Is there an impact of threading dislocations on the characteristics of devices fabricated in strained-Ge substrates?

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Volumn 6, Issue 8, 2009, Pages 1912-1917

  Simoen, Eddy ^a   Brouwers, Gijs ^a   Yang, Rui ^a   Eneman, Geert ^a,b   Gonzalez, Mireia Bargallo ^a,b   Leys, Frederick ^a   De Jaeger, Brice ^a   Mitard, Jerome ^a   Brunco, David ^c   Souriau, Laurent ^a,b   Cody, Nyles ^d   Thomas, Shawn ^d   Lajaunie, Luc ^e   David, Marie Laure ^e   Meuris, Marc ^a  

^a IMEC   (Belgium)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

^c Intel Corporation Belgium   (Belgium)

^d ASM AMERICA   (United States)

^e UNIVERSITÉ DE POITIERS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS; CURRENT VOLTAGE; POINT DEFECT CLUSTERS; POST-GROWTH ANNEAL; REFERENCE DEVICES; REVERSE CURRENTS; SIGE BUFFER LAYER; STRAIN-RELAXED; STRAINED-GE; THREADING DISLOCATION; THREADING DISLOCATION DENSITIES; THREE ORDERS OF MAGNITUDE;

DEFECTS; GERMANIUM; POINT DEFECTS; SEMICONDUCTOR GROWTH; TIME DIVISION MULTIPLEXING;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS;

EID: 70350132629     PISSN: 18626351     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200881446     Document Type: Conference Paper

References (37)

