Systematic investigation into the influence of growth conditions on InAs/GaAs quantum dot properties

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 7, 2007, Pages

  Passow, T ^a,b   Li, S ^a   Feinaugle P ^a   Vallaitis, T ^a   Leuthold, J ^a   Litvinov, D ^a   Gerthsen, D ^a   Hetterich, M ^a  

^a UNIVERSITY OF KARLSRUHE   (Germany)

^b FRAUNHOFER INSTITUTE FOR APPLIED SOLID STATE PHYSICS IAF   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CAP LAYER GROWTH; HIGH SIZE UNIFORMITY; QUANTUM-DOT STRUCTURES;

SEMICONDUCTOR GROWTH;

EID: 35348924856     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2779270     Document Type: Article

References (52)

1. J. -Y. Marzin, J. -M. Ǵrard, A. Izrael, D. Barrier, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.73.716 73, 716 (1994).
2. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.110199 63, 3203 (1993).
3. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.92959 40, 939 (1982).
4. L. V. Asryan and R. A. Suris, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/11/4/017 11, 554 (1996).
5. N. Kistaedter, N. N. Ledentsov, M. Grundman, D. Bimberg, U. Richter, S. S. Ruvimov, P. Werner, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Electron. Lett. 0013-5194 10.1049/el:19970785 33, 1150 (1994).
6. P. Michler, A. Kiraz, C. Becher, W. V. Schoenfeld, P. M. Petroff, L. Zhang, E. Hu, and A. Imamoǧlu, Science 0036-8075 10.1126/science.290. 5500.2282 290, 2282 (2000).
7. K. Sebald, P. Michler, T. Passow, D. Hommel, G. Bacher, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1515364 81, 2920 (2002).
8. M. B. Ward, O. Z. Karimov, D. C. Unitt, Z. L. Yuan, P. See, D. G. Gevaux, A. J. Shields, P. Atkinson, and D. A. Ritchie, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1922573 86, 201111 (2005).
9. W. Löffler, D. Tröndle, J. Fallert, H. Kalt, D. Litvinov, D. Gerthsen, J. Lupaca-Schomber, T. Passow, B. Daniel, J. Kvietková, M. Grün, C. Klingshirn, and M. Hetterich, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2172221 88, 062105 (2006).
10. M. Hetterich, W. Löffler, J. Fallert, N. Höpcke, H. Burger, T. Passow, S. Li, B. Daniel, B. Ramadout, J. Lupaca-Schomber, J. Hetterich, D. Litvinov, D. Gerthsen, C. Klingshirn, and H. Kalt, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/pssb.200672120 243, 3812 (2006).
11. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, S. Malik, D. Childs, and R. Murray, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.62.10891 62, 10891 (2000).
12. J. X. Chen, A. Markus, A. Fiore, U. Oesterle, R. P. Stanley, J. F. Carlin, R. Houdŕ, M. Ilegems, L. Lazzarini, L. Nasi, M. T. Todaro, E. Piscopiello, R. Cingolani, M. Catalano, J. Katcki, and J. Ratajczak, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1476069 91, 6710 (2002).
13. T. Sugaya, K. Komori, S. Yamauchi, and T. Amano, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1913672 23, 1243 (2005).
14. B. Alloing, C. Zinoni, V. Zwiller, L. H. Li, C. Monat, M. Gobet, G. Buchs, and A. Fiore, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1872213 86, 101908 (2005).
15. L. Chu, M. Arzberger, G. Böhm, and G. Abstreiter, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.369549 85, 2355 (1999).
16. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J. -S. Lee, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.123459 74, 1111 (1999).
17. A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen, and A. Konkar, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.111456 64, 2727 (1994).
18. G. S. Solomon, J. A. Trezza, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.113822 66, 991 (1995).
19. G. S. Solomon, J. A. Trezza, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.113709 66, 3161 (1995).
20. K. Yamaguchi, K. Yujobo, and T. Kaizu, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1245 (2000). 0021-4922
21. A. Ohtake and M. Ozeki, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1342216 78, 431 (2001).
22. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, E. C. Le Ru, and R. Murray, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.64.235317 64, 235317 (2001).
23. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, D. Bimberg, V. M. Ustinov, N. A. Cherkashin, Yu. G. Musikhin, B. V. Volovik, G. E. Cirlin, and Zh. I. Alferov, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/16/6/316 16, 502 (2001).
24. B. J. Riel, K. Hinzer, S. Moisa, J. Fraser, P. Finnie, P. Piercy, S. Fafard, and Z. R. Wasilewski, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(01) 02391-0 236, 145 (2002).
