On the electric-dipole contribution to the valence-band offsets in semiconductor-oxide heterostructures

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 4, 2007, Pages

  Mönch, Winfried ^a  

^a UNIVERSITY OF DUISBURG ESSEN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE TRANSFER; ELECTRON ENERGY LEVELS; HETEROJUNCTIONS; VALENCE BANDS;

BRANCH-POINT ENERGIES; ELECTRIC-DIPOLE TERM; SEMICONDUCTOR-OXIDE HETEROSTRUCTURES;

ELECTRIC DIPOLE MOMENTS;

EID: 34547445646     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2760176     Document Type: Article

References (51)

1. B. Metzger, Compound Semicond. 13, 16 (2007).
2. W. Mönch, Electronic Properties of Semiconductor Interfaces (Springer, Berlin, 2004).
3. J. Tersoff, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1066 (1986).
4. W. Mönch, J. Appl. Phys. 80, 5076 (1996).
5. A. Baldereschi, Phys. Rev. B 7, 5212 (1973).
6. D. R. Penn, Phys. Rev. 128, 2093 (1962).
7. A. M. Cowley and S. M. Sze, J. Appl. Phys. 36, 3212 (1965).
8. W. Mönch, Appl. Surf. Sci. 92, 367 (1996).
9. A. R. Miedema, P. F. de Châtel, and F. R. de Boer, Physica B 100, 1 (1980).
10. L. N. Pauling, The Nature of the Chemical Bond (Cornell University, Ithaca, NY, 1939).
11. V. V. Afanas'ev, H. Houssa, A. Stesmans, and M. M. Heyns, J. Appl. Phys. 91, 3079 (2002).
12. B. E. Deal, E. H. Snow, and C. A. Mead, J. Phys. Chem. Solids 27, 1873 (1966).
13. A. M. Goodman and J. J. O'Neill, J. Appl. Phys. 37, 3580 (1996).
14. R. J. Powell and R. C. Bearisto, Solid-State Electron. 16, 265 (1973).
15. D. A. Buchanan, F. R. McFeely, and J. J. Yurkas, Appl. Phys. Lett. 73, 1676 (1998).
16. V. Misra, G. P. Heuss, and H. Zhong, Appl. Phys. Lett. 78, 4166 (2001).
17. F. J. Grunthaner and P. J. Grunthaner, Mater. Sci. Rep. 1, 65 (1986).
18. F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J. A. Yarmoff, and G. Hollinger, Phys. Rev. B 38, 6084 (1988).
19. V. V. Afanas'ev, M. Bassler, G. Pensl, M. J. Schulz, and E. Stein von Kamienski, J. Appl. Phys. 79, 3108 (1996).
20. J. L. Alay and M. Hirose, J. Appl. Phys. 81, 1606 (1997).
21. J. W. Keister, J. E. Rowe, J. J. Kolodziej, H. Niimi, T. E. Madey, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 183 (1999).
22. K. Hirose, K. Sakano, H. Nohira, and T. Hattori, Phys. Rev. B 64, 155325 (2001).
23. S. Miyazaki, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2212 (2001).
24. V. V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 78, 3073 (2001).
25. E. Sayan, E. Garfunkel, and S. Suzer, Appl. Phys. Lett. 80, 2135 (2002).
26. G. Lucovsky, G. B. Rayner, Jr., Y. Zhang, C. C. Fulton, R. J. Nemanich, G. Appel, H. Ade, and J. L. Whitten, Appl. Surf. Sci. 212-213, 563 (2003).
27. A. Ohta, M. Yamaoka, and S. Miyazaki, Microelectron. Eng. 72, 154 (2004).
28. C. C. Fulton, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 99, 063708 (2006).
29. B. Mattern, M. Bassler, G. Pensl, and L. Ley, Mater. Sci. Forum 264-268, 375 (1998).
30. V. V. Afanas'ev and A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. 77, 2024 (2000).
31. T. E. Cook, Jr., C. C. Fulton, W. J. Mecouch, K. M. Tracy, R. F. Davis, E. H. Hurt, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 93, 3995 (2003).
32. D.-Y. Ban, J.-G. Xue, R.-C. Fang, S.-H. Xu, E.-D. Lu, and P.-S. Xu, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 989 (1998).
33. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S. Joo, D.-L. Kwong, J. S. Pan, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 376 (2002).
34. T. Hashizume, S. Ootomo, and H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 83, 2952 (2003).
35. K. Y. Gao, Th. Seyller, L. Ley, F. Ciobanu, G. Pensl, A. Tadich, J. D. Riley, and R. G. C. Leckey, Appl. Phys. Lett. 83, 1830 (2003).
36. M. L. Huang, Y. C. Chang, T. D. Lin, J. Kwo, T. B. Wu, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 89, 012903 (2006).
37. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, F. Chen, X. Shi, and S. A. Campbell, Appl. Phys. Lett. 81, 1053 (2002).
38. M. Yamaoka, M. Narasaki, H. Murakami, and S. Miyazaki, Second International Semiconductor Technology Conference (Japan Electrochemical Society, Tokyo, 2002), p. 229.
39. V. V. Afanas'ev and A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. 84, 2319 (2004).
40. T. E. Cook, Jr., C. C. Fulton, W. J. Mecouch, R. F. Davis, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 94, 7155 (2003).
41. M. Oshima, S. Toyoda, T. Okumura, J. Okabayashi, H. Kumigashira, K. Ono, M. Niwa, K. Usuda, and N. Hirashita, Appl. Phys. Lett. 83, 2172 (2003).
42. O. Renault, N. T. Barrett, D. Samour, and S. Quiais-Marthon, Surf. Sci. 566-568, 526 (2004).
43. K.-I. Seo, P. C. McIntyre, S. Sun, D.-I. Lee, P. Pianetta, and K. C. Saraswat, Appl. Phys. Lett. 87, 042902 (2005).
44. S. Spiga, C. Wiemer, G. Tallarida, G. Scarel, S. Ferrari, G. Seguini, and M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett. 87, 112904 (2005).
45. M. Perego, G. Seguini, and M. Fanciulli, J. Appl. Phys. 100, 093718 (2006).
46. C. M. Tanner, J. Choi, and P. Chang, J. Appl. Phys. 101, 034108 (2007).
47. S. J. Wang, A. C. H. Huan, Y. L. Foo, J. W. Chai, J. S. Pan, Q. Li, Y. F. Dong, Y. P. Feng, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 85, 4418 (2004).
48. C. O. Chui, D.-I. Lee, A. A. Singh, P. Pianetta, and K. C. Saraswat, J. Appl. Phys. 97, 113518 (2005).
49. W. Mönch, Appl. Phys. Lett. 86, 122101 (2005).
50. G. Margaritondo, A. D. Katnani, N. G. Stoffel, R. R. Daniels, and T.-X. Zho, Solid State Commun. 43, 163 (1982).
51. Q. Wahab, M. Karlsteen, O. Nur, L. Hultman, M. Willander, and J.-E. Sundgren, J. Electron. Mater. 25, 1495 (1996).