1. G. Nicholas, B. De Jaeger, D.P. Brunco, P. Zimmerman, G. Eneman, K. Martens, M. Meuris, and M. M. Heyns, IEEE Trans. Electron Devices 54, 2503 (2007).
2. G. Nicholas, T. J. Grasby, D. J. F. Fulgoni, C. S. Beer, J. Parsons, M. Meuris, and M. M. Heyns, IEEE Electron Device Lett. 28, 825 (2007).
3. M. L. Lee, E. A. Fitzgerald, M. T. Bulsara, M. T. Currie, and A. Lochtefeld, J. Appl. Phys. 97, 011101 (2005).
4. A. Nylandsted Larsen, Mater. Sci. Semicond. Process. 4/5, 454 (2006).
5. L. M. Giovane, H.-C. Luan, A. A. Agarwal, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 78, 541 (2001).
6. K. Ismail, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2776 (1996).
7. D. P. Brunco, B. De Jaeger, G. Eneman, A. Satta, V. Terzieva, L. Souriau, F.E. Leys, G. Pourtois, M. Houssa, K. Opsomer, G. Nicholas, M. Meuris, and M. M. Heyns, ECS Trans. 11(4), 479 (2007).
8. D. P. Brunco, B. De Jaeger, G. Eneman, J. Mitard, G. Helling, A. Satta, V. Terzieva, F. E. Leys, G. Pourtois, M. Houssa, G. Winderickx, E. Vrancken, S. Sioncke, K. Opsomer, G. Nicholas, M. Caymax, A. Stesmans, J. Van Steenbergen, P. W. Mertens, M. Meuris, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc. 155, H552 (2008).
9. F. M. Ross, R. Hull, D. Bahnck, J. C. Bean, L. J. Peticolas, R. A. Hamm, and H. A. Huggins, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2008 (1992).
10. F. M. Ross, R. Hull, D. Bahnck, J. C. Bean, L. J. Peticolas, and C. A. King, Appl. Phys. Lett. 62, 1426 (1993).
11. S. Kanjachuchai, T. J. Thornton, J. M. Fernández, and H. Ahmed, Semicond. Sci. Technol. 13, 1215 (1998).
12. G. Eneman, E. Simoen, R. Delhougne, E. Gaubas, V. Simons, P. Roussel, P. Verheyen, A. Lauwers, R. Loo, W. Vandervorst, K. De Meyer, and C. Claeys, J. Phys.: Condens. Matter 17, S2197 (2005).
13. G. Eneman, E. Simoen, R. Delhougne, P. Verheyen, R. Loo, and K. De Meyer, Appl. Phys. Lett. 87, 192112 (2005).
14. G. Eneman, E. Simoen, R. Delhougne, P. Verheyen, V. Simons, R. Loo, M. Caymax, C. Claeys, W. Vandervorst, and K. De Meyer, J. Electrochem. Soc. 153, G379 (2006).
15. E. Simoen, C. Claeys, and J. Vanhellemont, Defect Diffusion Forum 261/262, 1 (2007).
16. E. Simoen, G. Brouwers, G. Eneman, M. Bargallo Gonzalez, B. De Jaeger, J. Mitard, D. Brunco, L. Souriau, N. Cody, and S. Thomas, to be published in the Proc. of E-MRS Symposium, J. Mater. Sci. Semicond. Process.
17. L. Souriau, T. Atanasova, V. Terzieva, A. Moussa, M. Cay-max, R. Loo, M. Meuris, and W. Vandervorst, J. Electro-chem. Soc. 155, H677 (2008).
18. E. Simoen, S. Sonde, C. Claeys, A. Satta, B. De Jaeger, R. Todi, and M. Meuris, J. Electrochem. Soc. 155, H145 (2008).
19. E. Simoen, G. Eneman, S. Shamuilia, V. Simons, E. Gaubas, R. Delhougne, R. Loo, K. De Meyer, and C. Claeys, Solid State Phenom. 108/109, 285 (2006).
20. A. Souifi, G. Brémond, T. Benyattou, G. Guillot, D. Dutar-tre, and I. Berbezier, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2002 (1992).
21. P. N. Grillot, S. A. Ringel, E. A. Fitzgerald, G. P. Watson, and Y. H. Xie, J. Appl. Phys. 77, 676 (1995).
22. P. N. Grillot, S. A. Ringel, E. A. Fitzgerald, G. P. Watson, and Y. H. Xie, J. Appl. Phys. 77, 3248 (1995).
23. P. N. Grillot, S. A. Ringel, J. Michel, and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 80, 2823 (1996).
24. P. M. Mooney, L. Tilly, C. P. D'Emic, J. O. Chu, F. Cardone, F. K. LeGoues, and B. S. Meyerson, J. Appl. Phys. 82, 688 (1997).
25. E. A. Fitzgerald and S. B. Samavedam, Thin Solid Films 294, 3 (1997).
26. A. Nylandsted Larsen, Mater. Sci. Eng. B 71, 6 (2000).
27. E. Thor, M. Mühlbreger, L. Palmetshofer, and F. Schäffler, J. Appl. Phys. 90, 2252 (2001).
28. J. Lu, Y. Park, and G. A. Rozgonyi, J. Appl. Phys. 103, 073716 (2008).
29. R. Zhang, G. A. Rozgonyi, E. Yakimov, N. Yarikin, and M. Seacrist, J. Appl. Phys. 103, 103506 (2008).
30. M. Satoh, K. Arimoto, K. Nakagawa, S. Koh, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 4630 (2008).
31. D. D. Cannon, J. Liu, D. T. Danielson, S. Jonthammanurak, U. U. Enuha, K. Wada, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 91, 252111 (2007).
32. Q. T. Nguyen, J. F. Damlencourt, B. Vincent, L. Clavelier, Y. Morand, P. Gentil, and S. Cristoloveanu, Solid-State Electron. 51, 1172 (2007).
33. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, and P. J. Silverman, J. Appl. Phys. 79, 7743 (1996).
34. V. Kveder, M. Kittler, and W. Schröter, Phys. Rev. B 63, 115208 (2001).
35. X. L. Yuan, T. Sekiguchi, S. G. Ri, and S. Ito, Appl. Phys. Lett. 84, 3316 (2004).
36. O. Feklisova, E. B. Yakimov, N. Yarykin, and B. Pichaud, J. Phys.: Condens. Matter 16, S201 (2004).
37. H. S. Leipner, C. G. Hübner, T. E. M. Staab, M. Haugk, A. Sieck, R. Krause-Rehberg, and T. Frauenheim, J. Phys.: Condens. Matter 12, 10071 (2000).