The changing effect of N2/O2 gas flow rate ratios on ultrathin nitrogen-enriched oxynitride gate dielectrics

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 151, Issue 5, 2004, Pages

  Chang, Kow Ming ^a   Yang, Wen Chih ^a   Chen, Chu Feng ^a   Hung, Bing Fang ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; ELECTROCHEMISTRY; FILM GROWTH; FLOW OF FLUIDS; LEAKAGE CURRENTS; PARTICLE BEAM INJECTION; THICKNESS MEASUREMENT; THIN FILMS;

ELECTRON INJECTION; GAS FLOW; RAPID THERMAL PROCESSING (RTP);

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 2942556707     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1688799     Document Type: Article

References (29)

1. J. H. Stathis and D. J. DiMaria, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1998, 167.
2. N. Yang, W. K. Henson, and J. J. Wortman, IEEE Trans. Electron Devices, 47, 1636 (2000).
3. A. Meinertzhagen, C. Petit, D. Zander, O. Simonetti, T. Maurel, and M. Jourdain, J. Appl. Phys., 91, 2123 (2002).
4. A. Teramoto, H. Umeda, H. Tamura, Y. Nishida, H. Sayama, K. Terada, K. Kawase, Y. Ohno, and A. Shigetomi, J. Electrochem. Soc., 147, 1888 (2000).
5. S. C. Song, H. F. Luan, C. H. Lee, A. Y. Mao, S. J. Lee, J. Gelpey, S. Marcus, and D. L. Kwong, in Tech. Dig. Symp. VLSI Technol., 1999, 137.
6. M. L. Green, E. P. Gusev, R. Degraeve, and E. L. Garfunkel, J. Appl. Phys., 90, 2057 (2001).
7. Y. Okada, P. J. Tobin, P. Rushbrook, and W. L. DeHart, IEEE Trans. Electron Devices, ED-43, 191 (1994).
8. Y. Suizu, M. Fukumoto, and Y. Ozawa, J. Electrochem. Soc., 148, F51 (2001).
9. S. M. Shank, W. F. Clark, and W. J. Hodge, J. Electrochem. Soc., 149, G532 (2002).
10. Y. Wu, Y. M. Lee, and G. Lucovsky, IEEE Electron Device Lett., EDL-21, 116 (2000).
11. C. H. Chen, Y. K. Fang, C. W. Yang, S. F. Ting, Y. S. Tsair, M. F. Wang, T. H. Hou, M. C. Yu, S. C. Chen, S. M. Jang, Douglas C. H. Yu, and M. S. Liang, IEEE Trans. Electron Devices, ED-48, 2769 (2001).
12. C. H. Chen, Y. K. Fang, W. Yang, S. F. Ting, Y. S. Tsair, M. C. Yu, T. H. Hou, M. F. Wang, S. C. Chen, C. H. Yu, and M. S. Liang, IEEE Electron Device Lett., EDL-22, 378 (2001).
13. H. N. Al-Shareef, A. Karamcheti, T. Y. Luo, G. Bersuker, G. A. Brown, R. W. Murto, M. D. Jackson, H. R. Huff, D. Lopez, C. Olsen, and G. Miner, Appl. Phys. Lett., 78, 3875 (2001).
14. H.-H. Tseng, Y. Jeno, P. Abramowitz, T.-Y. Luo, L. Hebert, J. J. Lee, J. Jiang, P. J. Tobin, G. C. F. Yeap, M. Moosa, J. Alvis, S. G. H. Anderson, N. Gave, T. C. Chua, A. Hegedus, G. Miner, J. Jeon, and A. Sultan, IEEE Electron Device Lett., EDL-23, 704 (2002).
15. J. Schaeffer, N. V. Edwards, R. Liu, D. Roan, B. Hradsky, R. Gregory, J. Kulik, E. Duda, L. Kulik, E. Duda, L. Contreras, J. Christiansen, S. Zollner, P. Tobin, B.-Y. Nguyen, R. Nieh, M. Ramon, R. Rao, R. Hegde, R. Rai, J. Baker, and S. Voight, J. Electrochem. Soc., 150, F67 (2003).
16. M. Houssa, J. L. Autran, V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 149, F181 (2002).
17. S. J. Lee, C. H. Lee, Y. H. Kim, H. F. Luan, W. P. Bai, T. S. Jeon, and D. L. Kwong, in Proceedings of Solid-State and Integrated-Circuit Technology Conference, p. 303 (2001).
18. W. Vandervorst, B. Brijs, H. Bender, O. T. Conard, J. Petry, O. Richard, S. Van Elshocht, A. Delabie, M. Caymax, S. De Gendt, V. Cosnier, M. Green, J. Chen, in Proceedings of Plasma- and Process-Induced Damage, 8th International Symposium, p. 40 (2003).
19. S. Inaba, K. Okano, S. Matsuda, M. Fujiwara, A. Hokazono, K. Adachi, K. Ohuchi, and H. Suto, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2001, 641.
20. T. Yamanaka, S. J. Fang, H. C. Lin, J. P. Snyder, and C. R. Helms, IEEE Electron Device Lett., EDL-17, 178 (1996).
21. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett., 57, 2808 (1990).
22. K. Yang, Y. C. King, and C. Hu, in Tech. Dig. Symp. VLSI Technol., 1999, 77.
23. S.-H. Lo, D. A. Buchanan, and Y. Taur, IBM J. Res. Dev., 43, 327 (1999).
24. Z. Wang, C. G. Parker, D. W. Hodge, R. T. Croswell, N. Yang, V. Misra, and J. R. Hauser, IEEE Electron Device Lett., EDL-21, 170 (2000).
25. Hongyu Yu, Y. T. Hou, M. F. Li, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices, ED-49, 1158 (2002).
26. X. Guo and T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett., EDL-20, 207 (1998).
27. S. Inaba, T. Shimizu, S. Mon, K. Sekine, K. Saki, H. Suto, H. Fukui, M. Nagamine, M. Fujiwara, T. Yamamoto, M. Takayanagi, I. Mizushima, K. Okano, S. Matsuda, H. Oyamatsu, Y. Tsunashima, S. Yamada, Y. Toyoshima, and H. Ishiuchi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 651.
28. K. Kushida-Abdelghafar, K. Watanabe, J. Ushio, and E. Murakami, Appl. Phys. Lett., 81, 4362 (2002).
29. J. Ushio, T. Maruizumi, and K. Kushida-Abdelghafar, Appl. Phys. Lett., 81, 1818 (2002).