Monolithic integration of oxides on semiconductors

ECS Transactions

Volumn 54, Issue 1, 2013, Pages 255-269

  Demkov, Alexander A ^a   Posadas, Agham B ^a   Seo, Hosung ^a   Choi, Miri ^a   Kormondy, Kristy J ^a   Ponath, Patrick ^a   Hatch, Richard C ^a   McDaniel, Martin D ^b   Ngo, Thong Q ^b   Ekerdt, John G ^b  

^a UNIVERSITY OF TEXAS AT AUSTIN   (United States)

^b The University of Texas at Austin   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BATIO; FUNCTIONAL OXIDES; HYBRID ARCHITECTURES; MONOLITHIC INTEGRATION; PEROVSKITE OXIDES; SI(0 0 1); SRTIO;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; GERMANIUM; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; THIN FILM TRANSISTORS; THIN FILMS; TRANSISTORS;

MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS;

EID: 84885620473     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/05401.0255ecst     Document Type: Conference Paper

References (45)

1. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
2. X. Zhang, A. A. Demkov, H. Li, X. Hu, Y. Wei, and J. Kulik, Phys. Rev. B 68, 125323 (2003).
3. C. R. Ashman, C. J. Först, K. Schwarz, and P. E. Blöchl, Phys. Rev. B 69, 075309 (2004).
4. Z. Yu, Y. Liang, C. Overgaard, X. Hu, J. Curless, H. Li, Y. Wei, B. Craigo, D. Jordan, R. Droopad, J. Finder, K. Eisenbeiser, D. Marshall, K. Moore, J. Kulik, and P. Fejes, Thin Solid Films 462, 51 (2004).
5. Y. Liang, S. Gan, Y. Wei, and R. Gregory, Phys. Status Solidi B 243, 2098 (2006).
6. C. Rossel, B. Mereu, C. Marchiori, D. Caimi, M. Sousa, A. Guiller, H. Siegwart, R. Germann, J.-P. Locquet, J. Fompeyrine, D. J. Webb, Ch. Dieker, and J. W. Seo, Appl. Phys. Lett. 89, 053506 (2006).
7. J. W. Reiner, A. Posadas, M. Wang, M. Sidorov, Z. Krivokapic, F. J. Walker, T. P. Ma, and C. H. Ahn, J. Appl. Phys. 105, 124501 (2009).
8. V. Vaithnayathan, J. Lettieri, W. Tian, A. Sharan, A. Vasudevarao, Y. L. Li, A. Kochhar, H. Ma, J. Levy, P. Zschack, J. C. Woicik, L. Q. Chen, V. Gopalan, and D. G. Schlom, J. Appl. Phys. 100, 024108 (2006).
9. G. Niu, S. Yin, G. Saint-Girons, B. Gautier, P. Lecoeur, V. Pillard, G. Hollinger, and B. Vilquin, Microelec. Eng. 88, 1232 (2011).
10. A. K. Pradhan, J. B. Dadson, D. Hunter, K. Zhang, S. Mohanty, E. M. Jackson, B. Lasley-Hunter, K. Lord, T. M. Williams, and R. R. Rakhimov, J. Zhang and D. J. Sellmyer, K. Inaba and T. Hasegawa, S. Mathews, B. Joseph, and B. R. Sekhar, U.N. Roy, Y. Cui, and A. Burger, J. Appl. Phys. 100, 033903 (2006).
11. J. Wang, H. Zheng, Z. Ma, S. Prasertchoung, M. Wuttig, R. Droopad, J. Yu, K. Eisenbeiser, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 85, 2574 (2004).
12. A. Posadas, M. Berg, H. Seo, A. de Lozanne, A. A. Demkov, D. J. Smith, A. P. Kirk, D. Zhernokletov, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 98, 053104 (2011).
13. A. Posadas, M. Berg, H. Seo, D. J. Smith, A. P. Kirk, D. Zhernokletov, R. M. Wallace, A. de Lozanne, and A. A. Demkov, Microelec. Eng. 88, 1444 (2011).
