N-xhannel GaAs MOSFET with TaNHfAlO gate stack formed using in situ vacuum anneal and silane passivation

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 7, 2008, Pages

  Chin, Hock Chun ^a   Zhu, Ming ^a   Samudra, Ganesh S ^a   Yeo, Yee Chia ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DRAIN CURRENT; GATE DIELECTRICS; OHMIC CONTACTS; PASSIVATION; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SILANES; TANTALUM COMPOUNDS;

DIELECTRIC DEPOSITION; VACUUM ANNEALING;

MOSFET DEVICES;

EID: 44349153160     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2907381     Document Type: Article

References (28)

1. G. G. Fountain, R. A. Rudder, S. V. Hattangady, R. J. Markunas, and J. A. Hutchby, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 1989, 887 (1989).
2. C. C. Surdu-Bob, S. O. Saied, and J. L. Sullivan, Appl. Surf. Sci., 183, 126 (2001).
3. M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, S. N. G. Chu, R. L. Opila, and N. Moriya, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 1995, 383 (1989).
4. M. Hong, J. Kwo, A. R. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science, 283, 1897 (1999).
5. M. Passlack, in Materials Fundamentals of Gate Dielectrics, p. 403, Springer-Verlag, Berlin (2005).
6. J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, R. L. Opila, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, and R. L. Masaitis, Appl. Phys. Lett., 75, 1116 (1999).
7. K. Rajagopalan, R. Droopad, J. Abrokwah, P. Zurcher, P. Fejes, and M. Passlack, IEEE Electron Device Lett., 28, 100 (2007).
8. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, S. N. G. Chu, S. Nakahara, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Hong, K. K. Ng, Appl. Phys. Lett., 83, 180 (2003).
9. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H.-J. L. Gossmann, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett., 84, 434 (2004).
10. Y. Xuan, H.-C. Lin, and P. D. Ye, IEEE Trans. Electron Devices, 54, 1811 (2007).
11. G. K. Dalapati, Y. Tong, W.-Y. Loh, H. K. Mun, and B. J. Cho, IEEE Trans. Electron Devices, 54, 1831 (2007).
12. M. M. Frank, G. D. Wilk, D. Starodub, T. Gustafsson, E. Garfunkel, Y. J. Chabal, J. Grazul, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett., 86, 152904 (2005).
13. S. Koveshnikov, W. Tsai, I. Ok, J. C. Lee, V. Torkanov, M. Yakimov, and S. Oktyabrsky, Appl. Phys. Lett., 88, 022106 (2006).
14. I. Ok, H. Kim, M. Zhang, T. Lee, F. Zhu, L. Yu, S. Koveshnikov, W. Tsai, V. Tokranov, M. Yakimov, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 2006, 383 (2006).
15. M. Yakimov, V. Tokranov, R. Kambhampati, S. Koveshnikov, W. Tsai, F. Zhu, J. Lee, and S. Oktyabrsky, Tech. Dig.-Solid State Dev. Mater., 2006, 946 (2006).
16. D. Shahrjerdi, M. M. Oye, A. L. Holmes, Jr., and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett., 89, 043501 (2006).
17. H.-S. Kim, I. Ok, M. Zhang, T. Lee, F. Zhu, L. Yu, J. C. Lee, S. Koveshnikov, W. Tsai, V. Tokranov, Appl. Phys. Lett., 89, 222904 (2006).
18. H.-S. Kim, I. Ok, M. Zhang, T. Lee, F. Zhu, L. Yu, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 89, 222903 (2006).
19. M. Zhu, C.-H. Tung, and Y.-C. Yeo, Appl. Phys. Lett., 89, 202903 (2006).
20. H. Zhao, H.-S. Kim, F. Zhu, M. Zhang, I. Ok, S. I. Park, J. H. Yum, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 91, 172101 (2007).
21. F. Gao, S. J. Lee, D. Z. Chi, S. Balakumar, and D.-L. Kwong, Appl. Phys. Lett., 90, 252904 (2007).
22. M. Zhu, H.-C. Chin, C.-H. Tung, and Y.-C. Yeo, J. Electrochem. Soc., 154, H879 (2007).
23. J. P. D. Souza and D. K. Sadana, IEEE Trans. Electron Devices, 39, 166 (1992).
24. F. Hyuga, H. Yamazaki, K. Watanabe, and J. Osaka, Appl. Phys. Lett., 50, 1592 (1987).
25. W. A. Hill and C. C. Coleman, Solid-State Electron., 23, 987 (1980).
26. T. W. Hickmott, J. Appl. Phys., 48, 723 (1977).
27. E. D. Marshall, W. X. Chen, C. S. Wu, S. S. Lau, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett., 47, 298 (1985).
28. D. K. Schroder, in Semiconductor Material and Device Characterization, p. 146, John Wiley & Sons, Hoboken, NJ (2006).