Exfoliation of threading dislocation-free, single-crystalline, ultrathin gallium nitride nanomembranes

Advanced Functional Materials

Volumn 24, Issue 16, 2014, Pages 2305-2311

  ElAfandy, Rami T ^a   Majid, Mohammed A ^a   Ng, Tien Khee ^a   Zhao, Lan ^a   Cha, Dongkyu ^a   Ooi, Boon S ^a  

^a KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Saudi Arabia)

Author keywords

electroless etching; gallium nitride; nanomembranes; single crystals; threading dislocations

Indexed keywords

CRYSTALLINE MATERIALS; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ETCHING; GALLIUM ALLOYS; NANOSTRUCTURES; OPTICAL DATA PROCESSING; SINGLE CRYSTALS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ELECTROLESS CHEMICAL ETCHING; ELECTROLESS ETCHINGS; GALLIUM NITRIDES (GAN); HETEROGENEOUS SUBSTRATES; HETEROSTRUCTURE DEVICES; NANOMEMBRANES; SCANNING AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; THREADING DISLOCATION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 84898773150     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201303001     Document Type: Article

References (38)

1. F. Ponce, D. Bour, Nature 1997, 386, 351.
2. S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B. A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P. T. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, Nature Mater. 2006, 5, 810.
3. M. A. Moram, R. A. Oliver, M. J. Kappers, C. J. Humphreys, Adv. Mater. 2009, 21, 3941.
4. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2638.
5. R. Colby, Z. Liang, I. H. Wildeson, D. A. Ewoldt, T. D. Sands, R. E. García, E. A. Stach, Nano Lett. 2010, 10, 1568.
6. S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 1983, 42, 427.
7. J. Bai, T. Wang, P. Comming, P. Parbrook, J. David, A. Cullis, J. Appl. Phys. 2006, 99, 023513.
8. T. Y. Tang, W. Y. Shiao, C. H. Lin, K. C. Shen, J. J. Huang, S. Y. Ting, T. C. Liu, C. Yang, C. L. Yao, J. H. Yeh, J. Appl. Phys. 2009, 105, 023501.
9. T. Hashimoto, K. Fujito, F. Wu, B. A. Haskell, P. T. Fini, J. S. Speck, S. Nakamura, Jap. J. Appl. Phys. 2005, 44, L797.
10. T. Hashimoto, F. Wu, J. S. Speck, S. Nakamura, Nature Mater. 2007, 6, 568.
11. W. Guo, M. Zhang, A. Banerjee, P. Bhattacharya, Nano Lett. 2010, 10, 3355.
12. J. H. Choi, A. Zoulkarneev, S. I. Kim, C. W. Baik, M. H. Yang, S. S. Park, H. Suh, U. J. Kim, H. B. Son, J. S. Lee, Nature Phot. 2011, 5, 76.
13. S. Balendhran, S. Walia, H. Nili, J. Z. Ou, S. Zhuiykov, R. B. Kaner, S. Sriram, M. Bhaskaran, K. Kalantar-zadeh, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 395.
14. S. H. Chae, W. J. Yu, J. J. Bae, D. L. Duong, D. Perello, H. Y. Jeong, Q. H. Ta, T. H. Ly, Q. A. Vu, M. Yun, Nature Mater. 2013, 12, 40.
15. J. N. Coleman, M. Lotya, A. O'Neill, S. D. Bergin, P. J. King, U. Khan, K. Young, A. Gaucher, S. De, R. J. Smith, Science 2011, 331, 56.
16. F. Cavallo, M. G. Lagally, Soft Matter 2009, 6, 425.
17. Y. Mei, D. J. Thurmer, C. Deneke, S. Kiravittaya, Y.-F. Chen, A. Dadgar, F. Bertram, B. Bastek, A. Krost, J. Christen, T. Reindl, M. Stoffel, E. Coric, O. G. Schmidt, ACS Nano 2009, 3, 1663.
18. G. Huang, Y. Mei, Adv. Mater. 2012, 24, 2517.
19. J. A. Rogers, M. G. Lagally, R. G. Nuzzo, Nature 2011, 477, 45.
20. K. Rajeshwar, in Encyclopedia of Electrochemistry, Vol. 6 (Eds:, A. J. Bard, M. Stratmann, S. Licht,), Wiley-VCH, Germany 2002, Ch. 1.
21. C. Youtsey, G. Bulman, I. Adesida, J. Elec. Mater. 1998, 27, 282.
22. A. Vajpeyi, S. Tripathy, S. Chua, E. Fitzgerald, Phys. E: Low-dimens. Syst. Nanos. 2005, 28, 141.
23. J. Neugebauer, C. G. V. d. Walle, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 503.
24. I. Tiginyanu, V. Popa, M. A. Stevens-Kalceff, Mater. Lett. 2011, 65, 360.
25. K. Oura, V. G. Lifshits, A. A. Saranin, A. V. Zotov, M. Katayama, Surface Science: An Introduction, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2003.
26. H. Morkoç, in Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Vol. 1, Wiley-VCH, Germany 2009, Ch. 4.
27. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 692.
28. S. Mahanty, M. Hao, T. Sugahara, R. S. Q. Fareed, Y. Morishima, Y. Naoi, T. Wang, S. Sakai, Mater. Lett. 1999, 41, 67.
29. H. Föll, S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, I. M. Tiginyanu, Adv. Mater. 2003, 15, 183.
30. T. L. Williamson, D. J. Diaz, P. W. Bohn, in Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Catalysis, and Biotechnology Applications (Eds:, R. M. Feenstra, C. E. Wood,), Wiley, Chichester, UK 2008, Ch. 4.
31. B. Erne, D. Vanmaekelbergh, J. Kelly, J. Electrochem. Soc. 1996, 143, 305.
32. C. O'Dwyer, D. Buckley, D. Sutton, M. Serantoni, S. Newcomb, J. Electrochem. Soc. 2007, 154, H78.
33. C. Youtsey, L. Romano, I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 797.
34. S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, R. F. Davis, R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 1998, 84, 5248.
35. K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissilä, P. Hautojärvi, L. Dobrzynski, J. M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, Phys. Rev. Lett. 1997, 79, 3030.
36. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Koide, K. Manabe, J. Appl. Phys. 1995, 77, 4389.
37. P. Perlin, C. Jauberthie-Carillon, J. P. Itie, A. San Miguel, I. Grzegory, A. Polian, Phys. Rev. B 1992, 45, 83.
38. S. Ohira, N. Arai, Phys. Stat. Sol. (c) 2008, 5, 3116.