GaN nanorod schottky and p-n junction diodes

Nano Letters

Volumn 6, Issue 12, 2006, Pages 2893-2898

  Deb, Parijat ^a   Kim, Hogyoung ^a   Qin, Yexian ^a   Lahiji, Roya ^a   Oliver, Mark ^a   Reifenberger, Ronald ^a   Sands, Timothy ^a  

^a PURDUE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

IDEALITY FACTORS; NANOROD DIODES; THIN FILM DIODES; TUNNELING EFFECTS;

ELECTRIC BREAKDOWN; GALLIUM NITRIDE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SEMICONDUCTOR DIODES; THIN FILM DEVICES;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 33846352493     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl062152j     Document Type: Article

References (32)

1. Lieber, C. M. MRS Bull. 2003, 28, 486.
2. Xia, Y.; Yang, P.; Sun, Y.; Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F.; Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353.
3. Han, W.; Redlich, P.; Ernst, F.; Ruble, M. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 652.
4. Chen, C. C.; Yeh, C. C. Adv. Mater. 2000, 12, 738.
5. Li, J. Y.; Chen, X. L.; Qiao, Z. Y.; Cao, Y. G.; Lan, Y. C. J. Crystal Growth 2000, 213, 408.
6. Cheng, G. S.; Zhang, L. D.; Zhu, Y.; Fei, G. T.; Li, L. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 2455.
7. Yoshizawa, M.; Kikuchi, A.; Mori, M.; Fujita, M.; Kishino, K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 1997, 36, L459.
8. Logan, R. A.; Thurmond, C. D. J. Electrochem. Soc. 1972, 119, 1727.
9. Park, Y. J.; Son, M. O.; Kim, E. K.; Min, S. K. J. Korean Phys. Soc. 1998, 32, 621.
10. Elwell, D.; Feigelson, R. S.; Simkins, M. M.; Tiller, W. A. J. Crystal Growth 1984, 66, 45.
11. Kim, H. M.; Kim, D. S.; Park, Y. S.; Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K. S. Adv. Mater. 2002, 14, 991.
12. Tang, C. C.; Fan, S. S.; Dang, H. Y.; Li, P.; Liu, Y. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1961.
13. Duan, X.; Huang, Y.; Agrawal, R.; Lieber, C. M. Nature 2003, 421, 241.
14. Huang, Y.; Duan, X.; Lieber, C. M. Small 2005, 1, 142.
15. Luryi, S.; Suhir, E. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 140.
16. Zubia, D.; Hersee, S. D.; J. Appl. Phys. 1999, 85, 6492.
17. Hersee, S. D.; Zubia, D.; Sun, X.; Bemmena, R.; Fairchild, M.; Zhang, S.; Burckel, D.; Fraunglass, A.; Breuck, S. IEEE J. Quantum Electron. 2002, 38, 1017.
18. Ertekin, E.; Greaney, P. A.; Sands, T. D.; Chrzan, D. C. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2003, 737, F10.4.1.
19. Ertekin, E.; Greaney, P. A.; Chrzan, D. C.; Sands, T. D. J. Appl. Phys. 2005, 97, 114325.
20. Deb, P.; Kim, H.; Rawat, V.; Oliver, M.; Kim, S.; Marshall, M.; Stach, E.; Sands, T. Nano Lett. 2005, 5, 1847.
21. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley: New York, 198.
22. Hacke, P.; Detchprohm, T.; Hiramatsu, K.; Sawaki, N. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2676.
23. Park, W. I.; Yi, G. C.; Kim, J. W.; Park, S. M. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4358.
24. Smit, G. D. J.; Rogge, S.; Klapwijk, T. M. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2568.
25. Smit, G. D. J.; Rogge, S.; Klapwijk, T. M. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3852.
26. Karrer, U.; Ambacher, O.; Stutzmann, M. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2012.
27. Motayed, A.; Davydov, A. V.; Vaudin, M. D.; Levin, I.; Melngailis, J.; Mohammad, S. N. J. Appl. Phys. 2006, 100, 024306.
28. Kim, H. G.; Deb, P.; Sands, T. IEEE Trans. Electron Devices 2006, 53, 2448.
29. Kim, H. G.; Deb, P.; Sands, T. Submitted to J. Electron. Mater.
30. Cheng, G.; Kolmakov, A.; Zhang, Y.; Moskovits, M.; Munden, R.; Reed, A. M.; Wang, G.; Moses, D. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1578.
31. Kim, J. R.; Oh, H.; So, H. M.; Kim, J. J.; Kim, J.; Lee, C. J.; Lyu, S. C. Nanotechnology 2002, 13, 701.
32. Kim, H. M.; Cho, Y. H.; Lee, H.; Kim, S.; Ryu, S. R.; Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K. S. Nano Lett. 2004, 4, 1059.