Growth of m-GaN layers by epitaxial lateral overgrowth from sapphire sidewalls

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 206, Issue 6, 2009, Pages 1164-1167

  Okada, Narihito ^a   Kawashima, Yuji ^a   Tadatomo, Kazuyuki ^a  

^a YAMAGUCHI UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

A-PLANE; A-PLANE SAPPHIRE; C-PLANE SAPPHIRE; DEEP GROOVE; EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH; GAN LAYERS; GROWTH OF GAN; GROWTH ORIENTATIONS; LOW TEMPERATURE BUFFER LAYERS; M-PLANE; NONPOLAR M-PLANE;

CORUNDUM; EPITAXIAL GROWTH; EPITAXIAL LAYERS; GALLIUM NITRIDE; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING GALLIUM; SILICON COMPOUNDS; SOIL CONSERVATION;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 67649962970     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200880930     Document Type: Article

References (25)

1. T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 413 (2000).
2. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, S. Masui, S. Nagahama, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 91, 251107 (2007).
3. M. Kubota, K. Okamoto, T. Tanaka, and H. Ohta, Appl. Phys. Exp. 1, 011102 (2008).
4. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002).
5. R. Armitage and H. Hirayama, Appl. Phys. Lett. 92, 092121 (2008).
6. M. D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 1281 (2004).
7. T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 298, 261 (2007).
8. K. Xu, J. Xu, P. Deng, R. Qiu, and Z. Fang, Phys. Status Solidi A 176, 589 (1999).
9. Lin Zhou, R. Chandrasekaran, T. D. Moustakas, and D. J. Smith, J. Cryst. Growth 310, 2981 (2008).
10. T. J. Baker, B. A. Haskell, Feng Wu, J. S. Speck, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L154 (2006).
11. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
12. Y. Kawaguchi, S. Nambu, H. Sone, T. Shibata, H. Matsushima, M. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L845 (1998).
13. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).
14. T. Tojyo, T. Asano, M. Takeya, T. Hino, S. Kijima, S. Goto, S. Uchida, and M. Ikeda, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 3206 (2001).
15. T. M. Katona, M. D. Craven, J. S. Speck, and S. P. Den-Baars, Appl. Phys. Lett. 85, 1350 (2004).
16. S. Heikman, S. Keller, S. Newman, Y. Wu, C. Moe, B. Moran, M. Schmidt, U. K. Mishra, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L405 (2005).
17. A. M. Roskowski, E. A. Preble, S. Einfeldt, P. M. Miraglia, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 31, 421 (2002).
18. T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi B 244, 1848 (2007).
19. B. M. Imer, F. Wu, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 88, 061908 (2006).
20. Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, S. Tanaka, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 230, 346 (2001).
21. T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 84, 4717 (2004).
22. F. Bertram, T. Riemann, and J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 74, 359 (1999).
23. T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, Phys. Status Solidi C 2, 2349 (2004).
24. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, and T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L583 (2001).
25. T. Paskova, V. Darakchieva, E. Valcheva, P. P. Paskov, B. Monemar, and M. Heuken, Phys. Status Solidi B 240, 318 (2003).