Strain relaxation and strong impurity incorporation in epitaxial laterally overgrown GaN: Direct imaging of different growth domains by cathodoluminescence microscopy and micro-Raman spectroscopy

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 3, 1999, Pages 359-361

  Bertram, F ^a   Riemann, T ^a   Christen, J ^a   Kaschner, A ^b   Hoffmann, A ^b   Thomsen, C ^b   Hiramatsu, K ^c   Shibata, T ^d   Sawaki, N ^d  

^a OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

^b TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^c MIE UNIVERSITY   (Japan)

^d NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000552320     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123071     Document Type: Article

References (18)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwas, T. Yamada, T. Matsushima, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Proceedings of ICNS'97, Tokushima, Japan, edited by K. Hiramatsu (1997). p. 444; J. Cryst. Growth 189/190, 820 (1998).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwas, T. Yamada, T. Matsushima, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Proceedings of ICNS'97, Tokushima, Japan, edited by K. Hiramatsu (1997). p. 444; J. Cryst. Growth 189/190, 820 (1998).
3. D. Pribat, B. Gerad, M. Dupuy, and P. Legagneux, Appl. Phys. Lett. 60, 2144 (1992).
4. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1996).
5. A. Sakai, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
6. D. Kapolnek, S. Keller, R. Ventury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 71, 1204 (1997).
7. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 899 (1997).
8. T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
9. D. Kapolnek, X. H. Wu, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 67, 1541 (1995).
10. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
11. O.-H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
12. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998).
13. J. A. Freitas, O.-H. Nam, R. F. Davis, G. V. Saparin, and S. K. Obyden, Appl. Phys. Lett. 72, 2990 (1998).
14. J. Christen, M. Grundmann, and D. Bimberg, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2358 (1991).
15. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager, E. Jones, Z. Lilienthal-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. 54, 17745 (1996).
16. H. Siegle, A. Hoffmann, L. Eckey, C. Thomsen, J. Christen, F. Bertram, M. Schmidt, D. Rudloff, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 71, 2490 (1997).
17. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager, E. Jones, Z. Lilienthal-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. 55, 4907 (1997).
18. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).