Source/drain engineering for In0.7Ga0.3As N-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Raised source/drain with in situ doping for series resistance reduction

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 4 PART 2, 2011, Pages

  Gong, Xiao ^a,b   Chin, Hock Chun ^a   Koh, Shao Ming ^a   Wang, Lanxiang ^a,b   Ivana, ^a,b   Zhu, Zhu ^a   Wang, Benzhong ^c   Chia, Ching Kean ^c   Yeo, Yee Chia ^a,b  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^c INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

IN-SITU; IN-SITU DOPING; METAL-ORGANIC; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR; MOCVD; N-CHANNEL; N-TYPE DOPING; NMOSFETS; RAISED SOURCE/DRAIN; SELECTIVE EPITAXY; SERIES RESISTANCES; SOURCE/DRAIN ENGINEERING; SOURCE/DRAIN REGIONS;

DIELECTRIC DEVICES; INDIUM; ION BEAMS; MOSFET DEVICES; ORGANIC CHEMICALS; SEMICONDUCTOR DOPING;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 79955436061     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.04DF01     Document Type: Article

References (33)

1. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, B. Jin, J. Kavalieros, A. Majumdar, M. Metz, and M. Radosavljevic: IEEE Trans. Nanotechnol. 4 (2005) 153.
2. D.-H. Kim and J. A. del Alamo: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 719.
3. Y. Xuan, T. Shen, M. Xu, Y. Q. Wu, and P. D. Ye: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 371.
4. T. H. Chiang, W. C. Lee, T. D. Lin, D. Lin, K. H. Shiu, J. Kwo, W. E. Wang, W. Tsai, and M. Hong: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 375.
5. H.-C. Chin, M. Zhu, Z.-C. Lee, X. Liu, K.-M. Tan, H. K. Lee, L. Shi, L.-J. Tang, C.-H. Tung, G.-Q. Lo, L.-S. Tan, and Y.-C. Yeo: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 383.
6. C. P. Chen, T. D. Lin, Y. J. Lee, Y. C. Chang, M. Hong, and J. Kwo: Solid- State Electron. 52 (2008) 1615.
7. J. F. Zheng, W. Tsai, T. D. Lin, Y. J. Lee, C. P. Chen, M. Hong, J. Kwo, S. Cui, and T. P. Ma: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 223502.
8. Y. Q. Wu, M. Xu, R. S. Wang, O. Koybasi, and P. D. Ye: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 323.
9. D. Lin, G. Brammertz, S. Sioncke, C. Fleischmann, A. Delabie, K. Martens, H. Bender, T. Conard, W. H. Tseng, J. C. Lin, W. E. Wang, K. Temst, A. Vatomme, J. Mitard, M. Caymax, M. Meuris, M. Heyns, and T. Hoffmann: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 327.
10. Y. Xuan, Y. Q. Wu, T. Shen, T. Yang, and P. D. Ye: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 637.
11. N. Goel, D. Heh, S. Koveshnikov, I. Ok, S. Oktyabrsky, V. Tokranov, R. Kambhampatic, M. Yakimov, Y. Sun, P. Pianetta, C. K. Gaspe, M. B. Santos, J. Lee, S. Datta, P. Majhi, and W. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 363.
12. J. Huang, N. Goel, H. Zhao, C. Y. Kang, K. S. Min, G. Bersuker, S. Oktyabrsky, C. K. Gaspe, M. B. Santos, P. Majhi, P. D. Kirsch, H.-H. Tseng, J. C. Lee, and R. Jammy: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 335.
13. M. Zhu, C. H. Tung, and Y.-C. Yeo: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 202903.
14. H. J. Oh, J. Q. Lin, S. A. B. Suleiman, G. Q. Lo, D. L. Kwong, D. Z. Chi, and S. J. Lee: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 339.
15. H.-C. Chin, X. Liu, X. Gong, and Y.-C. Yeo: IEEE Trans. Electron Devices 57 (2010) 973.
16. H.-C. Chin, M. Zhu, C.-H. Tung, G. S. Samudra, and Y.-C. Yeo: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 553.
17. H.-C. Chin, B. Wang, P.-C. Lim, L.-J. Tang, C.-H. Tung, and Y.-C. Yeo: J. Appl. Phys. 104 (2008) 093527.
18. H.-C. Chin, M. Zhu, G. S. Samudra, and Y.-C. Yeo: J. Electrochem. Soc. 155 (2008) H464.
19. H.-C. Chin, M. Zhu, X. Liu, H.-K. Lee, L. Shi, L.-S. Tan, and Y.-C. Yeo: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 110.
20. M. Radosavljevic, B. Chu-Kung, S. Corcoran, G. Dewey, M. K. Hudait, J. M. Fastenau, J. Kavalieros, W. K. Liu, D. Lubyshev, M. Metz, K. Millard, N. Mukherjee, W. Rachmady, U. Shah, and R. Chau: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 319.
21. H. Zhao, Y. T. Chen, J. H. Yum, Y. Z. Wang, N. Goel, and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 193502.
22. H. Zhao, Y. T. Chen, J. H. Yum, Y. Z. Wang, F. Zhou, F. Xue, and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 102101.
23. U. Singisetti, M. A. Wistey, G. J. Burek, E. Arkun, A. K. Baraskar, Y. Sun, E. W. Kiwera, B. J. Thibeault, A. C. Gossard, C. Palmstrom, and M. J. W. Rodwell: Proc. Int. Symp. Compound Semiconductors, 2008, p. Tu1.3.
24. U. Singisetti, M. A. Wistey, G. J. Burek, E. Arkun, A. K. Baraskar, Y. Sun, E. W. Kiwera, B. J. Thibeault, A. C. Gossard, C. Palmstrom, and M. J. W. Rodwell: Phys. Status Solidi C 6 (2009) 1394.
25. U. Singisetti, M. A. Wistey, G. J. Burek, A. K. Baraskar, J. Cagnon, B. Thibeault, A. C. Gossard, S. Stemmer, and M. J. W. Rodwell: Proc. IEEE Indium Phosphide Related Materials Conf., 2009, p. 120.
26. U. Singisetti, M. A. Wistey, G. J. Burek, A. K. Baraskar. J. Cagnon, B. J. Thibeault, S. Stemmer, A. C. Gossard, and M. J. W. Rodwell: Proc. IEEE Device Research Conf., 2009, p. 253.
27. U. Singisetti, M. A. Wistey, G. J. Burek, A. K. Baraskar, B. J. Thibeault, A. C. Gossard, M. J. Rodwell, B. Shin, E. J. Kim, P. C. McIntyre, B. Yu, Y. Yuan, D. Wang, Y. Taur, P. Asbeck, and J. Y. Lee: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 1128.
28. T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, and K. Furuya: Proc. IEEE Indium Phosphide Related Materials Conf., 2010, p. 1.
29. T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto, and K. Furuya: Appl. Phys. Express 3 (2010) 094201.
30. T. Penna, B. Tell, A. S. H. Liao, T. J. Bridges, and G. Burkhardt: J. Appl. Phys. 57 (1985) 351.
31. A. Dixit, A. Kottantharayil, N. Collaert, M. Goodwin, M. Jurczak, and K. De Meyer: IEEE Trans. Electron Devices 52 (2005) 1132.
32. H.-C. Chin, X. Gong, X. Liu, and Y.-C. Yeo: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 805.
33. H.-C. Chin, X. Gong, X. Liu, Z. Lin, and Y.-C. Yeo: Symp. VLSI Technology, 2009, p. 244.