Carrier compensation near tail region in aluminum- or boron-implanted 4H-SiC (0001)

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 4, 2005, Pages

  Negoro, Y ^a   Kimoto, T ^a   Matsunami, H ^a  

^a KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COIMPLANTATION; ELECTRICAL BEHAVIOR; IMPLANT-TAIL REGION; IN-DIFFUSION;

ANNEALING; BORON; CAPACITANCE; CARBON; ELECTRIC POTENTIAL; ION IMPLANTATION; MASS SPECTROMETRY; POSITIVE IONS;

ALUMINUM;

EID: 25144435563     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2030411     Document Type: Article

References (28)

1. H. Matsunami and T. Kimoto, Mater. Sci. Eng., R. 20, 125 (1997).
2. Yu. A. Vodakov and E. N. Mokhov, Silicon Carbide 1973 (University of South Carolina Press, Columbia, SC, 1974), p. 508.
3. M. Laube, F. Schmid, G. Pensl, G. Wagner, M. Linnarsson, and M. Maier, J. Appl. Phys. 92, 549 (2002).
4. M. A. Capano, R. Santhakumar, R. Venugopal, M. R. Melloch, and J. A. Cooper, Jr., J. Electron. Mater. 29, 210 (2000).
5. Y. Negoro, K. Katsumoto, T. Kimoto, and H. Matsunami, J. Appl. Phys. 96, 224 (2004).
6. F. Schmid and G. Pensl, Appl. Phys. Lett. 84, 3064 (2004).
7. M. Ikeda, H. Matsunami, and T. Tanaka, Phys. Rev. B 22, 2842 (1990).
8. H. Itoh, T. Troffer, and G. Pensl, Material Science Forum 264-268, 685 (1998).
9. Y. Negoro, T. Kimoto, H. Matsunami, F. Schmid, and G. Pensl, J. Appl. Phys. 96, 4916 (2004).
10. T. Kimoto, O. Takemura, H. Matsunami, T. Nakata, and M. Inoue, J. Electron. Mater. 27, 358 (1998).
11. N. S. Saks, A. K. Agarwal, S.-H. Ryu, and J. W. Palmour, J. Appl. Phys. 90, 2796 (2001).
12. M. V. Rao, J. A. Gardner, P. H. Chi, O. W. Holland, G. Kelner, J. Kretchmer, and M. Ghezzo, J. Appl. Phys. 81, 6635 (1997).
13. T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensl, J. Heindl, H. P. Strunk, and M. Maier, Phys. Status Solidi A 162, 277 (1997).
14. M. Laube, G. Pensl, and H. Itoh, Appl. Phys. Lett. 74, 2292 (1999).
15. H. Bracht, N. A. Stolwijk, M. Laube, and G. Pensl, Appl. Phys. Lett. 77, 3188 (2000).
16. R. Kumar, J. Kozima, and T. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2001 (2000).
17. Y. Negoro, K. Katsumoto, T. Kimoto, and H. Matsunami, Mater. Sci. Forum 457-460, 933 (2004).
18. H. Okushi and Y. Tokumaru, Jpn. J. Appl. Phys., Suppl. 20-1, 261 (1981).
19. S. Weiss and R. Kassing, Solid-State Electron. 31, 1733 (1988).
20. J. M. Bluet, J. Pernot, J. Camassel, S. Contreras, J. L. Robert, J. F. Michaud, and T. Billon, J. Appl. Phys. 88, 1971 (2000).
21. K. A. Jones, J. Appl. Phys. 96, 5613 (2004).
22. K. Danno, T. Kimoto, and H. Matsunami, Appl. Phys. Lett. 86, 122104 (2005).
23. L. Storasta, F. H. C. Carlsson, S. G. Sridhara, J. P. Bergman, A. Henry, T. Egilsson, A. Halĺn, and E. Janźn, Appl. Phys. Lett. 78, 46 (2001).
24. A. Schöner, N. Miyamoto, T. Kimoto, and H. Matsunami, Mater. Sci. Forum 353-356, 451 (2001).
25. T. Troffer, Ch. Häßler, G. Pensl, K. Hölzlein, H. Mitlehner, and J. Völkl, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 281 (1996).
26. S. G. Sridhara, L. L. Clemen, R. P. Devaty, W. J. Choyke, D. J. Larkin, H. S. Kong, T. Troffer, and G. Pensl, J. Appl. Phys. 83, 7909 (1998).
27. T. Frank, T. Troffer, G. Pensl, N. Nordell, S. Karlsson, and A. Schöner, Mater. Sci. Forum 264-268, 681 (1998).
28. A. Gali, T. Hornos, P. Deák, N. T. Son, E. Janźn, and W. J. Choyke, Mater. Sci. Forum 483-485, 519 (2005).