Electronic structure of a laterally graded Zr O2 -Ti O 2 film on Si(100) prepared by metal-organic chemical vapor deposition in ultrahigh vacuum

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 9, 2008, Pages

  Richter, J H ^a   Karlsson, P G ^a   Sandell, A ^a  

^a UPPSALA UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONIC STRUCTURE; FILM PREPARATION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SILICON; TITANIUM DIOXIDE; VACUUM; ZIRCONIA;

BAND ALIGNMENTS; ELECTRONIC LEVELS;

OXIDE FILMS;

EID: 43949098281     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2924427     Document Type: Article

References (45)

1. C. R. Aita, J. D. DeLoach, and R. S. Sorbello, J. Appl. Phys. 94, 654 (2003).
2. M. Hirano, C. Nakahara, K. Ota, O. Tanaike, and M. Inangaki, J. Solid State Chem. 170, 39 (2003).
3. S. W. Liu, C. F. Song, M. K. Lu, F. Gu, S. F. Wang, D. Xu, and D. R. Yuan, Mater. Sci. Eng., B 104, 49 (2003).
4. M. D. Hernández-Alonso, I. Tejedor-Tejedor, J. M. Coronado, J. Soria, and M. A. Anderson, Thin Solid Films 502, 125 (2006).
5. A. Kitiyanan, S. Sakulkhaemaruthai, Y. Suzuki, and S. Yoshikawa, Compos. Sci. Technol. 66, 1259 (2006).
6. S. Qiu and T. L. Starr, J. Electrochem. Soc. 154, H472 (2007).
7. J. Yu, J. Lin, and R. W. M. Kwok, J. Phys. Chem. B 102, 5094 (1998).
8. X. Fu, L. A. Clark, Q. Yang, and M. A. Anderson, Environ. Sci. Technol. 30, 647 (1996).
9. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).
10. S. Miyazaki, M. Narasaki, M. Ogasawara, and M. Hirose, Solid-State Electron. 46, 1679 (2002).
11. V. V. Afanas'ev, F. Ciobanu, S. Dimitrijev, G. Pensl, and A. Stesmans, J. Phys.: Condens. Matter 16, S1839 (2004).
12. A. Sandell, P. G. Karlsson, J. H. Richter, J. Blomquist, P. Uvdal, and T. M. Grehk, Appl. Phys. Lett. 88, 132905 (2006).
13. H. Tang, H. Berger, P. E. Schmid, F. Ĺvy, and G. Burri, Solid State Commun. 23, 161 (1977).
14. A. Aoki and G. Nogami, J. Electrochem. Soc. 143, L191 (1996).
15. J. Yan, D. C. Gilmer, S. A. Campbell, W. L. Gladfelter, and P. G. Schmidt, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1706 (1996).
16. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X.-C. Wang, M.-T. Hsieh, H.-S. Kim, W. L. Gladfelter, and J. Yan, IEEE Trans. Electron Devices 44, 104 (1997).
17. D. C. Gilmer, D. G. Colombo, C. J. Taylor, J. Roberts, G. Haugstad, S. A. Campbell, H.-S. Kim, G. D. Wilk, M. A. Gribelyuk, and W. L. Gladfelter, Chem. Vap. Deposition 4, 9 (1998).
18. T. Fuyuki and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 25, 1288 (1986).
19. S. A. Campbell, H.-S. Kim, D. C. Gilmer, B. He, T. Ma, and W. L. Gladfelter, IBM J. Res. Dev. 43, 383 (1999).
20. J. P. Chang, Y.-S. Lin, S. Berger, A. Kepten, R. Bloom, and S. Levy, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2137 (2001).
21. J. P. Chang and Y.-S. Lin, J. Appl. Phys. 90, 2964 (2001).
22. M. Copel, M. Griebelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000).
23. M. Houssa, A. Stesmas, M. Naili, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 77, 1381 (2000).
24. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
25. R. Puthenkovilakam and J. P. Chang, Appl. Phys. Lett. 84, 1353 (2004).
26. R. Puthenkovilakam, E. A. Carter, and J. P. Chang, Phys. Rev. B 69, 155329 (2004).
27. R. B. Van Dover, L. F. Schneemeyer, and R. M. Fleming, Nature (London) 392, 162 (1998).
28. B. Xia, R. C. Smith, T. L. Moersch, and W. L. Gladfelter, Appl. Surf. Sci. 223, 14 (2004).
29. R. C. Smith, N. Hoilien, J. Chien, S. A. Campbell, J. T. Roberts, and W. L. Gladfelter, Chem. Mater. 15, 292 (2003).
30. R. Nyholm, J. N. Andersen, U. Johansson, B. N. Jensen, and I. Lin-dau, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 467-468, 520 (2001).
31. B. S. Swartzentruber, Y.-W. Mo, M. B. Webb, and M. G. Lagally, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2901 (1989).
32. E. M. Moser, M. Metzger, and L. J. Gauckler, Fresenius' J. Anal. Chem. 353, 684 (1995).
33. G. S. A. M. Theunissen, A. J. A. Winnubst, and A. J. Burggraaf, J. Mater. Sci. 27, 5057 (1992).
34. J. H. Richter, P. G. Karlsson, B. Sanyal, J. Blomquist, P. Uvdal, and A. Sandell, J. Appl. Phys. 101, 104120 (2007).
35. A. Sandell, M. P. Andersson, Y. Alfredsson, M. K.-J. Johansson, J. Schnadt, H. Rensmo, H. Siegbahn, and P. Uvdal, J. Appl. Phys. 92, 3381 (2002).
36. K. Westermark, A. Henningsson, H. Rensmo, S. Södergren, H. Siegbahn, and A. Hagfeldt, Chem. Phys. 285, 157 (2002).
37. C. J. Taylor, D. C. Gilmer, D. G. Colombo, G. D. Wilk, S. A. Campbell, J. Roberts, and W. L. Gladfelter, J. Am. Chem. Soc. 121, 5220 (1999).
38. D. J. Burleson, J. T. Roberts, W. L. Gladfelter, S. A. Campbell, and R. C. Smith, Chem. Mater. 14, 1269 (2002).
39. R. Ruus, A. Kikas, A. Saar, A. Ausmees, E. Nommiste, J. Aarik, A. Aidla, T. Uustare, and I. Martinson, Solid State Commun. 104, 199 (1997).
40. P. G. Karlsson, J. H. Richter, J. Blomquist, P. Uvdal, T. M. Grehk, and A. Sandell, Surf. Sci. 601, 1008 (2007).
41. F. M. F. de Groot, J. C. Fuggle, B. T. Thole, and G. A. Sawatzky, Phys. Rev. B 41, 928 (1990).
42. L. Soriano, G. G. Fuentes, C. Quirós, J. F. Trigo, J. M. Sanz, P. R. Bressler, and A. R. González-Elipe, Langmuir 16, 7066 (2000).
43. P. G. Karlsson, S. Bolik, J. H. Richter, B. Mahrov, E. M. J. Johansson, J. Blomquist, P. Uvdal, H. Rensmo, H. Siegbahn, and A. Sandell, J. Chem. Phys. 120, 11224 (2004).
44. R. Asahi, Y. Taga, W. Mannstadt, and A. J. Freeman, Phys. Rev. B 61, 7459 (2000).
45. H. Richter, A. Henningsson, P. G. Karlsson, M. P. Andersson, P. Uvdal, H. Siegbahn, and A. Sandell, Phys. Rev. B 71, 235418 (2005).