Defect assessment of Mg-doped GaN by beam injection techniques

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 12, 2003, Pages 7470-7475

  Diaz Guerra C ^a   Piqueras, J ^a   Castaldini, A ^b   Cavallini, A ^b   Polenta, L ^b  

^a UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

^b UNIVERSITY OF BOLOGNA   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE; ELECTRIC FIELD EFFECTS; ENERGY GAP; MAGNESIUM PRINTING PLATES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOCURRENTS; REACTION KINETICS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR DOPING;

PHOTOCURRENT (PC) SPECTROSCOPY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0348195949     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1628832     Document Type: Article

References (37)

1. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2000).
2. H. Morkoç, Mater. Sci. Eng., R. 33, 135 (2001).
3. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
4. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Götz, and P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
5. M. Herrera Zaldívar, P. Fernández, and J. Piqueras, J. Appl. Phys. 83, 2796 (1998).
6. X. Zhang, D. H. Rich, J. Y. Kobayashi, N. P. Kobayashi, and P. D. Dapkus, Appl. Phys. Lett. 73, 1430 (1998).
7. S. J. Chung, M. S. Jeong. O. H. Cha, C.-H. Hong, E.-K. Shu. H. J. Lee, Y. S. Kim, and B. H. Kim, J. Appl. Phys. 89, 5454 (2001).
8. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Polenta, and G. Salviati, Solid State Phenom. 78-79, 95 (2001).
9. C. K. Sun et al., Opt. Quantum Electron. 32, 619 (2000).
10. X. Li and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett. 69, 1605 (1996).
11. Y. Koide, D. E. Walker, B. D. White, L. J. Brillson, M. Murakami, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 92, 3657 (2002).
12. A. Urbieta, P. Fernández, J. Piqueras, Ch. Hardalov, and T. Sekiguchi, J. Phys. D 34, 2945 (2001).
13. A. Castaldini, A. Cavallini, and L. Polenta, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 588, 51 (2000).
14. M. Avella, E. de la Puente, J. Jiménez, A. Castaldini, A. Cavallini, and L. Polenta, J. Cryst. Growth 210, 220 (2000).
15. A. K. Viswanath, E. Shin, J. I. Lee, S. Yu, D. Kim, B. Kim, Y. Chi, and C. Hong, J. Appl. Phys. 83, 2272 (1998).
16. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, B. J. Pong, C. Y. Chen, C. N. Huang, and W. C. Chen, J. Appl. Phys. 84, 4590 (1998).
17. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
18. M. A. Reshchikov, G.-C. Yi, and B. W. Wessels, Phys. Rev. B 59, 13176 (1999).
19. F. Shahedipour and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 76, 3011 (2000).
20. E. Oh, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 70 (1998).
21. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
22. K. Saarinen et al., Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997).
23. C. G. Van de Walle, C. Stampfl, and J. Neugebauer, J. Cryst. Growth 189-190, 505 (1998).
24. G. Salviati et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W11.50 (2000).
25. M. W. Bayerl et al., Phys. Rev. B 63, 125203 (2001).
26. S. J. Chung, O. H. Cha, H. K. Cho, M. S. Jeong, C.-H. Hong, E.-K. Suh, and H. J. Lee, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. F99, W11.83 (2000).
27. W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 68, 667 (1996).
28. J. W. Huang, T. F. Kuech, H. Lu, and I. Bhat, Appl. Phys. Lett. 65, 2392 (1996).
29. U. Kaufmann, M. Kunzer, H. Obloh, M. Maier, Ch. Manz, A. Ramakrishnan, and B. Santic, Phys. Rev. B 59, 5561 (1999).
30. M. Herrera Zaldívar, P. Fernández, J. Piqueras, and J. Solís, J. Appl. Phys. 85, 1120 (1999).
31. Z. C. Huang, D. B. Mott, P. K. Shu, R. Zhang, J. C. Chen, and D. K. Wickenden, J. Appl. Phys. 82, 2707 (1997).
32. S. G. Lee and K. J. Chang, Semicond. Sci. Technol. 14, 138 (1999).
33. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. K. Tadatomo, and K. Miyake, Appl. Phys. Lett. 68, 1362 (1996).
34. G. Thomas, J. J. Hopfield, and W. M. Augustyniak, Phys. Rev. 140, A202 (1965).
35. F. Shahedipour and B. W. Wessels, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 12 (2001).
36. J. M. Myoung, K. H. Shim, C. Kim, O. Gluschenov, K. Kim, S. Kim, D. A. Turnbull, and S. G. Bishop, Appl. Phys. Lett. 69, 2722 (1996).
37. B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, New York, 1984), pp. 297-299.