Controllable synthesis of vertically aligned p-type GaN nanorod arrays on N-type Si substrates for heterojunction diodes

Advanced Functional Materials

Volumn 18, Issue 21, 2008, Pages 3515-3522

  Tang, Yong Bing ^a   Bo, Xiang Hui ^b   Lee, Chun Sing ^a   Cong, Hong Tao ^b   Cheng, Hui Ming ^b   Chen, Zhen Hua ^a   Zhang, Wen Jun ^a,c   Bello, Igor ^a   Lee, Shuit Tong ^a,c  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b INSTITUTE OF METAL RESEARCH   (China)

^c TECHNICAL INSTITUTE OF PHYSICS AND CHEMISTRY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMINES; CATALYSIS; DIODES; DISTILLATION; GALLIUM NITRIDE; GOLD; LEAKAGE CURRENTS; NANOPARTICLES; NANORODS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOSTRUCTURES; OPTOELECTRONIC DEVICES; ORGANIC COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DIODES; SILICON; SUBSTRATES;

AREAL DENSITIES; AU NANOPARTICLES; CATALYST NANOPARTICLES; CONTROLLABLE GROWTHS; CONTROLLABLE SYNTHESES; GAN NANORODS; GAS PHASE; GROWTH TIMES; HETEROJUNCTION DIODES; NANOSTRUCTURED ARRAYS; RECTIFYING BEHAVIORS; REVERSE BIASES; SEEDING METHODS; SI HETEROJUNCTIONS; SI SUBSTRATES; SI(111) SUBSTRATES; SILICON SUBSTRATES; SYNTHESIS OF; VERTICALLY ALIGNED;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 55849118426     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200800320     Document Type: Article

References (85)

