Ripening and annealing effects in InAs/GaAs(001) quantum dot formation

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 1, 2004, Pages 668-674

  Krzyzewski, T J ^a   Jones, T S ^a  

^a IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CRYSTAL GROWTH; MOLECULAR BEAM EPITAXY; QUENCHING; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; STATISTICAL METHODS; THERMAL EFFECTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ATOMIC MONOLAYERS; INTENTIONAL GROWTH; SURFACE MICROSCOPY; WETTING LAYER (WL) MORPHOLOGY;

INDIUM COMPOUNDS;

EID: 3142660695     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1759788     Document Type: Article

References (38)

1. See, e.g., D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1999).
2. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, B. A. Joyce, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 58, R15 981 (1998).
3. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11 687 (1994).
4. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, E. C. Le Ru, and R. Murray, Phys. Rev. B 64, 235 317 (2001).
5. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, S. Malik, D. Childs, and R. Murray, Phys. Rev. B 62, 10 891 (2000).
6. A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen, and A. Konkar, Appl. Phys. Lett. 64, 2727 (1994).
7. I. Mukhametzanov, Z. Wei, R. Heitz, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 75, 85 (1999).
8. S. Malik, C. Roberts, R. Murray, and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
9. B. D. Min, Y. Kim, E. K. Kim, S.-K. Min, and M. J. Park, Phys. Rev. B 57, 11 879 (1998).
10. H. Yasuda, F. Matsukura, Y. Ohno, and H. Ohno, Appl. Surf. Sci. 166, 413 (2000).
11. T. Suzuki, Y. Temko, and K. Jacobi, Phys. Rev. B 67, 045315 (2003).
12. P. Ballet, J. B. Smathers, H. Yang, C. L. Workman, and G. J. Salamo, J. Appl. Phys. 90, 481 (2001).
13. G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. Stanley Williams, Phys. Rev. B 58, 3533 (1998).
14. S. Lee, I. Daruka, C. S. Kim, A.-L. Barabási, J. L. Merz, and J. K. Furdyna, Phys. Rev. Lett. 81, 3479 (1998).
15. A. Raab and G. Springholz, Appl. Phys. Lett. 77, 2991 (2000).
16. J. M. Gerard, J. B. Genin, J. Lefebvre, J. M. Moison, N. Lebouche, and F. Barthe, J. Cryst. Growth 150, 351 (1995).
17. Z. M. Wang, S. L. Feng, X. P. Yang, Z. D. Lu, Z. Y. Xu, H. Z. Zheng, F. L. Wang, P. D. Han, and X. F. Duan, J. Cryst. Growth 192, 97 (1998).
18. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, P. H. Steans, G. R. Bell, J. H. Neave, and T. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 79, 3615 (2001).
19. V. A. Shchukin and D. Bimberg, Rev. Mod. Phys. 71, 1125 (1999).
20. B. G. Orr, C. W. Snyder, and M. Johnson, Rev. Sci. Instrum. 62, 1400 (1991).
21. M. Berti, A. V. Drigo, G. Rosetto, and G. Torso, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1794 (1997).
22. G. Costantini, C. Manzano, R. Songmuang, O. G. Schmidt, and K. Kern, Appl. Phys. Lett. 82, 3194 (2003).
23. T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 66, 121 307 (2002).
24. T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 66, 201 302 (2002).
25. A. Nakamura, A. N. Titkov, M. Ichida, V. P. Evtikhiev, and K. Kryga-novskii, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 66, 1035 (1998).
26. L. G. Wang, P. Kratzer, M. Seheffler, and N. Moll, Phys. Rev. Lett. 82, 4042 (1999).
27. R. Stanley Williams, G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins, and D. A. A. Ohlberg, Annu. Rev. Phys. Chem. 51, 527 (2000), and references therein.
28. T. I. Kamins and R. S. Williams, Surf. Sci. 405, L580 (1998).
29. C. Chiu, Appl. Phys. Lett. 75, 3473 (1999).
30. M. Meixner, R. Kunert, and E. Scholl, Phys. Rev. B 67, 195 301 (2003).
31. H.-W. Ren, K. Nishi, S. Sugou, M. Sugisaki, and Y. Masumoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4118 (1997).
32. O. Suekane, S. Hasegawa, M. Tanaka, T. Okui, and H. Nakashima, Appl. Surf. Sci. 190, 218 (2002).
33. A. Rosenauer, W. Oberst, D. Litvinov, D. Gerthsen, A. Forster, and R. Schmidt, Phys. Rev. B 61, 8276 (2000).
34. T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Surf. Sci. 517, 8 (2002).
35. N. N. Ledentsov et al., Phys. Rev. B 50, 12 171 (1994).
36. F. Patella, S. Nufris, F. Arcipete, M. Fanfoni, E. Placidi, A. Sgarlata, and A. Balzarotti, Phys. Rev. B 67, 205 308 (2003).
37. R. Heitz, T. R. Ramachandran, A. Kalburge, Q. Xie, I. Mukhametzhanov, P. Chen, and A. Madhukar, Phys. Rev. Lett. 78, 4071 (1997).
38. Y. Ebiko, S. Muto, D. Suzuki, S. Itoh, K. Shiramine, T. Haga, Y. Nakata, and N. Yokoyama, Phys. Rev. Lett. 80, 2650 (1998).