GaN/AIGaN intersubband optoelectronic devices

New Journal of Physics

Volumn 11, Issue , 2009, Pages

  Machhadani, H ^a   Kandaswamy, P ^b   Sakr, S ^a   Vardi, A ^c   Wirtmuller A ^b   Nevou, L ^a   Guillot, F ^b   Pozzovivo, G ^d   Tchernycheva, M ^a   Lupu, A ^a   Vivien, L ^a   Crozat, P ^a   Warde, E ^a   Bougerol, C ^b   Schacham, S ^c   Strasser, G ^d   Bahir, G ^c   Monroy, E ^b   Julien, F H ^a  

^a UNIVERSITÉ PARIS SACLAY   (France)

^b CEA GRENOBLE   (France)

^c TECHNION ISRAEL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Israel)

^d VIENNA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Austria)

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ACTIVE REGIONS; ELECTRO-OPTICAL; HIGH-SPEED DEVICES; III-NITRIDE; INTER-SUBBAND; INTERNAL ELECTRIC FIELDS; LONG INFRARED; MODULATION DEPTH; NEW CONCEPT; QUANTUM CASCADES; QUANTUM WELL; RECENT PROGRESS; TELECOMMUNICATION WAVELENGTHS; WIDE SPECTRAL RANGE;

ELECTRIC FIELDS; ENGINEERING EXHIBITIONS; LIGHT MODULATORS; NITRIDES; OPTOELECTRONIC DEVICES; SOOT BLOWERS;

TELECOMMUNICATION EQUIPMENT;

EID: 73549124578     PISSN: 13672630     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1088/1367-2630/11/12/125023     Document Type: Article

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