1. a) C. M. Lieber, MRS Bull. 2003, 28, 486.
2. b) Y. Li, F. Qian, J. Xiang, C. M. Lieber, Mater. Today 2006, 9, 18.
3. c) C. M. Lieber, Z. L. Wang. MRS Bull. 2007, 32, 99.
4. a) P. Yang, MRS Bull. 2005, 30, 85.
5. b) P. J. Pauzauskie, P. Yang, Mater. Today 2006, 9, 36.
6. Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, H. Yan, Adv. Mater. 2003, 15, 353.
7. Z. L. Wang, Mater. Today 2004, 7, 26.
8. a) M. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind. E. Weber, R. Russo, P. Yang, Science 2001, 292,1897.
9. b) X. D. Wang, C. J. Summers, Z. L. Wang, Nano Lett. 2004, 4, 423.
10. c) X. D. Wang, J. Song, P. Li, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, C. J. Summers, Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 7920.
11. J. J. Wu, D. K. P. Wong, Adv. Mater. 2007, 19, 2015.
12. a) J. S. Jie, W. J. Zhang, Y. Jiang, X. M. Meng, Y. Q. Li, S. T. Lee, Nano Lett. 2006, 6, 1887.
13. b) J. S. Jie, W. J. Zhang, Y. Jiang, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 133118.
14. a) M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, P. Yang, Nat. Mater. 2005, 4, 455.
15. b) G. K. Mor, K. Shankar, M. Paulose. Nano Lett. 2006, 6, 215.
16. c) K. Peng, Y. Xu, Y. Wu, Y. Yan, S. T. Lee, J. Zhu, small 2005, 1, 1062.
17. W. I. Park, G. C. Yi, Adv. Mater. 2004, 16, 87.
18. a) M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang, Science 2001, 292,1897.
19. b) J. H. Choy, E. S. Jang, J. H. Won, J. H. Chung, D. J. Jang, Y. W. Kim, Adv. Mater. 2003, 15, 1911.
20. a) Z. L. Wang, J. Song,Science 2006, 312, 242.
21. b) P.G. Gao, J. H. Song, J. Liu, Z. L. Wang. Adv. Mater. 2007, 19, 67.
22. c) Z. L. Wang, MRS Bull. 2007, 32, 109.
23. d) Z. L. Wang, Adv. Mater. 2007, 19, 889.
24. d) X. D. Wang, J. H. Song, J. Liu, Z. L. Wang, Science 2007, 316, 102.
25. a) Y. W. Zhu, H. Z. Zhang, X. C. Sun, S. Q. Feng, J. Xu, Q. Zhao, B. Xiang, R. M. Wang, D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 144.
26. b) J. H. He, R. Yang, Y. L. Chueh, L. J. Chou, L. J. Chen, Z. L. Wang, Adv. Mater. 2006, 18, 650.
27. c) Y. B. Tang, H. T. Cong, Z. G. Zhao, H. M. Cheng, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 153104.
28. d) Y. B. Tang, H. T. Cong, Z. M. Wang, H. M. Cheng, Appl. Phys. Lett. 2005, 89, 253112.
29. P. Deb, H. Kim, Y. Qin, R. Lahiji. M. Oliver, R. Reifenberger, T. Sands. Nano Lett. 2006, 6, 2893.
30. a) W. B. Choi, J. U. Chu, K. S. Jeong, E. J. Bae, J. W. Lee, J. J. Kim, J. O. Lee, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3696.
31. b) H. Ng, J. Han, T. Yamada, P. Nguyen, Y. P. Chen, M. Meyyappan, Nano Lett. 2004, 4, 1247.
32. a) W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian, B. H. Chang, B. S. Zou, W. Y. Zhou, R. A. Zhao, G. Wang. Science 1996, 274. 1701.
33. b) Z. F. Ren, Z. P. Huang. J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegal, P. N. Provencio, Science 1998, 282, 1105.
34. a) X. D. Wang, J. Zhou, C. S. Lao, J. H. Song, N. S. Xu, Z. L. Wang. Adv. Mater. 2007, 19.1627.
35. b) S. H. Jung. E. Oh. K. H. Lee, W. Park.S. H. Jeong, Adv. Mater. 2007, 19, 749.
36. c) G. D. Yuan, W. J. Zhang. J. S. Jie, X. Fan, J. X. Tang, I. Shaflq, Z. Z. Ye, C. S. Lee, S. T. Lee, Adv. Mater. 2008, 20, 168.
37. a) K. Q. Peng, Y. J. Yan, S. P. Gao, J. Zhu, Adv. Mater. 2002, 14, 1164.
38. b) K. Peng, M. Zhang, A. Lu, N. B. Wong, R. Zhang, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 163123.
39. c) A. I. Hochbaum, R. Fan, R. He. P. Yang, Nano Lett. 2005, 5, 457.
40. a) S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. J. Appl. Phys. 1994, 76, 8189.
41. b) S. Nakamura. Adv. Mater. 1996, 8, 689.
42. c) H. Morkoc, S. N. Mohammand, Science 1996, 267, 51.
43. d) F. A. Ponce, D. P. Bour, Nature 1997. 386. 251.
44. a) S. Nakamura. Science 1998.281, 956.
45. b) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama. T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 1995, 34, L1332.
46. H. M. Kim, Y. H. Cho, H. Lee, S. I. Kim, S. R. Ryu, D. Y. Kim, T. W. Kangm K. S. Chung. Nano Lett. 2004, 4, 1059.
47. a) R. Calarco. R. J. Meijers, R. K. Debnath, T. Stoica, E. Sutler, H. Luth, Nano Lett. 2007, 7,2 48.
