Controlled III/V nanowire growth by selective-area vapor-phase epitaxy

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 156, Issue 11, 2009, Pages

  Cantoro, M ^a,b   Brammertz, G ^a   Richard, O ^a   Bender, H ^a   Clemente, F ^a   Leys, M ^a   Degroote, S ^a   Caymax, M ^a   Heyns, M ^a,b   De Gendt, S ^a,c  

^a IMEC   (Belgium)

^b Department of Physics and Astronomy ^*

^c UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GAAS; GROWTH CONDITIONS; GROWTH DIRECTIONS; INAS; LATTICE-MATCHED; MISMATCHED SUBSTRATES; NANOWIRE GROWTH; SCANNING AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC WIRE; GALLIUM ALLOYS; INDIUM ARSENIDE; RAMAN SPECTROSCOPY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPORS;

NANOWIRES;

EID: 70349751752     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3222852     Document Type: Article

References (54)

1. C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L. F. Feiner, A. Forchel, M. Scheffler, W. Riess, B. J. Ohlsson, U. Gösele, et al. Mater. Today 9, 28 (2006).
2. G. Zheng, F. Patolsky, Y. Cui, W. U. Wang, and C. M. Lieber, Nat. Biotechnol. 23, 1294 (2005).
3. H. Yonezu, Y. Furukawa, and A. Wakahara, J. Cryst. Growth 310, 4757 (2008).
4. C. P. T. Svensson, T. Mrtensson, J. Trägrdh, C. Larsson, M. Rask, D. Hessman, L. Samleuson, and J. Ohlsson, Nanotechnology 19, 305201 (2008).
5. Y. Li, F. Qian, J. Xiang, and C. M. Lieber, Mater. Today 9, 18 (2006).
6. International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net, (last accessed Sept. 11, 2009).
7. L. V. Titova, T. B. Hoang, H. E. Jackson, L. M. Smith, J. M. Yarrison-Rice, Y. Kim, H. J. Joyce, H. H. Tan, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 89, 173126 (2006).
8. K. Tomioka, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara, and T. Fukui, Nanotechnology, 20, 145302 (2009).
9. M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith, and C. M. Lieber, Nature (London) 415, 617 (2002).
10. M. T. Björk, B. J. Ohlsson, T. Sass, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Deppert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Nano Lett. 2, 87 (2002).
11. A. G. Milnes and A. Y. Polyakov, Mater. Sci. Eng., B 18, 237 (1993).
12. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, and H. Kakibayashi, J. Appl. Phys. 77, 447 (1995).
13. J. Motohisa, J. Noborisaka, J. Takeda, M. Inari, and T. Fukui, J. Cryst. Growth 272, 180 (2004).
14. A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
15. D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong, and S. T. Lee, Science 299, 1874 (2003).
16. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
17. D. V. Lang, H. G. Grimmeiss, E. Meijer, and M. Jaros, Phys. Rev. B 22, 3917 (1980).
18. A. Bailly, O. Renault, N. Barrett, L. F. Zagonel, P. Gentile, N. Pauc, F. Dhalluin, T. Baron, A. Chabli, J. C. Cezar, et al. Nano Lett. 8, 3709 (2008).
19. P. J. Alet, L. Yu, G. Patriarche, S. Palacin, and P. R. i Cabarrocas, J. Mater. Chem., 18, 5187 (2008).
20. Y. Wang, V. Schmidt, S. Senz, and U. Gösele, Nat. Nanotechnol. 1, 186 (2006).
21. A. C. Ford, J. C. Ho, Z. Fan, O. Ergen, V. Altoe, S. Aloni, H. Razavi, and A. Javey, arXiv:0807.0946 (2008).
22. B. Mandl, J. Stangl, T. Mrtensson, A. Mikkelsen, J. Eriksson, L. S. Karlsson, G. Bauer, L. Samuelson, and W. Seifert, Nano Lett. 6, 1817 (2006).
23. K. Tang, Y. Qian, J. Zeng, and X. Yang, Adv. Mater. 15, 448 (2003).
