Dry etch damage in n-type GaN and its recovery by treatment with an N2 plasma

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 11, 2000, Pages 7667-7670

  Lee, Ji Myon ^a   Chang, Ki Myung ^a   Kim, Sang Woo ^a   Huh, Chul ^a   Lee, In Hwan ^a   Park, Seong Ju ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000845607     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373438     Document Type: Article

References (25)

1. I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. Asif Khan, D. T. Olsen, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 63, 2777 (1993).
2. A. T. Ping, I. Adesida, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 67, 1250 (1995).
3. R. J. Shul, S. P. Kilcoyne, M. Hagerott Crawford, J. E. Parmeter, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 66, 1761 (1995).
4. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, R. F. Davis, and W. V. Lampert, Appl. Phys. Lett. 71, 3631 (1997).
5. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1994).
6. J. M. Lee, S. W. Kim, and S. J. Park (unpublished).
7. B. Y. Yoo, S. J. Park, and K. H. Park, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 931 (1995).
8. S. J. Pearton, Appl. Surf. Sci. 117/118, 597 (1997).
9. B. Molnar, C. R. Eddy, Jr., and K. Doverspike, J. Appl. Phys. 78, 6132 (1995).
10. S. J. Pearton and R. J. Shul, in Gallium Nitride I, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1997), Chap. 5.
11. K. L. Seaward and N. J. Moll, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 46 (1992).
12. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, and F. A. Baiocchi, Appl. Phys. Lett. 55, 1633 (1989).
13. D. W. Jenkins and J. D. Dow, Phys. Rev. B 39, 3317 (1989).
14. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1997).
15. L. W. Tu, Y. C. Lee, S. J. Chen, I. Lo, D. Stocker, and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 75, 2802 (1998).
16. E. F. Schubert, I. D. Goepfert, W. Grieshaber, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 71, 921 (1997).
17. E. Oh, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 1848 (1998).
18. X. A. Cao, H. Cho, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 232 (1999).
19. O. Ambacher, H. Angerer, R. Dimitrov, W. Rieger, M. Stutzmann, G. Dollinger, and A. Bergmaier, Phys. Status Solidi A 159, 105 (1997).
20. M. W. Cole, R. Ren, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 71, 3004 (1997).
21. W. Y. Han, Y. Lu, H. S. Lee, M. W. Cole, L. M. Casas, A, DeAnni, and K. A. Jones, J. Appl. Phys. 74, 754 (1993).
22. T. C. Fu, N. Newman, E. Jones, J. S. Chan, X. Liu, M. D. Rubin, N. W. Cheung, and E. R. Weber, J. Electron. Mater. 24, 249 (1995).
23. O. Ambacher, F. Freudenberg, R. Dimitrov, H. Angerer, and M. Stutzmann, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 2416 (1998).
24. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
25. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 261 (1998).