48. b) R. Meijers, T. Richter, R. Calarco, T. Stoica, H. P. Bochem, M. Marso, H. Luth, J. Cryst. Growth 2006, 289, 381.
49. c) N. Thillosen, K. Sebald, H. Hardtdegen, R. Meijers, R. Calarco, S. Montanari, N. Kaluza, J. Outowski. H. Luth. Nano Lett. 2006, 6. 704.
50. a) Z. H. Zhong, F. Qian, D. Wang, C. M. Lieber. Nano Lett. 2003, 3,
51. b) Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, C. M. Lieber, Nano Lett. 2002.2.
52. c) H.J. Choi. H.K.SeongJ.Chang, K.I. Lee. Y.J.Park. J.J.Kim. S. K. Lee, R. He, T. Kuykendall, P. Yang, Adv. Mater. 2005.17,1351.
53. d) J. R. Kim, H. Oh, H. M. So, J. J. Kim, J. Kirn, C. J. Lee, S. C. Lyu, Nanotechnology 2002.13, 701.
54. a) H. M. Kim. D. S. Kim, Y. S. Park. D. Y. Kim. T. W. Kang, K. S. Chung. Adv. Mater. 2003,15, 991.
55. a) F. Qian, Y. Li, S. Gradecak, D. L. Wang, C. J. Barrelet, C. M. Lieher, Nano Lett. 2004, 4, 1975.
56. h) F. Qian, S. Cradecak, Y. Li, C. Y. Wen, C. M. Lieber, Nano Lett. 2008, 5, 2287.
57. a) J. C. Johnson, H. J. Choi, K. P. Knutsen, R. D. Schaller, P. D. Yang, R. J. Saykally, Nat. Mater. 2002. 1, 106.
58. h) P. J. Pauzauskie. D. J. Sirbuly, P. D. Yang, Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 143903.
59. a) J. Goldberger, R. R. He, Y. F. Zhang, S. W. Lee, H. Q. Yan, H. J. Choi, P. D. Yang, Nature 2003, 422. 599.
60. b) T. Kuykendall, P. J. Pauzauskie, Y. F. Zhang, J. Goldberger, D. Sirbuly, J. Denlinger, P. D. Yang. Nat. Mater. 2004, 3, 524.
61. c) H. D. Hersee, X. Sun,X. Wang.Nano Lett. 2006, 6, 1808.
62. d) X. Wang. X. Y. Sun, M. Fairchild, S. D. Hersee Appl Phys. Lett. 2006, 89, 233115.
63. e) G. Kipshidze, B. Yavich, A. Chandolu, J. Yun, V. Kuryatkov, I. Ahmad, D. Aurongzeb. M. Holtz, H. Temkin. Appl Phys. Lett. 2005, 86, 033104.
64. Y. P. Sun, Y. H. Cho, H. M. Kim, T. W. Kang, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 093115.
65. a) L. W. Tu, C. L. Hsiao, T. W. Chi, I. Lo, K. Y. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 2003, 82,1601.
66. b) Y. S. Park.C. M. Park, D. J. Fu, T. W. Kang, J. E. Oh, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5718.
67. c) H. Y. Chen, H. W. Lin, C. H. Shen, S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 243105.
68. a) P. Deb. H. Kim, V. Rawat, M. Oliver, S. Kim, M. Marshall, E. Stach, T. Sands, Nano Lett. 2005, 5, 1847.
69. b) J. Yoo, Y. J. Hong, S. J. An, G. C. Yi, B. Chon, T. Joo, J. W. Kim, J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 043124.
70. G. Frens, Nature Phys. Sci. 1973, 211, 20.
71. a) N. A. Kotov, I. Dekany, J. H. Fendler, J. Phys. Chem. 1995, 90, 13065.
72. b) D. L. Feldheim, K. C. Grabar, M. J. Natan, T. E. Mallouk, J. Am. Chem. Soc. 1996, 118, 7640.
73. c) J. Schmitt, G. Decher, W. J. Dressick, S. L. Brandow, R. E. Geer, R. Shashidhar, J. M. Calvert, Adv. Maler. 1997, 9, 61.
74. d) A. N. Shipway, M. Lahav, I. Willner, Adv. Mater. 2000, 12, 993.
75. a) S. H. Jo, J. Y. Lao, Z. F. Ren, R. A. Farrer, T. Baldacchini, J. T. Fourkas. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4821.
76. b) S.-H. Jeong, H.-Y. Hwang, K.-H. Lee, Y. Jeong. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2052.
77. D. A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, McGraw-Hill, New York 2003, p. 304.
78. G. Cheng, A. Kolmakov, Y. Zhang, M. Moskovits, R. Munden, A. M. Reed, G. Wang, D. Moses. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1578.
79. a) H. C. Casey, J. Muth, S. Krishnankutty, J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2867.
80. b) P. Perlin, M. Osinsky, P. G. Eliseev, V. A. Smagley, J. Mu, M. Banas, P. Sartori, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 1680.
81. c) V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicand. Res. 1996, 1, 29.
82. d) J. M. Shah, Y. L. Li, T. Gessmann, E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 2003, 94, 2627.
83. e) A. Chitnis, A. Kumar, M. Shatalov, V. Adivarahan, A. Lunev, J. W. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, R. Gaska, M. Shur, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3800.
84. a) A. Doron, E. Katz, I. Willner, Langmulr 1995, 11, 1313.
85. b) A. N. Shipway, E. Katz, I. Willner, Chem. Phys. Chem. 2000, 1, 18.