Properties of Fe-doped semi-insulating GaN structures

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 1, 2004, Pages 120-125

  Polyakov, A Y ^a   Smirnov, N B ^a   Govorkov, A V ^a   Pearton, S J ^b  

^a INSTITUTE OF RARE METALS   (Russian Federation)

^b University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON TRAPS; FERMI LEVEL; HOLE TRAPS; INSULATING MATERIALS; IRON; LIGHT TRANSMISSION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING FILMS; SPECTROSCOPIC ANALYSIS;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS (HEMT); PHOTOINDUCED CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY (PICTS); SEMI-INSULATING FILMS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 1642408144     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1633776     Document Type: Conference Paper

References (37)

1. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Teetsov, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater. 32, 388 (2003).
2. I. Daumiller, D. Theron, C. Gaquiere, A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U. K. Mishra, I. P. Smorchkova, S. Keller, C. Nguyen, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 22, 62 (2001).
3. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2000).
4. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett. 79, 3527 (2001).
5. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001).
6. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
7. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002).
8. A. Vertiatchik, L. F. Eastman, W. J. Schaff, and T. Prunty, Electron. Lett. 38, 388 (2002).
9. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
10. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, A. Kumar, A. Koudymov, J. Zhang, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Electron. Lett. 36, 2043 (2000).
11. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. X. Nguyen, and C. N. Nguyen, Electron. Lett. 35, 1022 (1999).
12. J.-S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Electron. Lett. 37, 130 (2001).
13. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
14. N. X. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett. 35, 1356 (1999).
15. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 20, 448 (1999).
16. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2169 (2001).
17. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, R. Wilkins, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett. 79, 2196 (2001).
18. J. K. Gillespie, R. C. Fitch, J. Sewell, R. Dettmer, G. D. Via, A. Crespo, T. J. Jenkins, B. Luo, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, IEEE Electron Device Lett. 23, 505 (2002).
19. M. S. Shur and M. A. Khan, in GaN and Related Materials II, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, Amsterdam, 2000), pp. 47-92.
20. N. I. Kuznetsov, A. E. Nikolaev, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, Appl. Phys. Lett. 75, 3138 (1999).
21. A. Y. Polyakov, A. V. Govorkov, N. B. Smirnov, A. E. Nikolaev, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, Solid-State Electron. 45, 249 (2001).
22. C. Y. Hwang, M. J. Schurman, W. E. Mayo, Y. C. Lu, R. A. Stall, and T. Salagaj, J. Electron. Mater. 26, 243 (1997).
23. B. Monemar and O. Lagerstedt, J. Appl. Phys. 50, 6480 (1979).
24. S. Heikman, S. Keller, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 81, 439 (2002).
25. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 80, 1731 (2002).
26. J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufman, J. Schneider, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 64, 857 (1994).
27. R. Heitz, P. Maxim, L. Eckey, P. Thurian, A. Hoffman, I. Broser, K. Pressel, and B. K. Meyer, Phys. Rev. B 55, 4382 (1997).
28. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. Govorkov, N. Pashkova, A. Schlensky, S. J. Pearton, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, J. M. Zavada, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 93, 5388 (2003).
29. A. Y. Polyakov, N. Smirnov, A. V. Govorkov, N. Pashkova, J. Kim, F. Ren, M. E. Overberg, G. Thaler, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 92, 3130 (2002).
30. T. Graf, M. Gjukic, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 81, 5159 (2002).
31. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, and J. M. Redwing, Solid-State Electron. 42, 831 (1998).
32. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, M. Shin, M. Skowronski, and D. W. Greve, J. Appl. Phys. 84, 870 (1998).
33. L. S. Berman and A. A. Lebedev, Capacitance Spectroscopy of Deep Centers in Semiconductors (Nauka, Leningrad, 1981) (in Russian).
34. A. Y. Polyakov, in GaN and Related Materials II, edited by S. Pearton (Gordon and Breach, New York, 1999).
35. A. Y. Polyakov, N. B. Smimov, A. V. Govorkov, and J. M. Redwing, Solid-State Electron. 42, 831 (1998).
36. K. Pressel, S. Nilsson, R. Heitz, A. Hoffmann, and B. K. Meyer, J. Appl. Phys. 79, 3214 (1996).
37. J. Baur, U. Kaufmann, M. Kunzer, J. Schneider, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprom, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 67, 1140 (1995).