메뉴 건너뛰기




Volumn 103, Issue 3, 2008, Pages

Carrier lifetime measurement in n- 4H-SiC epilayers

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPUTER SIMULATION; PHOTOCONDUCTIVITY; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON CARBIDE;

EID: 39349099950     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2837105     Document Type: Article
Times cited : (171)

References (50)
  • 2
    • 33748621800 scopus 로고
    • PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.87.835.
    • W. Shockley and W. T. Read, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.87.835 87, 835 (1952).
    • (1952) Phys. Rev. , vol.87 , pp. 835
    • Shockley, W.1    Read, W.T.2
  • 5
    • 0001097635 scopus 로고    scopus 로고
    • JESOAN 0013-4651 10.1149/1.1836650.
    • W. M. Bullis and H. R. Huff, J. Electrochem. Soc. JESOAN 0013-4651 10.1149/1.1836650 143, 1399 (1996).
    • (1996) J. Electrochem. Soc. , vol.143 , pp. 1399
    • Bullis, W.M.1    Huff, H.R.2
  • 7
    • 0017973867 scopus 로고
    • JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.325149.
    • T. L. Chu and E. D. Stokes, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.325149 49, 2996 (1978).
    • (1978) J. Appl. Phys. , vol.49 , pp. 2996
    • Chu, T.L.1    Stokes, E.D.2
  • 9
    • 39349103704 scopus 로고    scopus 로고
    • Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, Hoboken),.
    • D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, Hoboken, 2006), p. 389.
    • (2006) , pp. 389
    • Schroder, D.K.1
  • 10
    • 36149004075 scopus 로고
    • PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.87.387.
    • R. N. Hall, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.87.387 87, 387 (1952).
    • (1952) Phys. Rev. , vol.87 , pp. 387
    • Hall, R.N.1
  • 13
    • 36149020606 scopus 로고
    • PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.105.524.
    • D. J. Sandiford, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.105.524 105, 524 (1957).
    • (1957) Phys. Rev. , vol.105 , pp. 524
    • Sandiford, D.J.1
  • 14
    • 36149015022 scopus 로고
    • PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.109.1086.
    • G. K. Wertheim, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.109.1086 109, 1086 (1958).
    • (1958) Phys. Rev. , vol.109 , pp. 1086
    • Wertheim, G.K.1
  • 15
    • 33744673392 scopus 로고
    • PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.112.1607.
    • K. C. Nomura and J. S. Blakemore, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.112.1607 112, 1607 (1958).
    • (1958) Phys. Rev. , vol.112 , pp. 1607
    • Nomura, K.C.1    Blakemore, J.S.2
  • 17
    • 33744688708 scopus 로고
    • JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1703175.
    • B. G. Streetman, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1703175 37, 3137 (1966).
    • (1966) J. Appl. Phys. , vol.37 , pp. 3137
    • Streetman, B.G.1
  • 18
    • 0000120914 scopus 로고    scopus 로고
    • JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.368024.
    • J. Linnros, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.368024 84, 275 (1998).
    • (1998) J. Appl. Phys. , vol.84 , pp. 275
    • Linnros, J.1
  • 19
    • 36549099727 scopus 로고
    • JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.341097.
    • J. Waldmeyer, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.341097 63, 1977 (1988).
    • (1988) J. Appl. Phys. , vol.63 , pp. 1977
    • Waldmeyer, J.1
  • 24
    • 0001118795 scopus 로고
    • SSCOA4 0038-1098 10.1016/0038-1098(65)90092-X.
    • E. Biedermann, Solid State Commun. SSCOA4 0038-1098 10.1016/0038-1098(65) 90092-X 3, 343 (1965).
    • (1965) Solid State Commun. , vol.3 , pp. 343
    • Biedermann, E.1
  • 26
    • 36549095754 scopus 로고
    • JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.337612.
    • M. Kunst and G. Beck, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.337612 60, 3558 (1986).
    • (1986) J. Appl. Phys. , vol.60 , pp. 3558
    • Kunst, M.1    Beck, G.2
  • 27
    • 77956955253 scopus 로고
    • in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Ahrenkiel and M. S. Lundstrom (Academic, New York)
    • R. K. Ahrenkiel, in Semiconductors and Semimetals, edited by, R. K. Ahrenkiel, and, M. S. Lundstrom, (Academic, New York, 1993), Vol. 39, pp. 39-150.
    • (1993) , vol.39 , pp. 39-150
    • Ahrenkiel, R.K.1
  • 28
    • 0017554052 scopus 로고
    • JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.323537.
    • M. Boulou and D. Bois, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.323537 48, 4713 (1977).
    • (1977) J. Appl. Phys. , vol.48 , pp. 4713
    • Boulou, M.1    Bois, D.2
  • 29
    • 0001060922 scopus 로고
    • JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.357521.
    • A. B. Sproul, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.357521 76, 2851 (1994).
    • (1994) J. Appl. Phys. , vol.76 , pp. 2851
    • Sproul, A.B.1
  • 34
    • 36149012928 scopus 로고
    • PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.109.1103.
    • C. T. Sah and W. Shockely, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.109.1103 109, 1103 (1958).
    • (1958) Phys. Rev. , vol.109 , pp. 1103
    • Sah, C.T.1    Shockely, W.2
  • 35
    • 0000671018 scopus 로고
    • PLRBAQ 0556-2805 10.1103/PhysRevB.1.687.
    • S. C. Choo, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 10.1103/PhysRevB.1.687 1, 687 (1970).
    • (1970) Phys. Rev. B , vol.1 , pp. 687
    • Choo, S.C.1
  • 36
    • 33845725251 scopus 로고    scopus 로고
    • JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.2401658.
    • K. Danno and T. Kimoto, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.2401658 100, 113728 (2006).
    • (2006) J. Appl. Phys. , vol.100 , pp. 113728
    • Danno, K.1    Kimoto, T.2
  • 37
    • 33846987871 scopus 로고    scopus 로고
    • APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2472530.
    • L. Storasta and H. Tsuchida, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2472530 90, 062116 (2007).
    • (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.90 , pp. 062116
    • Storasta, L.1    Tsuchida, H.2
  • 38
    • 39349107605 scopus 로고
    • Physics of Semiconductors, 2nd ed. (Wiley, New York),.
    • S. M. Sze, Physics of Semiconductors, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), p. 25.
    • (1981) , pp. 25
    • Sze, S.M.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.