Effect of reactive ion etching on the yellow luminescence of GaN

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 23, 1999, Pages 3710-3712

  Basak, D ^a   Lachab, M ^a   Nakanishi, T ^a   Sakai, S ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKUSHIMA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0011760748     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125437     Document Type: Article

References (17)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1568 (1997).
2. T. Ogino and M. Akoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
3. T. Matilla and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 55, 2182 (1997).
4. H. Siegle, P. Thurian, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 68, 1265 (1996).
5. S. Christiansen, M. Albrecht, W. Dorsch, H. P. Strunk, C. Zanotti-Fregonara, G. Salviati, A. Pelzmann, M. Mayer, P. Kamp, and K. J. Ebeling, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 19 (1996).
6. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, H. C. Crookham, J. A. Freitas, Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 63, 2673 (1993).
7. P. Perlin, T. Suski, H. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, P. Boguslaski, J. Bernhole, J. C. Chervin, A. Polian, and T. Moustakes, Phys. Rev. Lett. 75, 296 (1995).
8. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
9. K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissila, P. Hautojarvi, L. Dobrzynski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997).
10. H. Calleja, M. A. Sánchez-García, D. Basak, F. J. Sánchez, F. Calle, P. Youinou, and E. Muñoz, Phys. Rev. B 58, 1550 (1998).
11. C. Trager-Cowan, K. P. Odonell, S. E. Hopper, and C. T. Foxon, Appl. Phys. Lett. 68, 355 (1996).
12. F. Ren, J. R. Lothian, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. B. Vartuli, J. D. Mackenzie, R. G. Wilson, and R. F. Karlicek, J. Electron. Mater. 26, 1287 (1997).
13. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, A. P. Kinsella, D. Johnson, and C. Constantine, Appl. Phys. Lett. 56, 1424 (1990).
14. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
15. D. Basak, K. Yamashita, K. Nishino, Q. Fareed, T. Sugahara, and S. Sakai, J. Vac. Sci. Technol. B (submitted).
16. L. W. Tu, Y. C. Lee, S. J. Chen, I. Lo, D. Stocker, and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 73, 2802 (1998).
17. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).