J. D.; Gougousia, T. J. Vac. Sci. Technol. A 2008, 26, 5
7. Connelly, D.; Yu, Z.; Yergeau, D. IEEE Trans. Electron Devices 2002, 49, 4
8. Han, J. H.; Lee, S. W.; Choi, G.-J.; Lee, S. Y.; Hwang, C. S.; Dussarrat, C.; Gatineau, J. Chem. Mater. 2009, 21, 207
9. Lee, S. S.; Baik, J. Y.; An, K.-S.; Suh, Y. D.; Oh, J.-H.; Kim, Y. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 15128
10. Kukli, K.; Ritala, M.; Sajavaara, T.; Keinonen, J.; Leskela, M. Chem. Vap. Deposition 2002, 8, 5
11. Hausmann, D. M.; Kim, E.; Becker, J.; Gordon, R. Chem. Mater. 2002, 14, 4350
12. Liu, X.; Ramanathan, S.; Longdergan, A.; Srivastava, A.; Lee, E.; Seidel, T. E.; Barton, J. T.; Pang, D.; Gordon, R. G. J. Electrochem. Soc. 2005, 152, G213
13. Jeong, W. G.; Menu, E. P.; Dapkus, P. D. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 244
14. Park, T. J.; Kim, J. H.; Seo, M. H.; Jang, J. H.; Hwang, C. S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 152906
15. Park, J.; Park, T. J.; Cho, M.; Kim, S. K.; Hong, S. H.; Kim, J. H.; Seo, M.; Hwang, C. S.; Won, J. Y.; Jeong, R.; Choi, J.-H. J. Appl. Phys. 2006, 99, 094501
16. Park, J.; Cho, M.; Kim, S. K.; Park, T. J.; Lee, S. W.; Hong, S. H.; Hwang, C. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 112907
17. Park, T. J.; Kim, J. H.; Jang, J. H.; Na, K. D.; Hwang, C. S.; Yoo, J. H. J. Appl. Phys. 2008, 104, 054101
18. Park, T. J.; Kim, J. H.; Jang, J. H.; Na, K. D.; Hwang, C. S.; Yoo, J. H. Electrochem. Solid-State Lett. 2008, 11, H121
19. Akbar, M. S.; Lee, J. C.; Moumen, N.; Peterson, J. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 082901
20. Park, T. J.; Chung, K. J.; Kim, H. C.; Ahn, J.; Wallace, R. M.; Kim, J. Electrochem. Solid-State Lett. 2010, 13, G65