24. K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, and T. Fukui, Nano Lett. 8, 3475 (2008).
25. S. Guha, N. A. Bojarczuk, M. A. L. Johnson, and J. F. Schetzina, Appl. Phys. Lett. 75, 463 (1999).
26. J. Noborisaka, J. Motohisa, and T. Fukui, Appl. Phys. Lett. 86, 213102 (2005).
27. K. Ikejiri, T. Sato, H. Yoshida, K. Hiruma, J. Motohisa, S. Hara, and T. Fukui, Nanotechnology 19, 265604 (2008).
28. S. Ando, N. Kobayashi, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L105 (1998).
29. T. Hayakawa and M. Morishima, Appl. Phys. Lett. 59, 3321 (1991).
30. J. Johansson, L. S. Karlsson, C. P. T. Svensson, T. Mrtensson, B. A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson, and W. Seifert, Nature Mater. 5, 574 (2006).
31. J. Bao, D. C. Bell, F. Capasso, J. B. Wagner, T. Mrtensson, J. Trägrdh, and L. Samuelson, Nano Lett. 8, 836 (2008).
32. M. A. Verheijen, R. E. Algra, M. T. Borgström, G. Immink, E. Sourty, W. J. P. van Enckevort, E. Vlieg, and E. P. A. M. Bakkers, Nano Lett. 7, 3051 (2007).
33. N. E. Christensen, S. Satpathy, and Z. Pawloska, Phys. Rev. B 36, 1032 (1987).
34. T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, L275 (2006).
35. H. Wu, H. Y. Cha, M. Chandrashekhar, M. G. Spencer, and G. Koley, J. Electron. Mater. 35, 670 (2006).
36. P. Caroff, J. B. Wagner, K. A. Dick, H. A. Nilsson, M. Jeppsson, K. Deppert, L. Samuelson, L. R. Wallenberg, and L. E. Wernersson, Small 4, 878 (2008).
37. M. Jeppsson, K. A. Dick, J. B. Wagner, P. Caroff, K. Deppert, L. Samuelson, and L. E. Wernersson, J. Cryst. Growth 310, 4115 (2008).
38. J. Johansson, B. A. Wacaser, K. A. Dick, and W. Seifert, Nanotechnology 17, S355 (2006).
39. V. G. Dubrovskii and N. V. Sibirev, Phys. Rev. B 77, 035414 (2008).
40. P. Caroff, K. A. Dick, J. Johansson, M. E. Messing, K. Deppert, and L. Samuelson, Nat. Nanotechnol. 4, 50 (2009).
41. Z. Ikonic, G. P. Srivastava, and J. C. Inkson, Solid State Commun. 86, 799 (1993).
42. Phys. Rev. B, 48, 17181 (1993); , 52, 14078 (1995).
43. A. L. Moore, S. K. Saha, R. S. Prasher, and L. Shi, Appl. Phys. Lett. 93, 083112 (2008).
44. R. E. Algra, M. A. Verheijen, M. T. Borgström, L. F. Feiner, G. Immink, W. J. P. van Enckenvort, E. Vlieg, and E. P. A. M. Bakkers, Nature (London) 456, 369 (2008).
45. T. Mrtensson, J. B. Wagner, E. Hilner, A. Mikkelsen, C. Thelander, J. Stangl, B. J. Ohlsson, A. Gustafsson, E. Lundgren, L. Samuelson, et al. Adv. Mater. 19, 1801 (2007).
46. S. Piscanec, M. Cantoro, A. C. Ferrari, J. A. Zapien, Y. Lifshitz, S. T. Lee, S. Hofmann, and J. Robertson, Phys. Rev. B 68, 241312 (R) (2003).
47. G. D. Mahan, R. Gupta, Q. Xiong, C. K. Adu, and P. C. Eklund, Phys. Rev. B 68, 073402 (2003).
48. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties, Springer, New York (2005).
49. N. Begum, M. Piccin, F. Jabeen, G. Bais, S. Rubini, F. Martelli, and A. S. Bhatti, J. Appl. Phys. 104, 104311 (2008).
50. S. K. Mohanta, R. K. Soni, N. Gosvani, S. Tripathy, and D. Kanjilal, Appl. Surf. Sci. 253, 4531 (2007).
51. K. W. Adu, Q. Xiong, H. R. Gutierrez, G. Chem, and P. C. Eklund, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 85, 287 (2006).
52. D. Spirkoska, G. Abstreiter, and A. Fontcuberta i Morral, Nanotechnology 19, 435704 (2008).
53. D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27, 985 (1983).
54. X. X. Xu, K. H. Yu, B. Peng, S. H. Huang, Z. H. Chen, and X. S. Shen, Appl. Phys. Lett. 89, 253117 (2006).