Quantum transport in GaN/AlN double-barrier heterostructure nanowires

Nano Letters

Volumn 10, Issue 9, 2010, Pages 3545-3550

  Songmuang, R ^a   Katsaros, G ^b   Monroy, E ^a   Spathis, P ^b   Bougerol, C ^a   Mongillo, M ^b   De Franceschi, S ^b  

^a CEA/INAC/SP2M   (Austria)

^b UNIV GRENOBLE ALPES   (France)

Author keywords

III N nanowires; nanowire heterostructures; quantum transport; tunneling barriers

Indexed keywords

ALN; CATALYST-FREE; CHARACTERISTIC LENGTH; CHARACTERISTIC SIGNATURE; COULOMB BLOCKADE EFFECTS; DISCRETE ENERGIES; DOUBLE BARRIERS; ELECTRONIC TRANSPORT; GAN NANOWIRES; HETEROSTRUCTURES; III-N NANOWIRES; LOW TEMPERATURES; N-TYPE DOPING; NANOWIRE HETEROSTRUCTURES; NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCES; PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; QUANTUM LEVELS; QUANTUM TRANSPORT; SINGLE QUANTUM DOT; TUNNEL BARRIER; TUNNELING BARRIER;

CRYSTALS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; NANOWIRES; QUANTUM ELECTRONICS;

QUANTUM CHEMISTRY;

EID: 77956429814     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl1017578     Document Type: Article

References (32)

1. Nakamura, S.; Fasol, G. The blue laser diode; Springer, Berlin, 1997; and references therein.
2. Kako, S.; Santori, C.; Hoshino, K.; Götzinger, S.; Yamamoto, Y.; Arakawa, Y. Nature Mat. 2006, 5, 887
3. Ristíc, J.; Calleja, E.; Trampert, A.; Fernández-Garrido, S.; Rivera, C.; Jahn, U.; Ploog, K. H. Phys. Rev. Lett. 2005, 94, 146102
4. Kikuchi, A.; Kawai, M.; Tada, M.; Kishino, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, L1524
5. Furtmayr, F.; Vielemeyer, M.; Stutzmann, M.; Arbiol, J.; Estradé, S.; Peirò, F.; Morante, J. R.; Eickhoff, M. J. Appl. Phys. 2008, 104 034309
6. Gradečak, S.; Qian, F.; Li, Y.; Park, H. G.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 173111
7. Qian, F.; Li, Y.; Gradečak, S.; Park, H. G.; Dong, Y.; Ding, Y.; Wang, Z. L.; Lieber, C. M. Nature Mat. 2008, 7, 701
8. Dong, Y.; Tian, B.; Kempa, T. J.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2009, 9, 2183
9. Renard, J.; Songmuang, R.; Bougerol, C.; Daudin, B.; Gayral, B. Nano Lett. 2009, 8, 2092
10. Renard, J.; Songmuang, R.; Tourbot, G; Bougerol, C.; Daudin, B.; Gayral, B. Phys. Rev. B 2009, 80, 121305
11. Björk, M. T.; Ohlsson, B. J.; Thelander, C.; Persson, A. I.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4458
12. Yoshizawa, M.; Kikuchi, A.; Mori, M.; Fujita, N.; Kishino, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L459
13. Ristíc, J.; Calleja, E.; Sánchez-García, M. A.; Ulloa, J. M.; Sánchez-Páramo, J.; Calleja, U.; Jahn, J. M.; Trampert, A.; Ploog, K. H. Phys. Rev. B 2003, 68, 125305
14. Songmuang, R.; Landré, O.; Daudin, B. Appl. Phys. Lett. 2008, 81, 251902
15. Songmuang, R.; Ben, T.; Daudin, B.; González, D; Monroy, E. Nanotechnology 2010, 21, 295605
16. Yang, C.; Zhong, Z.; Lieber, C. M. Science 2005, 310, 1304
17. Huang, Y.; Duan, X.; Cui, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2002, 2, 101
18. Calleja, E.; Sánchez-Garcí, M. A.; Basak, D.; Sánchez, F. J.; Calle, F.; Youinou, P.; Munõz, E.; Serrano, J. J.; Blanco, J. M.; Villa, C.; Laine, T.; Oila, J.; Saarinen, K.; Hautojärvi, P.; Molloy, C. H.; Somerford, D. J.; Harrison, I. Phys. Rev. B 1998, 58, 1550
19. Hofheinz, M.; Jehl, X.; Sanquer, M.; Molas, G.; Vinet, M.; Deleonibus, S. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 143504
20. van Dam, J.; Nazarov, Y.; Bakkers, E.; De Franceschi, S.; Kouwenhoven, L. Nature 2006, 442, 667
21. Tarucha, S.; Austing, D. G.; Honda, T.; Van der Hage, R. J.; Kouwenhoven, L. P. Phys. Rev. Lett. 1996, 77, 3613
22. Thelander, C.; Mårtensson, T.; Björk, M. T.; Ohlsson, B. J.; Larsson, M. W.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2052
23. Björk, M. T.; Thelander, C.; Hansen, A. E.; Jensen, L. E.; Larsson, M. W.; Larsson, M. W.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2004, 9, 1621
24. Fuhrer, A.; Fröberg, L. E.; Pedersen, J. N.; Larsson, M. W.; Wacker, A.; Pistol, M. E.; Samuelson, L. Nano Lett. 2007, 7, 243
25. Nextnano3 software, available on-line http://www.nextnano.de.
26. Sze, S. M. Physics of semiconductor devices; Wiley: New York, 1981.
27. Kikuchi, A; Bannai, R.; Kishino, K.; Lee, C.-M.; Chyi, J.-I. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1729
28. Foxon, C. T.; Novikov, S. V.; Belyaev, A. E.; Zhao, L. X.; Makarovsky, O.; Walker, D. J.; Eaves, L.; Dykeman, R. I.; Danylyuk, S. V.; Vitusevich, S. A.; Kappers, M. J.; Barnard, J. S.; Humphreys, C. J. Phys. Status Solidi C 2003, 7, 2389
29. Golka, S.; Pflügl, C.; Schrenk, W.; Strasser, G.; Skierbiszewski, C.; Siekacz, M.; Grzegory, I.; Porowski, S. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 172106
30. Chou, H. T.; Lüscher, S.; Goldhaber-Gordon, D.; Manfra, M. J.; Sergent, A. M.; West, K. W.; Molnar, R. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 86 073108
31. Chou, H. T.; Goldhaber-Gordon, D.; Schmult, S.; Manfra, M. J.; Sergent, A. M.; Molnar, R. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89 033104
32. Nakaoka, T.; Kako, S.; Arakawa, Y.; Tarucha, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 162109