Growth and characterization of titanium silicate nanofilms for gate oxide applications

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 8, Issue 2, 2008, Pages 577-583

  Lee, Seungjae ^a   Kim, Jaehyun ^a   Yong, Kijung ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

ALCVD; Gate oxide; Nanofilm; Titanium silicate

Indexed keywords

ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (ALCVD); GATE OXIDES; NANOFILMS; TITANIUM SILICATE;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; GATE DIELECTRICS; GROWTH RATE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; TITANIUM COMPOUNDS;

FILM GROWTH;

EID: 42549171543     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2008.A206     Document Type: Conference Paper

References (33)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. A. I. Kingon, J.-P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000).
3. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
4. M. Copel, E. Cartier, and F. M. Ross, Appl. Phys. Lett. 78, 1607 (2001).
5. J. A. Gupta, D. Landheer, J. P. McCaffrey, and G. I. Sproule, Appl. Phys. Lett. 78, 1718(2001).
6. D. K. Sarkar, E. Desbiens, and M. A. El Khakani, Appl. Phys. Lett. 80, 294 (2002).
7. D. K. Sarkar, D. Brassard, and M. A. El Khakani, Appl. Phys. Lett. 87, 253108 (2005).
8. D. Brassard, D. K. Sarkar, and M. A. El Khakani, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 600 (2006).
9. T. Busani and R. A. B. Devine, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 369 (2006).
10. B. C. Hendrix, A. S. Borovik, C. Xu, J. F. Roeder, and T. H. Baum, Appl. Phys. Lett. 80, 2362 (2002).
11. W. K. Kim, S. W. Kang, and S. W. Rhee, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 2096 (2002).
12. M. Ritala, K. Kukli, A. Rahtu, Petri I. Räisänen, M. Leskelä, T. Sajavaara, and J. Keionen, Science 288, 319 (2000).
13. T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 100/101, 391 (1996).
14. O. Sneh, R. B. Clack-Phelps, A. R. Londergan, J. Winkler, and T. E. Seidel, Thin Solid Films 402, 248 (2002).
15. T. Suntola, Handbook of Crystal Growth 3, 601 (1994).
16. M. Ritala, M. Juppo, K. Kukli, A. Rahtu, and M. Leskela, J. Phys. IV France 9, Pr8-1021 (1999).
17. S. M. George, A. W. Ott, and J. W. Klaus, J. Phys. Chem. 100, 13121 (1996).
18. K. Yong and J. Jeong, Korean Journal of Chemical Engineering 19, 451 (2002).
19. J. Y. Kim, G. H. Choi, Y. D. Kim, Y. Kim, and H. Jeon, J. Appl. Phys. 42, 4245 (2003).
20. J. Kim and K. Yong, J. Crys. Growth 263, 442 (2004).
21. J. Kim and K. Yong, J. Electrochem. Soc. 152, F45 (2005).
22. Roy G. Gorden, Jill Becker, Dennis Hausmann, and Seigi Suh, Chem. Mater. 13, 2463 (2001).
23. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaar, J. Keionen, D. C. Gilmer, and P. J. Tobin, Mater. Sci. Eng. B 109, 2 (2004).
24. W. K. Kim, S. W. Rhee, N. I. Lee, J. H. Lee, and H. K. Kang, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1285 (2004).
25. R. L. Opila, G. D. Wilk, M. A. Alam, R. B. van Dover, and B. W. Busch, Appl. Phys. Lett. 81, 1788 (2002).
26. R. P. Netterfield, P. J. Martin, C. G. Pacey, W. G. Sainty, D. R. McKenzie, and G. Auchterlonie, J. Appl. Phys. 66, 1805 (1989).
27. Z. M. Wang, Q. Fang, J.-Y. Zhang, J. X. Wu, Y. Di, W. Chen, M. L. Chen, and Ian W. Boyd, Thin Solid Films 453-454, 167 (2004).
28. J. T. Mayer, U. Diebold, T. E. Madey, and E. Garfunkel, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 73, 1 (1995).
29. JCPDS card No.84-1286.
30. JCPDS card No. 86-0148.
31. J. Kim and K. Yong, J. Appl. Phys. 100, 0044106 (2006).
32. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W.-J. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000).
33. S. A. Campbell, H.-S. Kim, D. C. Gilmer, B. He, T. Ma, and W. L. Gladfelter, IBM J. Res. Develop. 43, 383 (1999).