25. K. Shiramine, T. Itoh, S. Muto, T. Kozaki, and S. Sato, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(02)01437-9 242, 332 (2002).
26. O. Suekane, S. Hasegawa, T. Okui, M. Takata, and H. Nakashima, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 1022 (2002). 0021-4922
27. T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 66, 201302 (R) (2002).
28. S. Kiravittaya, Y. Nakamura, and O. G. Schmidt, Physica E (Amsterdam) 1386-9477 10.1016/S1386-9477(01)00525-2 13, 224 (2002).
29. R. Songmuang, S. Kiravittaya, M. Sawadsaringkarn, S. Panyakeow, and O. G. Schmidt, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(02)02474-0 251, 166 (2003).
30. V. G. Dubrovskii, G. E. Cirlin, Yu. G. Musikhin, Yu. B. Samsonenko, A. A. Tonkikh, N. K. Polyakov, V. A. Egorov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Krizhanovskaya, V. M. Ustinov, and P. Werner, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro.2004.03.055 267, 47 (2004).
31. T. J. Krzyzewski and T. S. Jones, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1759788 96, 668 (2004).
32. M. D. Kim, T. W. Kim, Y. D. Woo, S. G. Kim, and J. S. Hong, J. Cryst. Growth 278, 125 (2005). 0022-0248
33. N. Grandjean, J. Massies, and O. Tottereau, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.55.R10189 55, R10189 (1997).
34. G. D. Lian, J. Yuan, L. M. Brown, G. H. Kim, and D. A. Ritchie, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121719 73, 49 (1998).
35. A. Rosenauer, W. Oberst, D. Litvinov, D. Gerthsen, A. Förster, and R. Schmidt, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.61.8276 61, 8276 (2000).
36. A. Strecker, J. Mayer, B. Baretzky, U. Eigenthaler, T. H. Gemming, R. Schweinfest, and M. Rühle, J. Electron Microsc. (Tokyo) 48, 235 (1999). 0022-0744
37. A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, and A. Förster, Ultramicroscopy 0304-3991 10.1016/S0304-3991(98)00002-3 72, 121 (1998).
38. S. Fafard, Z. R. Wasilewski, C. Ni. Allen, D. Picard, M. Spanner, J. P. McCaffrey, and P. G. Piva, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.59.15368 59, 15368 (1999).
39. N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Böhrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, V. A. Shchukin, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, A. O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, and J. Heydenreich, Solid-State Electron. 0038-1101 10.1016/0038-1101(95)00364-9 40, 785 (1996).
40. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.107835 61, 557 (1992).
41. D. Litvinov, D. Gerthsen, A. Rosenauer, M. Schowalter, T. Passow, P. Feinäugle, and M. Hetterich, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.74. 165306 74, 165306 (2006).
42. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.75.2968 75, 2968 (1995).
43. I. Daruka and A. -L. Barabási, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.79.3708 79, 3708 (1997).
44. I. Kegel, T. H. Metzger, A. Lorke, J. Peisl, J. Stangl, G. Bauer, K. Nordlund, W. V. Schoenfeld, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.035318 63, 035318 (2001).
45. D. M. Bruls, J. W. A. M. Vugs, P. M. Koenraad, H. W. M. Salemink, J. H. Wolter, M. Hopkinson, M. S. Skolnik, F. Long, and S. P. A. Gill, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1504162 81, 1708 (2002).
46. P. D. Quinn, N. R. Wilson, S. A. Hatfield, C. F. McConville, G. R. Bell, T. C. Q. Noakes, P. Baily, S. Al-Harthi, and F. Gard, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2099533 87, 153110 (2005).
47. N. Liu, J. Tersoff, O. Baklenov, A. L. Holmes, Jr., and C. K. Shih, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.84.334 84, 334 (2000).
48. A. Lenz, R. Timm, H. Eisele, Ch. Hennig, S. K. Becker, R. L. Sellin, U. W. Pohl, D. Bimberg, and M. Dähne, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1533109 81, 5150 (2002).
49. M. A. Migliorato, A. G. Cullis, M. Fearn, and J. H. Jefferson, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.65.115316 65, 115316 (2002).
50. P. Offermans, P. M. Koenraad, J. H. Wolter, K. Pierz, M. Roy, and P. A. Maksym, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.72.165332 72, 165332 (2005).
51. Ch. Heyn, D. Endler, K. Zhang, and W. Hansen, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(99)00901-X 210, 421 (2000).
52. Ch. Heyn, A. Bolz, T. Maltezopoulos, R. L. Johnson, and W. Hansen, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro.2004.12.055 278, 46 (2005).