Titanium dioxide thin-film growth on silicon (111) by chemical vapor deposition of titanium(IV) isopropoxide

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 6, 2002, Pages 3381-3387

  Sandell, A ^a   Anderson, M P ^b   Alfredsson, Y ^a   Johansson, M K J ^b   Schnadt, J ^a   Rensmo, H ^a   Siegbahn, H ^a   Uvdal, P ^b  

^a UPPSALA UNIVERSITY   (Sweden)

^b LUND UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS INTERFACES; ANATASE TIO; CORE-LEVEL PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; INITIAL STAGES; ISO-PROPOXIDE; OXIDATION STATE; OXYGEN ATOM; SAMPLE TEMPERATURE; SI (1 1 1); SI ATOMS; SILICON (111); TI ATOMS; TIO;

ATOMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; FILM GROWTH; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SILICON; TITANIUM; TITANIUM COMPOUNDS; VAPORS; X RAY ABSORPTION SPECTROSCOPY;

TITANIUM DIOXIDE;

EID: 18644369602     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1501751     Document Type: Article

References (38)

1. R. B. van Dover, L. F. Schneemayer, and R. M. Fleming, Nature (London) 392, 162 (1998). nat NATUAS 0028-0836
2. J. Yan, D. C. Gilmer, S. A. Campbell, W. L. Gladfelder, and P. G. Schmid, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1706 (1996). jvb JVTBD9 0734-211X
3. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X. Wang, M. T. Hsieh, H. S. Kim, W. L. Gladfelder, and J. Yan, IEEE Trans. Electron Devices 44, 1 (1977). etd IETDAI 0018-9383
4. T. Fuyuki and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 25, 1288 (1986). jjb JAPNDE 0021-4922
5. J. P. Chang and Y.-S. Lin, J. Appl. Phys. 90, 2964 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
6. B. Brar, G. D. Wilk, and A. C. Seabaugh, Appl. Phys. Lett. 69, 2728 (1996). apl APPLAB 0003-6951
7. T. Fuyuki, T. Kobayashi, and H. Matsunami, J. Electrochem. Soc. 135, 248 (1988). jes JESOAN 0013-4651
8. H.-S. Kim, D. C. Gilmer, S. A. Campbell, and D. L. Polla, Appl. Phys. Lett. 69, 3860 (1996). apl APPLAB 0003-6951
9. D. C. Gilmer, D. G. Colombo, C. J. Taylor, J. Roberts, G. Haugstad, S. A. Campbell, H.-S. Kim, G. D. Wilk, M. A. Gribelyuk, and W. L. Gladfelder, Chem. Vap. Deposition 4, 9 (1998). cvd CVDEFX 0948-1907
10. N. Rausch and E. P. Burte, J. Electrochem. Soc. 140, 145 (1993). jes JESOAN 0013-4651
11. K.-A. Son, A. Y. Mao, B. Y. Kim, F. Liu, E. D. Pylant, D. A. Hess, J. M. White, D. L. Kwong, D. A. Roberts, and R. N. Vrtis, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1670 (1998). jva JVTAD6 0734-2101
12. G. B. Alers, D. J. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and R. S. Urdahl, Appl. Phys. Lett. 73, 1517 (1998). apl APPLAB 0003-6951
13. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998). prl PRLTAO 0031-9007
14. M. Copel, M. Griebelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000). apl APPLAB 0003-6951
15. M. Houssa, A. Stesmas, M. Naili, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 77, 1381 (2000). apl APPLAB 0003-6951
16. J. P. Chang, Y.-S. Lin, S. Berger, A. Kepten, R. Bloom, and S. Levy, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2137 (2001). jvb JVTBD9 0734-211X
17. M. Ritala, M. Leskelä, L. Niinistö, and P. Haussalo, Chem. Mater. 5, 1174 (1993). cma CMATEX 0897-4756
18. M. Ritala, K. Kukli, A. Rahtu, P. I. Räisänen, M. Leskelä, T. Sajavaara, and J. Keinonen, Science 288, 319 (2000). sci SCIEAS 0036-8075
19. I. Kim, S. Ahn, B. Cho, J. Lee, J. Chun, and W. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 6691 (1994). jjb JAPNDE 0021-4922
20. S. Y. Huang, L. Kavan, I. Exnar, and M. Grätzel, J. Electrochem. Soc. 142, L142 (1995). jes JESOAN 0013-4651
21. I. Exnar, L. Kavan, S. Y. Huang, and M. Grätzel, J. Power Sources 68, 720 (1997). jso JPSODZ 0378-7753
22. F. Bonino, L. Busani, M. Lazzari, M. Manstretta, B. Rivolta, and B. Scrosati, J. Power Sources 6, 261 (1981). jso JPSODZ 0378-7753
23. M. P. Cantao, J. I. Cisneros, and R. M. Toresi, Thin Solid Films 259, 70 (1995). tsf THSFAP 0040-6090
24. A. Hagfeldt, N. Vlachopolous, and M. Grätzel, J. Electrochem. Soc. 141, L82 (1994). jes JESOAN 0013-4651
25. B. O'Regan and M. Grätzel, Nature (London) 353, 737 (1991). nat NATUAS 0028-0836
26. See for example: G. B. Raupp, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1883 (1995). jvb JVTBD9 0734-211X
27. J. N. Andersen, O. Björneholm, A. Sandell, R. Nyholm, J. Forsell, L. Thånell, A. Nilsson, and N. Mårtensson, Synchrotron Radiat. News 4, 15 (1991). 9d2 ZZZZZZ 0894-0886
28. A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986). jes JESOAN 0013-4651
29. Omicron Vakuumphysik GMbH, Taunusstein, Germany.
30. C. J. Taylor, D. C. Gilmer, D. G. Colombo, G. D. Wilk, S. A. Campbell, J. Roberts, and W. L. Gladfelder, J. Am. Chem. Soc. 121, 5220 (1999). acs JACSAT 0002-7863
31. R. Sanjines, H. Tang, H. Berger, F. Gozzo, G. Margaritondo, and F. Levy, J. Appl. Phys. 75, 2945 (1994). jap JAPIAU 0021-8979
32. J. T. Mayer, U. Diebold, T. E. Madey, and E. Garfunkel, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 73, 1 (1995). jer JESRAW 0368-2048
33. F. Xu, D. M. Hill, P. J. Benning, and J. H. Weaver, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2593 (1989). jva JVTAD6 0734-2101
34. F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J. A. Yarmoff, and G. Hollinger, Phys. Rev. B 38, 6084 (1988). prb PRBMDO 0163-1829
35. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000); jap JAPIAU 0021-8979
36. J. P. Chang and Y.-S. Lin, Appl. Phys. Lett. 79, 3824 (2001). apl APPLAB 0003-6951
37. R. Ruus, A. Kikas, A. Saar, A. Ausmees, E. Nõmmiste, J. Aarik, A. Aidla, T. Uustare, and I. Martinson, Solid State Commun. 104, 199 (1997). ssc SSCOA4 0038-1098
38. F. M. F. de Groot, M. O. Figueiredo, M. J. Basto, M. Abbate, H. Petersen, and J. C. Fuggle, Phys. Chem. Miner. 19, 140 (1992). pch PCMIDU 0342-1791