Electrical and optical properties of TiO2 thin films prepared by plasma-enhanced atomic layer deposition

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 211, Issue 2, 2014, Pages 416-424

  Dang, Van Son ^a   Parala, Harish ^a   Kim, Jin Hyun ^a   Xu, Ke ^a   Srinivasan, Nagendra B ^a   Edengeiser, Eugen ^a   Havenith, Martina ^a   Wieck, Andreas D ^a   De Los Arcos, Teresa ^a   Fischer, Roland A ^a   Devi, Anjana ^a  

^a RUHR UNIVERSITY BOCHUM   (Germany)

Author keywords

dielectric properties; leakage current; plasma enhanced atomic layer deposition; Raman spectroscopy; thin films; TiO2

Indexed keywords

EID: 84894229096     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201330115     Document Type: Conference Paper

References (41)

1. D. H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X. S. Li, G. S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and, C. S. Hwang, Nature Nanotechnol. 5, 148 (2010).
2. P. Alexandrov, J. Koprinarova, and, D. Todorov, Solid-State. Electron. 47, 1333 (1996).
3. T. G. A. Samara, and, P. S. Peercy, Phys. Rev. B 7, 1131 (1973).
4. F. Dachille, P. Y. Simons, and, R. Roy, Am. Mineralogist 53, 1929 (1968).
5. L. D. Zhang, H. F. Zhang, G. Z. Wang, C. M. Mo, and, Y. Zhang, Phys. Status Solidi A 157, 483, (1996).
6. J. Robertson, J. Non-Cryst. Solids 303, 94 (2002).
7. W. G. Lee, S. I. Woo, J. C. Kim, S. H. Choi, and, K. H. Oh, Thin Solid Films 237, 105 (1994).
8. M. Kariniemi, J. Niinisto, M. Vehkamaki, M. Kemell, M. Ritala, M. Leskela, and, M. Putkonen, J. Vac. Sci. Technol A 30, 01A115 (2012).
9. G. J. Choi, S. K. Kim, S. J. Won, H. J. Kim, and, C. S. Hwang, J. Electrochem. Soc. 156, G138 (2009).
10. N. G. Kubala, and, C. A. Wolden, Thin Solid Films 518, 6733 (2010).
11. W. J. Maeng, and, H. Kim, Electrochem. Solid State Lett. 9, G191 (2006).
12. G. T. Lim, and, D. H. Kim, Thin Solid Films 498, 254 (2006).
13. M. Reiners, K. Xu, N. Aslam, A. Devi, R. Waser, and, S. Hoffmann-Eifert, Chem. Mater. 25, 2934 (2013).
14. S. J. Kim, H. Parala, R. Beranek, M. Bledowski, K. Sliozberg, H.-W. Becker, D. Rogalla, D. Barreca, C. Maccato, C. Sada, W. Schuhmann, R. A. Fischer, and, A. Devi, Chem. Vapor Depos. 19, 45 (2013).
15. I. Horcas, R. Fernandez, J. M. Gomez-Rodriguez, J. Colchero, J. Gomez-Herrero, and, A. M. Baro, Rev. Sci. Instrum. 78, 013705 (2007).
16. E. Kotai, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 85, 588 (1994).
17. D. J. Kim, S. H. Hahn, S. H. Oh, and, E. J. Kim, Mater. Lett. 57, 355 (2002).
18. K. Jiang, A. Zakutayev, J. Stowers, M. D. Anderson, J. Tate, D. H. McIntyre, D. C. Johnson, and, D. A. Keszler, Solid State Sci. 11, 1692 (2009).
19. S. B. Amor, L. Guedri, G. Baud, M. Jacquet, and, M. Ghedira, Mater. Chem. Phys. 77, 903 (2003).
20. P. Babelon, A. S. Dequiedt, H. Mostefa-Sba, S. Bourgeois, P. Sibillot, and, M. Sacilotti, Thin Solid Films 322, 63-667 (1998).
21. H. Wang, Z. Wu, and, Y. Liu, J. Phys. Chem. C 113, 13317 (2009).
22. S. Y. Lee, C. Jeon, S. H. Kim, Y. Kim, W. Jung, K. S. An, and, C. Y. Park, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 031102 (2012).
23. T. Ohsaka, F. Izumi, and, Y. Fujiki, J. Raman Spectrosc. 7, 321 (1978).
24. A. E. Jim'enez Gonz'alez, and, S. Gelover Santiago, Semicond. Sci. Technol. 22, 709 (2007).
25. E. Gofuku, Y. Toyoda, Y. Uehara, M. Kohara, and, M. Nunoshita, Appl. Surf. Sci. 48-49, 343 (1991).
26. Z. W. Zhao, B. K. Tay, S. P. Lau, and, G. Q. Yu, J. Cryst. Growth 268, 543 (2004).
27. V. Luca, S. Djajanti, and, R. F. Howe, J. Phys. Chem. B 102, 10650 (1998).
28. M. Landmann, T. Koehler, S. Koeppen, E. Rauls, T. Frauenheim, and, W. G. Schmidt, Phys. Rev. B 86, 064201 (2012).
29. S. Duenas, H. Castan, H. Garcia, E. San Andres, M. Toledano-Luque, I. Martil, G. Gonzalez-Diaz, K. Kukli, T. Uustare, and, J. Aarik, Semicond. Sci. Technol. 20, 1044 (2005).
30. V. Mikhelashvili, and, G. Eisenstein, J. Appl. Phys. 89, 3256 (2001).
31. W. L. Yang, J. Marino, A. Monson, and, C. A. Wolden, Semicond. Sci. Technol. 21, 1573 (2006).
32. W. Yang, and, C. Wolden, Thin Solid Films 515, 1708 (2006).
33. H. Yang, Y. Son, S. Choi, and, H. Hwang, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L1460 (2005).
34. B. H. Lee, Y. Jeon, K. Zawadzki, W. J. Qi, and, J. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 3143 (1999).
35. A. Tataroglu, S. Altindal, and, M. M. Bulbul, Microelectron. Eng. 81, 140 (2005).
36. A. Ghosh, Phys. Rev. B 41, 1479 (1990).
37. A. A. Dakhel, J. Alloy Compd. 422, 1 (2006).
38. J. W. Lim, S. J. Yun, and, J. H. Lee, Electrochem. Solid State Lett. 7, F73 (2004).
39. S. Kim, S. L. Brown, S. M. Rossnagel, J. Bruley, M. Copel, M. J. P. Hopstaken, V. Narayanan, and, M. M. Frank, J. Appl. Phys. 107, 054102 (2010).
40. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
41. S. M. Sze, and, K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. (Wiley Interscience, New York, Berlin, 2007), chap. 4.