Effect of Ga/Si interdiffusion on optical and transport properties of GaN layers grown on Si(111) by molecular-beam epitaxy

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 58, Issue 3, 1998, Pages 1550-1559

  Calleja, E ^a   Sanchez Garcia M ^a   Basak, D ^a   Sanchez F ^a   Calle, F ^a   Youinou, P ^a   Munoz E ^a   Serrano, J ^a   Blanco, J ^a   Villar, C ^a  

^a UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000479156     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.58.1550     Document Type: Article

References (44)

1. B-C. Chung and M. Gershenzon, J. Appl. Phys. 72, 651 (1992).
2. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
3. P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17 255 (1995).
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
5. X. Zhang, D. Walker, A. Saxler, P. Kung, J. Xu, and M. Razeghi, Electron. Lett. 32, 1622 (1996).
6. J. P. Bergman, T. Lundström, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 3456 (1996).
7. T. Kimoto, A. Yamashita, A. Ito, and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 32, 1045 (1993).
8. Y. C. Wang, R. F. Davis, and J. A. Edmond, J. Electron. Mater. 20, 289 (1991).
9. See also C. F. Young, K. Xie, E. H. Poindexter, G. J. Gerardi, and D. J. Keeble, Appl. Phys. Lett. 70, 1868 (1997).
10. M. A. Sánchez-García, E. Calleja, E. Monroy, F. J. Sánchez, F. Calle, E. Muñoz, and R. Beresford, J. Cryst. Growth 183, 23 (1998).
11. M. A. Sánchez-García, E. Calleja, F. J. Sánchez, F. Calle, E. Monroy, D. Basak, E. Muñoz, C. Villar, A. Sanz-Hervás, M. Aguilar, J. J. Serrano, and J. M. Blanco, J. Electron. Mater. 27, 276 (1998), special issue on III-Nitrides and SiC.
12. E. Calleja, M. A. Sánchez-García, E. Monroy, F. J. Sánchez, E. Muñoz, A. Sanz-Hervás, C. Villar, and M. Aguilar, J. Appl. Phys. 82, 4681 (1997).
13. D. C. Look, D. C. Reynolds, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 80, 2960 (1996).
14. R. J. Molnar, T. Lei, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 72 (1993).
15. D. L. Rode and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1972 (1995).
16. L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1495 (1995).
17. D. K. Gaskill, A. E. Wickenden, K. Doverspike, B. Tadayon, and L. B. Rowland, J. Electron. Mater. 24, 1525 (1995).
18. B. K. Meyer, D. Volm, A. Graber, H. C. Alt, T. Detchprohm, A. Amano, and I. Akasaki, Solid State Commun. 95, 597 (1995).
19. See also S. Fisher, C. Wenzel, E. E. Haller, and B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett. 67, 1298 (1995).
20. D. Basak, M. Verdú, M. T. Montojo, M. A. Sánchez-García, F. J. Sánchez, E. Muñoz, and E. Calleja, Semicond. Sci. Technol. 12, 1654 (1997).
21. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
22. F. Calle, F. J. Sánchez, J. M. G. Tijero, M. A. Sánchez-García, E. Calleja, and R. Beresford, Semicond. Sci. Technol. 12, 1396 (1997).
23. D. Volm, K. Oettinger, T. Streibl, D. Kovalev, M. Ben-Chorin, J. Diener, B. K. Meyer, J. Majewski, L. Eckey, A. Hoffmann, H. Amano, Y. Akasaki, K. Hiramatsu, and T. Detchprohm, Phys. Rev. B 53, 16 543 (1996).
24. M. Godlewski, J. P. Bergman, B. Monemar, U. Rossner, and A. Barski, Appl. Phys. Lett. 69, 2089 (1996).
25. A. Otani, K. S. Stevens, and R. Beresford, Appl. Phys. Lett. 65, 61 (1995).
26. J. R. Haynes, Phys. Rev. Lett. 4, 361 (1960).
27. A. E. Wickenden, L. B. Rowland, K. Doverspike, D. K. Gaskill, J. A. Freitas, D. S. Simons, and P. H. Chi, J. Electron. Mater. 24, 1547 (1995).
28. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Götz, N. M. Johnson, H. I. Helava, I. Grzegory, J. Jun, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 68, 917 (1996).
29. W. Götz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler, Appl. Phys. Lett. 68, 3144 (1996).
30. M. Leroux, B. Beaumont, N. Grandjean, P. Lorenzini, S. Haffouz, P. Vennéguès, J. Massies, and P. Gibart, Mat. Ser. Ing. B (to be published).
31. E. F. Schubert, I. D. Goepfert, W. Grieshaber, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 71, 921 (1997).
32. In-Hwan Lee, In-Hoon Choi, C. R. Lee, and S. K. Noh, Appl. Phys. Lett. 71, 1359 (1997).
33. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, T. Suski, J. W. Ager, J. Washburn, J. Krüger, C. Kisielowski, E. R. Weber, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 990 (1996).
34. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17 745 (1996).
35. W. G. Perry, T. Zheleva, M. D. Bremser, R. F. Davis, W. Shan, and J. J. Song, J. Electron. Mater. 26, 224 (1997).
36. S. Nakamura, T. Mukai, and S. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 2883 (1992).
37. P. Hacke, A. Maekawa, N. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 6443 (1994).
38. Y. J. Wang, R. Kaplan, H. K. Ng, K. Doverspike, D. K. Gaskill, T. Ikedo, I. Akasaki, and H. Amano, J. Appl. Phys. 79, 8007 (1996).
39. Gyu. Chul Yi and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 69, 3028 (1996).
40. J. G. Kim, A. C. Frenkel, H. Liu, and R. M. Park, Appl. Phys. Lett. 65, 91 (1994).
41. J. C. Zolper, M. H. Crawford, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. B. Vartuli, C. Yuan, and R. A. Stall, J. Electron. Mater. 25, 839 (1996).
42. J. C. ZolperM. H. CrawfordS. J. PeartonC. R. AbernathyC. B. VartuliC. YuanR. A. StallSee also Appl. Phys. Lett. 70, 2729 (1997).
43. P. Hautojärvi and C. Corbel, in Positron Spectroscopy of Solids, edited by A. Dupasquier and A. P. Mills, Jr. (IOS, Amsterdam, 1995).
44. K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissilä, L. Dobrzynski, J. M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. Lett. 79, 3033 (1997).