Comparative study of flatband voltage transients on high-k dielectric-based metal-insulator-semiconductor capacitors

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 11, 2008, Pages

  Duenas S ^a   Castan H ^a   Garcia H ^a   Gomez A ^a   Bailon L ^a   Kukli, K ^b,c   Aarik, J ^b   Ritala, M ^c   Leskela M ^c  

^a UNIVERSITY OF VALLADOLID   (Spain)

^b UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

^c UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CONDUCTIVITY; HAFNIUM COMPOUNDS; METAL INSULATOR BOUNDARIES; METALS; MIS DEVICES; SEMICONDUCTOR MATERIALS; TRANSIENTS;

COMPARATIVE STUDIES; FLAT-BAND VOLTAGE; HIGH-K DIELECTRICS; METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR CAPACITORS; METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR STRUCTURES; SYSTEMATIC STUDY;

SEMICONDUCTOR INSULATOR BOUNDARIES;

EID: 52649093335     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2975828     Document Type: Article

References (28)

1. S. Zafar, A. Callegari, E. P. Gusev, and M. V. Fischetti, J. Appl. Phys., 93, 9298 (2003).
2. H. Takeuchi, D. Ha, and T.-K. King, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 1337 (2004).
3. N. V. Nguyen, A. V. Davydov, D. Chandler-Horowitz, and M. M. Franck, Appl. Phys. Lett., 87, 192903 (2005).
4. G. Bersuker, J. H. Sim, C. D. Young, C. S. Park, R. Choi, P. M. Zeitzoff, G. A. Brown, B. H. Lee, and R. Murto, Microelectron. Reliab., 44, 1509 (2004).
5. G. Ribes, J. Mitard, M. Denais, S. Bruyere, F. Monsieur, C. Parthasarathy, E. Vincent, and G. Ghibaudo, IEEE Trans. Device Mater. Reliab., 5, 5 (2005).
6. J. Mitard, C. Leroux, G. Reimbold, X. Garros, F. Martin, and G. Ghibaudo, in Defects in Advanced High- k Dielectric Nano-Electronic Semiconductor Devices, E. Gusev, Editor, p. 85, Springer, New York (2006).
7. G. Bersuker, P. Zeitzoff, J. Sim, B. Lee, R. Choi, G. Brown, and C. D. Young, Appl. Phys. Lett., 87, 042905 (2005).
8. J. L. Gavartin, D. Muoz Ramo, A. L. Shluger, G. Bersuker, and B. H. Lee, Appl. Phys. Lett., 89, 082908 (2006).
9. P. Broqvist and A. Pasquarello, Appl. Phys. Lett., 89, 262904 (2006).
10. K. Xiong, J. Robertson, M. C. Gibson, and S. G. Clark, Appl. Phys. Lett., 87, 183505 (2005).
11. K. Xiong, J. Robertson, and S. G. Clark, Phys. Status Solidi B, 243, 2071 (2006).
12. D. Muoz Ramo, J. L. Gavartin, A. L. Shluger, and G. Bersuker, Phys. Rev. B, 75, 205336 (2007).
13. S. Dueas, H. Castán, H. García, L. Bailón, K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, Microelectron. Reliab., 47, 653 (2007).
14. M. V. Fischetti, D. A. Neumayer, and E. A. Cartier, J. Appl. Phys., 90, 4587 (2001).
15. A. Paskaleva, A. J. Bauer, and M. Lemberger, Microelectron. Reliab., 45, 1124 (2005).
16. S. Dueas, H. Castán, H. García, A. Gómez, L. Bailón, K. Kukli, T. Hatanpää, J. Lu, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Electrochem. Soc., 154, G207 (2007).
17. S. Dueas, H. Castán, H. García, A. Gómez, L. Bailón, M. Toledano-Luque, I. Mártil, and G. González- Díaz, Semicond. Sci. Technol., 22, 1344 (2007).
18. M. Ritala, in High K Gate Dielectrics, M. Houssa, Editor, p. 17, Institute of Physics Publishing, London (2004).
19. E. San Andŕs, M. Toledano-Luque, A. Prado, M. A. Navacerrada, I. Mártil, G. González-Díaz, W. Bohne, J. Röhrich, and E. Strub, J. Vac. Sci. Technol. A, 23, 1523 (2005).
20. S. Dueas, H. Castán, H. García, J. Barbolla, K. Kukli, and J. Aarik, J. Appl. Phys., 96, 1365 (2004).
21. J. Aarik, A. Aidla, H. Mändar, V. Sammelselg, and T. Uustare, J. Cryst. Growth, 220, 105 (2000).
22. S. Dueas, H. Castán, H. García, L. Bailón, K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, M. Rooth, O. Wilhelmsson, and A. Harsta, J. Appl. Phys., 100, 094107-1 (2006).
23. T. Suntola, Thin Solid Films, 216, 82 (1992).
24. S. Dueas, H. Castán, H. García, A. de Castro, L. Bailón, K. Kukli, A. Aidla, J. Aarik, H. Mändar, T. Uustare, J. Appl. Phys., 99, 054902-1 (2006).
25. S. Dueas, H. Castán, H. García, E. San Andŕs, M. Toledano-Luque, I. Mártil, G. González-Díaz, K. Kukli, T. Uustare, and J. Aarik, Semicond. Sci. Technol., 20, 1044 (2005).
26. I. Jgi, J. Aarik, M. Laan, J. Lu, K. Kukli, H. Käämbre, T. Sajavaara, and T. Uustare, Thin Solid Films, 510, 39 (2006).
27. R. O'Connor, S. McDonnell, G. Hughes, R. Degraeve, and T. Kauerauf, Semicond. Sci. Technol., 20, 658 (2005).
28. A. Laha, E. Bugiel, H. J. Osten, and A. Fissel, Appl. Phys. Lett., 88, 172107 (2006).