AlGaN/GaN-based metal-oxide-semiconductor diode-based hydrogen gas sensor

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 7, 2004, Pages 1123-1125

  Kang, B S ^a   Ren, F ^a   Gila, B P ^a   Abernathy, C R ^a   Pearton, S J ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARRIER HEIGHT; CHANNEL CURRENT;

COMBUSTION; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC CURRENTS; GALLIUM NITRIDE; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; HYDROGEN; INTERFACES (MATERIALS); MASS TRANSFER; MOS DEVICES; NITROGEN; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DIODES; SILICON CARBIDE;

CHEMICAL SENSORS;

EID: 1542784357     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1648134     Document Type: Article

References (38)

1. A. Lloyd Spetz, A. Baranzahi, P. Tobias, and I. Lundström, Phys. Status Solidi A 162, 493 (1997).
2. A. Vasiliev, W. Moritz, V. Fillipov, L. Bartholomäus, A. Terentjev, and T. Gabusjan, Sens. Actuators B 49, 133 (1998).
3. S. M. Savage, A. Konstantinov, A. M. Saroukan, and C. Harris, Proc. ICSCRM'99, 2000, pp. 511-515.
4. A. Lloyd Spetz, P. Tobias, L. Unéus, H. Svenningstorp, L.-G. Ekedahl, and I. Lundström, Sens. Actuators B 70, 67 (2000).
5. E. J. Connolly, G. M. O'Halloran, H. T. M. Pham, P. M. Sarro, and P. J. French, Sens. Actuators A 99, 25 (2002).
6. A. Arbab, A. Spetz, and I. Lundström, Sens. Actuators B 15/16, 19 (1993).
7. G. W. Hunter, P. G. Neudeck, R. S. Okojie, G. M. Beheim, V. Thomas, L. Chen, D. Lukco, C. C. Liu, B. Ward, and D. Makel, Proc. ECS 01-02, 212 (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 2002).
8. L. Y. Chen, G. W. Hunter, P. O. Neudeck, D. L. Knight, C. C. Liu, and Q. H. Wu, in Proceeding of the Third International Symposium on Ceramic Sensors, edited by H. U. Anderson, M. Liu, and N. Yamazoe (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1996), pp. 92-98.
9. L.-G. Ekedahl, M. Eriksson, and I. Lundstrom, Acc. Chem. Res. 31, 249 (1998).
10. H. Svenningstorp, P. Tobias, I. Lundström, P. Salomonsson, P. Mårtensson, L.-G. Ekedahl, and A. L. Spetz, Sens. Actuators B 57, 159 (1999).
11. G. W. Hunter, C. C. Liu, and D. Makel, in MEMS Handbook, edited by M. G. Hak (CRC Press, Boca Raton, FL, 2001).
12. L. Chen, G. W. Hunter, and P. G. Neudeck, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1228 (1997); 16, 2890 (1998).
13. L. Chen, G. W. Hunter, and P. G. Neudeck, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1228 (1997); 16, 2890 (1998).
14. P. Tobias, A. Baranzahi, A. L. Spetz, O. Kordina, E. Janzen, and I. Lundstrom, IEEE Electron Device Lett. 18, 287 (1997).
15. A. Baranzahi, A. L. Spetz, and I. Lundström, Appl. Phys. Lett. 67, 3203 (1995).
16. J. B. Casady, A. K. Agarwal, S. Seshadri, R. R. Siergiej, L. B. Rowland, M. F. MacMillan, D. C. Sheridan, P. A. Sanger, and C. D. Brandt, Solid-State Electron. 42, 2165 (1998).
17. O. Ambacher, M. Eickhoff, G. Steinhoff, M. Hermann, L. Gorgens, V. Werss, M. Stutzmann, and V. Tilak, Proc. ECS Vol. 214, (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 2002), p. 27.
18. R. Neuberger, G. Muller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 185, 85 (2001).
19. J. Schalwig, G. Muller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 185, 39 (2001).
20. G. Steinhoff, M. Hermann, W. J. Schaff, L. F. Eastmann, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett. 83, 177 (2003).
21. M. Eickhoff, R. Neuberger, G. Steinhoff, O. Ambacher, G. Muller, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi B 228, 519 (2001).
22. J. Schalwig, G. Muller, M. Eickhoff, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Sens. Actuators B 81, 425 (2002).
23. M. Stutzmann, G. Steinhoff, M. Eickhoff, O. Ambacher, C. E. Nobel, J. Schalwig, L. Gorgens, and V. Tilak, Diamond Relat. Mater. 11, 886 (2002).
24. M. Eickhoff, J. Schalwig, G. Steinhoff, O. Weidmann, L. Gorgens, R. Neuberger, M. Hermann, B. Baur, G. Muller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi C 6, 1908 (2003).
25. J. Kim, B. Gila, G. Y. Chung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and F. Ren, Solid-State Electron. 47, 1069 (2003).
26. J. Kim, F. Ren, B. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82, 739 (2003).
27. J. Kim, B. Gila, C. R. Abernathy, G. Y. Chung, F. Ren, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 47, 1487 (2003).
28. O. Ambacher, M. Eickhoff, A. Link, M. Hermann, M. Stutzmann, Bernardini, V. Tilak, and L. F. Eastmann, Phys. Status Solidi C 6, 1878 (2003).
29. M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2001).
30. N. Pala, R. Gaska, S. Rumyantsev, M. S. Shur, M. Asif Khan. X. Hu, G. Simin, and J. Yang, Electron. Lett. 36, 268 (2000).
31. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, A. Kumar, A. Koudymov, J. Zhang, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Electron. Lett. 36, 2043 (2000).
32. A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Solid-State Electron. 46, 1211 (2002).
33. A. Koudymov, X. Hu, K. Simin, G. Simin, M. Ali, J. Yang, and M. A. Khan, IEEE Electron Device Lett. 23, 449 (2002).
34. G. Simin, A. Koudymov, H. Fatima, J. P. Zhang, J. Yang, M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 23, 458 (2002).
35. B. P. Gila, J. W. Johnson, R. Mehandru, B. Luo, A. H. Onstine, V. Krishnamoorthy, S. Bates, C. R. Abernathy, F. Ren, and S. J. Pearton, Phys. Status Solidi A 188, 239 (2001).
36. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 80, 4555 (2000).
37. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 81, 373 (2000).
38. M. S. Shur, Physics of Semiconductor Devices (Prentice Hall, Eaglewood Cliffs, NJ, 1990).