Reduction of deep levels and improvement of carrier lifetime in n-type 4H-SiC by thermal oxidation

Applied Physics Express

Volumn 2, Issue 4, 2009, Pages 0411011-0411013

  Hiyoshi, Toru ^a   Kimoto, Tsunenobu ^a  

^a KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

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AS-GROWN; CONCENTRATION OF; DEEP LEVELS; DEPTH-PROFILE ANALYSIS; DETECTION LIMITS; PHOTOCONDUCTANCE; REDUCTION MECHANISMS; SIC EPILAYERS; THERMAL OXIDATIONS;

CARRIER LIFETIME; EPILAYERS; OXIDATION; SILICON CARBIDE;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 64749094071     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.2.041101     Document Type: Article

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