14. H. Seo, A. B. Posadas, C. Mitra, A. V. Kvit, J. Ramdani, and A. A. Demkov, Phys. Rev. B 86, 075301 (2012).
15. M. D. McDaniel, A. Posadas, T. Wang, A. A. Demkov, and J. G. Ekerdt, Thin Solid Films 520, 6525 (2012).
16. G. Kresse and J. Furthmüller, Phys. Rev. B. 54, 11169 (1996).
17. J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).
18. S.L. Dudarev, G.A. Botton, S.Y. Savrasov, C.J. Humphreys, and A.P. Sutton, Phys. Rev. B 57, 1505 (1998).
19. L. Köhler and G. Kresse, Phys. Rev. B 70, 165405 (2004).
20. M. Choi, A. B. Posadas, H. Seo, R. C. Hatch, and A. A. Demkov, Appl. Phys. Lett. 102, 031604 (2013).
21. X. Zhang and A. A. Demkov, J. Appl. Phys. 103, 103710 (2008).
22. A. A. Demkov, H. Seo, X. Zhang, and J. Ramdani, Appl. Phys. Lett. 100, 071602 (2012).
23. J. W. Reiner, A. M. Kolpak, Y. Segal, K. F. Garrity, S. Ismail-Beigi, C. H. Ahn, and F. J. Walker, Adv. Mater. 22, 2919 (2010).
24. P. E. J. Eriksson and R. I. G. Uhrberg, Phys. Rev. B 81, 125443 (2010).
25. H. Koh, J. W. Kim, W. H. Choi, and H. W. Yeom, Phys. Rev. B 67, 073306 (2003).
26. E. Pehlke and M. Scheffler, Phys. Rev. Lett. 71, 2338 (1993).
27. H. Seo, M. Choi, A. B. Posadas, R. C. Hatch, and A. A. Demkov, J. Vac. Sci. Tech. B, in press (2013).
28. Y. Liang, Y. Wei, X. M. Hu, Z. Yu, R. Droopad, H. Li, and K. Moore, J. Appl. Phys., 96 (6), 3413 (2004).
29. J. Reiner, K. Garrity, F. Walker, S. Ismail-Beigi, and C. Ahn, Phys. Rev. Lett., 101 (10), 105503 (2008).
30. M.D. McDaniel, A. Posadas, T.Q. Ngo, A. Dhamdhere, D. Smith, A.A. Demkov and J.G. Ekerdt, J. Vac. Sci. Technol. A 31, 01A136 (2013).
31. T.Q. Ngo, A. Posadas, M.D. McDaniel, D.A. Ferrer, J. Bruley, C. Breslin, A.A. Demkov, and J.G. Ekerdt, J. Cryst. Growth 363, 150 (2013).
32. A. L. Linsebigler, G. Lu, and J. T. Yates, Chem. Rev. 95, 735 (1995).
33. B. O'Regan and M. Grätzel, Nature 353, 737 (1991).
34. F. E. Osterloh and B. A. Parkinson, MRS Bulletin 36, 17 (2011).
35. N. V. Burbure, P. A. Salvador, and G. S. Rohrer, Chem. Mater. 22, 5823 (2010).
36. X. Chen, S. Shen, L. Guo, and S. S. Mao, Chem. Rev. 110, 6503 (2010).
37. S. A. Chambers, T. Ohsawa, C. M. Wang, I. Lyubinetsky, J. E. Jaffe, Surf. Sci. 603, 771 (2009).
38. M. Choi, A. Posadas, R. Dargis, C. Shih, and A. A. Demkov, J. Appl. Phys. 111, 064112 (2012).
39. L. Kleinman, Phys. Rev. B 24, 7412 (1981).
40. D. Fuchs, E. Arac, C. Pinta, S. Schuppler, R. Schneider, and H. B. Löhneysen, Phys. Rev. B 77, 014434 (2008).
41. H. Seo, A. B. Posadas and A. A. Demkov, Phys. Rev. B 86, 014430 (2012).
42. A. M. Glazer, Acta Cryst. B 28, 3384 (1972).
43. T. Krishnamohan, Z. Krivokapic, K. Uchida, Y. Nishi, K. C. Saraswat, IEEE Trans. Elect. Dev. 53, 990-999, (2006).
44. R.A. McKee, F. J. Walker, M.F. Chisholm, Science 293, 468-471 (2001).
45. P. Ponath, Agham B. Posadas, R. C. Hatch and A. A. Demkov, J. Vac. Sci. Technol. B 31, 031201 (2013).