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Volumn 14, Issue 3, 2014, Pages 1665-1673

Intraband absorption in self-assembled Ge-doped GaN/AlN nanowire heterostructures

Author keywords

GaN; intersubband; intraband; Nanowire

Indexed keywords

DOPPLER EFFECT; ELECTRIC FIELDS; ELECTRONIC STRUCTURE; GALLIUM NITRIDE; GERMANIUM; LIGHT ABSORPTION; NANOWIRES; POLARIZATION; SURFACE STATES;

EID: 84896342894     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl5002247     Document Type: Article
Times cited : (41)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.