Plasma-induced damage study for n-GaN using inductively coupled plasma reactive ion etching

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 19, Issue 6, 2001, Pages 2926-2929

  Khan, F A ^a   Zhou, L ^a   Kumar, V ^a   Adesida, I ^a  

^a University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC BREAKDOWN; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRIC VARIABLES MEASUREMENT; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; PLASMA ETCHING; REACTIVE ION ETCHING; STOICHIOMETRY;

BIAS VOLTAGE; CAPACITANCE VOLTAGE MEASUREMENT; CHARGE DENSITY; PLASMA INDUCED DAMAGE; REVERSE BREAKDOWN VOLTAGE;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0035519777     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1418415     Document Type: Article

References (18)

1. I. Adeisda, A. T. Ping, C. Youtsey, T. Dow, M. A. Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 65, 889 (1994).
2. A. T. Fing, I. Adesida, M. A. Khan, and J. N. Kuznia, J. Electron. Mater. 24, 229 (1995).
3. A. T. Fing, A. C. Schmitz, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 25, 825 (1996).
4. I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. A. Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 63, 2777 (1993).
5. M. E. Lin, Z. F. Fan, Z. Ma, L. H. Allen, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 887 (1994).
6. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, J. R. Lothian, P. W. Wisk, and A. Katz, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1772 (1993).
7. H. Lee, D. B. Oberman, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 1754 (1995).
8. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, R. J. Shul, A. J. Howard, S. P. Kilcoyne, J. E. Parmeter, and M. Hagerott-Crawford, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1011 (1996).
9. L. Zhang, J. Ramer, J. Brown, K. Zheng, L. F. Lester, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett. 68, 367 (1996).
10. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and C. B. Vartuli, Electron. Lett. 30, 1985 (1994).
11. G. F. McLane, L. Casas, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 66, 3328 (1995).
12. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. A. Casalnuovo, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. Constantine, C. Barratt, R. F. Karlicek, Jr., C. Tran, and M. Schurman, Appl. Phys. Lett. 69, 1119 (1996).
13. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, R. F. Davis, and W. V. Lampert, Appl. Phys. Lett. 71, 3631 (1997).
14. R. J. Shul, R. D. Briggs, J. Han, S. J. Pearton, J. W. Lee, C. B. Vartuli, K. P. Killeen, and M. J. Ludowise, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 355 (1997).
15. X. A. Cao, H. Cho, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 232 (1999).
16. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1320 (2000).
17. X. A. Cao, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, S. J. Pearton, R. J. Shul, and L. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1144 (2000).
18. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).