Transparent oxide optoelectronics

Materials Today

Volumn 7, Issue 6, 2004, Pages 42-51

  Ohta, Hiromichi ^a,c   Hosono, Hideo ^a,b  

^a JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^b TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^c NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

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CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRIC CONDUCTANCE; EPITAXIAL GROWTH; LIGHT EMITTING DIODES; LIQUID CRYSTAL DISPLAYS; NICKEL COMPOUNDS; SILICON; THIN FILM TRANSISTORS; ULTRAVIOLET DETECTORS; VAPOR PHASE EPITAXY; ZINC OXIDE;

AMORPHOUS THIN FILMS; OXIDE OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTORESPONSIVITY; SOLID-PHASE EPITAXY (SPE);

OPTOELECTRONIC DEVICES;

EID: 2442449271     PISSN: 13697021     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S1369-7021(04)00288-3     Document Type: Article

References (66)

1. Ginley D.S., Bright C. Mater. Res. Soc. Bull. 25:(8):2000;15. and articles therein; Hosono H., et al. Thin Solid Films. 445:(2):2003;155-392.
2. Ginley D.S., Bright C. Mater. Res. Soc. Bull. 25:(8):2000;15. and articles therein; Hosono H., et al. Thin Solid Films. 445:(2):2003;155-392.
3. Kawazoe H., et al. Nature. 389:1997;939-940.
4. Ueda K., et al. J. Appl. Phys. 89:(3):2001;1790.
5. Yanagi H., et al. Appl. Phys. Lett. 78:(11):2001;1583.
6. 2.).
7. Kudo A., et al. Appl. Phys. Lett. 73:(2):1998;220.
8. Ueda K., et al. Appl. Phys. Lett. 77:(17):2000;2701.
9. Ueda K., et al. Appl. Phys. Lett. 78:(16):2001;2333.
10. Ueda K., Hosono H. J. Appl. Phys. 91:(7):2002;4768.
11. Ueda K., et al. Chem. Mater. 15:(19):2003;3692.
12. Vossen J.L., Kern W. Thin Film Processes. 1978;Academic Press, New York.
13. Bunshah R.F. Deposition Technologies for Films and Coatings: Developments and Applications. 1982;Noyes Publications.
14. Suntola T., Simpson M. Atomic Layer Epitaxy. 1990;Chapman and Hall, New York.
15. Chrisey D.B., Hubler G.K. Pulsed Laser Deposition of Thin Films. 1994;John Wiley & Sons Inc. New York.
16. Orita M., et al. Rev. Sci. Instrum. 72:(8):2001;3340.
17. Ohta H., et al. Adv. Funct. Mater. 13:(2):2003;139.
18. Nomura K., et al. Thin Solid Films. 411:(1):2002;147.
19. Mizoguchi H., et al. Appl. Phys. Lett. 80:(7):2002;1207.
20. Ohta H., et al. Appl. Phys. Lett. 82:(5):2003;823.
21. Hiramatsu H., et al. Appl. Phys. Lett. 81:(4):2002;598.
22. Ohta H., et al. Appl. Phys. Lett. 83:(5):2003;1029.
23. Ohta H., et al. Appl. Phys. Lett. 77:(4):2000;475.
24. Nomura K., et al. Science. 300:2003;1269.
25. Hayashi K., et al. Nature. 419:2002;462.
26. Matsuishi S., et al. Science. 301:2003;626.
27. Toda Y., et al. Adv. Mater. 16:(8):2004;685.
28. Narushima S., et al. Adv. Mater. 15:(7):2003;1409.
29. Prins M.W.J., et al. Appl. Phys. Lett. 68:(25):1996;3650.
30. Prins M.W.J., et al. Appl. Phys. Lett. 70:(4):1997;458.
31. Hoffman R.L., et al. Appl. Phys. Lett. 82:(5):2003;733.
32. Kimizuka N., et al. J. Solid State Chem. 116:(1):1995;170.
33. Li C., et al. J. Solid State Chem. 139:(2):1998;347.
34. Ohta H., et al. Appl. Phys. Lett. 76:(19):2000;2740.
35. Thomas D.G. J. Phys. Chem. Solids. 15:(1-2):1960;86-90.
36. Nicoll F.H., et al. Appl. Phys. Lett. 9:1966;13.
37. Reynolds D.C., et al. Solid State Commun. 99:(12):1996;873.
38. Bagnall D.M., et al. Appl. Phys. Lett. 70:(17):1997;2230.
39. Zu P., et al. Solid State Commun. 103:(8):1997;459.
40. Thomas B.W., Walsh D. Electron. Lett. 9:1973;362.
41. Minami T., et al. Jpn. J. Appl. Phys. 13:1974;1475.
42. Drapak I.T. Soviet Phys. Semicond. 2:1968;513.
43. Aoki T., et al. Appl. Phys. Lett. 76:(22):2000;3257.
44. Joseph M., et al. Jpn. J. Appl. Phys. 38:(Part 2, No. 11A):1999;L1205.
45. Ashrafi A.B.M.A., et al. Jpn. J. Appl. Phys. 41:(Part 2, No. 11B):2002;L1281.
46. Look D.C., et al. Appl. Phys. Lett. 81:(10):2002;1830.
47. Kim K-K., et al. Appl. Phys. Lett. 83:(1):2003;63.
48. Kudo A. Appl. Phys. Lett. 75:(18):1999;2851.
49. Ohta H., et al. J. Appl. Phys. 91:(5):2002;3074.
50. Ohta H., et al. J. Appl. Phys. 91:(6):2002;3547.
51. Hiramatsu H., et al. J. Appl. Phys. 94:(9):2003;5805.
52. Hiramatsu H., et al. Appl. Phys. Lett. 82:(7):2003;1048.
53. Ueda K., et al. Phys. Rev. B. 69:2004;155305.
54. Kamioka H., et al. Appl. Phys. Lett. 84:(6):2004;879.
55. Asif Khan M., et al. Appl. Phys. Lett. 60:(23):1992;2917.
56. Monroy E., et al. Appl. Phys. Lett. 74:(22):1999;3401.
57. Parish G., et al. Appl. Phys. Lett. 75:(2):1999;247.
58. Yagi S. Appl. Phys. Lett. 76:(3):2000;345.
59. Monroy E., et al. Appl. Phys. Lett. 77:(17):2000;2761.
60. Vigué F., et al. Appl. Phys. Lett. 78:(26):2001;4190.
61. Sou I.K., et al. Appl. Phys. Lett. 78:(3):2001;1811.
62. Whitfield M.D., et al. Appl. Phys. Lett. 68:(3):1996;290.
63. Marsillac S., et al. Appl. Phys. Lett. 81:(7):2002;1350.
64. Ohta H., et al. Adv. Mater. 15:(15):2003;1258.
65. Ohta H., et al. Adv. Mater. 16:(4):2004;312.
66. Orita M., et al. Philos. Mag. B. 81:(5):2001;501.